锑化铟晶片的退火工艺制造技术

本发明专利技术公开了锑化铟晶片的退火工艺，包括：将锑化铟晶片依次摆放在石英舟上，然后将石英舟放入石英管内；石英管包括管体和石英帽；在石英帽中放入锑；将石英管密封后抽真空，达到预设真空度以下后，向石英管中充入惰性气体或氮气；将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至300~350℃保温一段时间；保温结束后，降温。退火处理后，锑化铟晶片的内部缺陷显著降低。低。低。

【技术实现步骤摘要】
锑化铟晶片的退火工艺


[0001]本专利技术属于半导体衬底制造
，具体涉及锑化铟晶片的退火工艺。

技术介绍

[0002]锑化铟（InSb）是一种具有闪锌矿结构的窄禁带半导体，具有很高的电子迁移率和电子饱和速度。在77K下，禁带宽度为0.227eV，截止波长为5.5μm，可以覆盖整个中波红外波段，量子效率高，是重要的中波红外探测器材料。InSb除了具有很高的电子迁移率和电子饱和速度外，还拥有
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族半导体中最高的空穴迁移率，是制作高速低功率电子逻辑器件的理想材料，而且在量子计算和自旋电子学领域中也具有重要的应用价值。
[0003]学者们很早就对InSb的热处理做了全面研究。根据“锑化铟的热处理，《物理学报》，第22卷第6期，1966年6月”的记载：关于InSb的热处理研究，较全面的报道见Hulme和Mullin的评述性文章；他们共做了二类实验：一类是在真空中，温度500℃，热处理数小时，整个样品变为了P型，得到P型载流子的增减是和石英管的纯度有关；按Putley的文章报导，他所测量的样品是在真空中，200~300本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锑化铟晶片的退火工艺，其特征在于，包括以下步骤：将锑化铟晶片依次摆放在石英舟上，然后将石英舟放入石英管内；石英管包括管体和石英帽；在石英帽中放入锑；将石英管密封后抽真空，达到预设真空度以下后，向石英管中充入惰性气体或氮气；将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至300~350℃保温一段时间；保温结束后，降温。2.如权利要求1所述的锑化铟晶片的退火工艺，其特征在于，所述预设真空度为1
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‑4pa。3.如权利要求2所述的锑化铟晶片的退火工艺，其特征在于，向石英管中充入惰性气体或氮气至石英管内压强为一个大气压...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑金龙，唐勇，杨小丽，周铁军，马金峰，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：