液晶聚合物膜、聚合物膜及层叠体制造技术

本发明专利技术提供一种介电损耗角正切小且断裂强度优异的液晶聚合物膜或聚合物膜及使用上述液晶聚合物膜或上述聚合物膜的层叠体。液晶聚合物膜含有液晶聚合物A及熔点比上述液晶聚合物A低且介电损耗角正切小于0.01的化合物。合物A低且介电损耗角正切小于0.01的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶聚合物膜、聚合物膜及层叠体


[0001]本专利技术涉及一种液晶聚合物膜、聚合物膜及层叠体。

技术介绍

[0002]近年来，在通信设备中使用的频率具有变得非常高的倾向。为了抑制高频带中的传输损失，要求降低在电路板中使用的绝缘材料的相对介电常数和介电损耗角正切。
[0003]以往，作为电路基板中使用的绝缘材料，多使用聚酰亚胺，但具有高耐热性和低吸水性、并且在高频带中损失小的液晶聚合物备受瞩目。
[0004]作为以往的液晶聚合物，例如，专利文献l中记载有一种液晶聚合物组合物，其具备溶剂、溶解于上述溶剂中的可溶性液晶聚合物、及含有至少1种有机聚合物或无机填料且分散或溶解于上述溶剂中的添加物。
[0005]专利文献2中记载有一种用耐热性的层压膜夹持液晶聚合物膜，在液晶聚合物的熔点附近拉伸之后，剥离层压膜的液晶聚合物膜的制造方法及液晶聚合物膜。
[0006]并且，专利文献3中记载有一种涂布液晶聚酯微粒粉末的分散液，去除溶剂之后，通过热处理熔融粘合的液晶聚酯膜。
[0007]以往技术文献
>[0008]专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种液晶聚合物膜，其含有：液晶聚合物A；及熔点比所述液晶聚合物A低且介电损耗角正切小于0.01的化合物。2.根据权利要求1所述的液晶聚合物膜，其中，所述液晶聚合物A的熔点为280℃以上。3.根据权利要求1或2所述的液晶聚合物膜，其中，所述液晶聚合物A具有由式(1)～式(3)中任意者所表示的结构单元，式(1)
‑0‑
Ar1‑
CO
‑
式(2)
‑
CO
‑
Ar2‑
CO
‑
式(3)
‑
X
‑
Ar3‑
Y
‑
在式(1)～式(3)中，Ar1表示亚苯基、亚萘基或亚联苯基，Ar2及Ar3分别独立地表示亚苯基、亚萘基、亚联苯基或由下述式(4)表示的基团，X及Y分别独立地表示氧原子或亚氨基，Ar1～Ar3中的氢原子任选地分别独立地被卤原子、烷基或芳基取代，式(4)
‑
Ar4‑
Z
‑
Ar5‑
在式(4)中，Ar4及Ar5分别独立地表示亚苯基或亚萘基，Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺酰基或亚烷基。4.根据权利要求1至3中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，所述介电损耗角正切小于0.01的化合物为聚合物。5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，所述介电损耗角正切小于0.01的化合物为熔点...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐田泰行，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：