液晶聚合物膜、聚合物膜及层叠体制造技术

本发明专利技术提供一种介电损耗角正切小且断裂强度优异的液晶聚合物膜或聚合物膜及使用上述液晶聚合物膜或上述聚合物膜的层叠体。液晶聚合物膜含有液晶聚合物A及熔点比上述液晶聚合物A低且介电损耗角正切小于0.01的化合物。合物A低且介电损耗角正切小于0.01的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶聚合物膜、聚合物膜及层叠体


[0001]本专利技术涉及一种液晶聚合物膜、聚合物膜及层叠体。

技术介绍

[0002]近年来，在通信设备中使用的频率具有变得非常高的倾向。为了抑制高频带中的传输损失，要求降低在电路板中使用的绝缘材料的相对介电常数和介电损耗角正切。
[0003]以往，作为电路基板中使用的绝缘材料，多使用聚酰亚胺，但具有高耐热性和低吸水性、并且在高频带中损失小的液晶聚合物备受瞩目。
[0004]作为以往的液晶聚合物，例如，专利文献l中记载有一种液晶聚合物组合物，其具备溶剂、溶解于上述溶剂中的可溶性液晶聚合物、及含有至少1种有机聚合物或无机填料且分散或溶解于上述溶剂中的添加物。
[0005]专利文献2中记载有一种用耐热性的层压膜夹持液晶聚合物膜，在液晶聚合物的熔点附近拉伸之后，剥离层压膜的液晶聚合物膜的制造方法及液晶聚合物膜。
[0006]并且，专利文献3中记载有一种涂布液晶聚酯微粒粉末的分散液，去除溶剂之后，通过热处理熔融粘合的液晶聚酯膜。
[0007]以往技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2019
‑
52288号公报
[0010]专利文献2：日本特开2003
‑
340918号公报
[0011]专利文献3：国际公开第2020/166644号

技术实现思路

[0012]专利技术要解决的技术课题
[0013]本专利技术的一实施方式所要解决的课题在于，提供一种介电损耗角正切小且断裂强度优异的液晶聚合物膜或聚合物膜。
[0014]并且，本专利技术的另一种实施方式所要解决的课题在于，提供一种使用上述液晶聚合物膜或上述聚合物膜的层叠体。
[0015]用于解决技术课题的手段
[0016]在用于解决上述课题的方法中，包括以下方式。
[0017]＜1＞一种液晶聚合物膜，其含有：液晶聚合物A；及熔点比上述液晶聚合物A低且介电损耗角正切小于0.01的化合物。
[0018]＜2＞根据＜1＞所述的液晶聚合物膜，其中，上述液晶聚合物A的熔点为280℃以上。
[0019]＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的液晶聚合物膜，其中，上述液晶聚合物A具有由式(1)～式(3)中任意者所表示的结构单元。
[0020]式(1)
‑
O
‑
Ar1‑
CO
‑
[0021]式(2)
‑
CO
‑
Ar2‑
CO
‑
[0022]式(3)
‑
X
‑
Ar3‑
Y
‑
[0023]在式(1)～式(3)中，Ar1表示亚苯基、亚萘基或亚联苯基，Ar2及Ar3分别独立地表示亚苯基、亚萘基、亚联苯基或由下述式(4)表示的基团，X及Y分别独立地表示氧原子或亚氨基，Ar1～Ar3中的氢原子也可以分别独立地被卤原子、烷基或芳基取代，
[0024]式(4)
‑
Ar4‑
Z
‑
Ar5‑
[0025]在式(4)中，Ar4及Ar5分别独立地表示亚苯基或亚萘基，Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺酰基或亚烷基。
[0026]＜4＞根据＜1＞～＜3＞中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，上述介电损耗角正切小于0.01的化合物为聚合物。
[0027]＜5＞根据＜1＞～＜4＞中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，上述介电损耗角正切小于0.01的化合物为熔点比上述液晶聚合物A低且介电损耗角正切小于0.01的液晶聚合物B。
[0028]＜6＞根据＜1＞～＜5＞中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，上述介电损耗角正切小于0.01的化合物为粒子。
[0029]＜7＞根据＜1＞～＜6＞中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，上述介电损耗角正切小于0.01的化合物为氟类聚合物。
[0030]＜8＞根据＜1＞～＜7＞中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，上述介电损耗角正切小于0.01的化合物的含量相对于液晶聚合物膜的总质量，为10质量％～90质量％。
[0031]＜9＞根据＜1＞～＜8＞中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，上述液晶聚合物膜的介电损耗角正切为0.001以下。
[0032]＜10＞根据＜1＞～＜9＞中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，上述液晶聚合物膜的线膨胀系数为
‑
20ppm/K～50ppm/K。
[0033]＜11＞一种聚合物膜，其含有选自氟类聚合物、具有环状脂肪族烃基和具有烯属不饱和键的基团的化合物的聚合物、聚苯醚及芳香族聚醚酮中的至少1种聚合物以及熔点比上述聚合物低且介电损耗角正切小于0.01的化合物。
[0034]＜12＞一种层叠体，其具有＜1＞至＜10＞中任一项所述的液晶聚合物膜或者＜11＞所述的聚合物膜、及配置在上述液晶聚合物膜或者上述聚合物膜的至少一个面上的金属层。
[0035]＜13＞根据＜12＞所述的层叠体，其具有分别配置在上述液晶聚合物膜或者上述聚合物膜的两面的金属层。
[0036]＜14＞根据＜12＞或＜13＞所述的层叠体，上述金属层为铜层，上述液晶聚合物膜或者上述聚合物膜与上述铜层的剥离强度为0.5kN/m以上。
[0037]专利技术效果
[0038]断裂强度根据本专利技术的一实施方式，能够提供一种介电损耗角正切小且断裂强度优异的液晶聚合物膜或聚合物膜。
[0039]并且，根据本专利技术的另一种实施方式，能够提供一种使用上述液晶聚合物膜或上述聚合物膜的层叠体。
具体实施方式
[0040]以下，对本专利技术的内容详细地进行说明。以下记载的构成要件的说明可以根据本专利技术的代表性实施方式来完成，但是本专利技术并不限定于这种实施方式。
[0041]另外，在本说明书中，表示数值范围的“～”以将记载于其前后的数值作为下限值及上限值而包括的含义被使用。
[0042]在本专利技术中阶段性地记载的数值范围中，在1个数值范围内记载的上限值或下限值也可以取代为其他阶段性地记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本专利技术中记载的数值范围中，该数值范围的上限值或下限值也可以取代为实施例中所示出的值。
[0043]并且，在本说明书中的基团(原子团)的表述中，未标记取代和未取代的表述也包括不具有取代基的基团和具有取代基的基团。例如，“烷基”不仅含有不具有取代基的烷基(未取代烷基)，而且还含有具有取代基的烷基(取代烷基)。
[0044]在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是以含有丙烯酸及甲基丙烯酸这两者的概念被使用的术语，“(甲基)丙烯酰基”是以含有丙烯酰基及甲基丙烯酰基这两者的概念被使用的术语。
[0045]并且，本说明书中的“工序”的术语不仅是独立的工序，而且即使在无法与其他工序明确区分的情况下，若可以实现该工序所期望的目的，则也包括在该术语中。
[0046]并且，在本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种液晶聚合物膜，其含有：液晶聚合物A；及熔点比所述液晶聚合物A低且介电损耗角正切小于0.01的化合物。2.根据权利要求1所述的液晶聚合物膜，其中，所述液晶聚合物A的熔点为280℃以上。3.根据权利要求1或2所述的液晶聚合物膜，其中，所述液晶聚合物A具有由式(1)～式(3)中任意者所表示的结构单元，式(1)
‑0‑
Ar1‑
CO
‑
式(2)
‑
CO
‑
Ar2‑
CO
‑
式(3)
‑
X
‑
Ar3‑
Y
‑
在式(1)～式(3)中，Ar1表示亚苯基、亚萘基或亚联苯基，Ar2及Ar3分别独立地表示亚苯基、亚萘基、亚联苯基或由下述式(4)表示的基团，X及Y分别独立地表示氧原子或亚氨基，Ar1～Ar3中的氢原子任选地分别独立地被卤原子、烷基或芳基取代，式(4)
‑
Ar4‑
Z
‑
Ar5‑
在式(4)中，Ar4及Ar5分别独立地表示亚苯基或亚萘基，Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺酰基或亚烷基。4.根据权利要求1至3中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，所述介电损耗角正切小于0.01的化合物为聚合物。5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，所述介电损耗角正切小于0.01的化合物为熔点...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐田泰行，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：