一种碳化硅晶片的退火方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅晶片的退火方法，包括以下步骤：将碳化硅晶片摆放在石英舟中，然后将石英舟放入石英管内；石英管包括管体和石英帽；在石英帽中放入碳；将石英管密封后抽真空，达到预设真空度后，向石英管中充入惰性气体或氮气；将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至1200~1300℃保温一段时间；保温结束后，降温。本发明专利技术中，碳化硅晶片的退火温度显著降低，退火处理后，晶体内部的缺陷明显降低。晶体内部的缺陷明显降低。晶体内部的缺陷明显降低。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶片的退火方法


[0001]本专利技术属于半导体衬底制造
，具体涉及一种碳化硅晶片的退火方法。

技术介绍

[0002]碳化硅作为一种重要的III
‑
V族直接带隙化合物半导体材料，因其电子迁移率高、禁带宽度大、消耗功率低等特性在微电子和光电子器件领域得到广泛的应用。碳化硅半导体器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用，可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。
[0003]目前，碳化硅晶体一般通过气相生长方法制备得到。随着对气相生长方法的持续研究，碳化硅晶体的质量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶体中仍存在组织缺陷、微观应力。退火是降低碳化硅晶体微观应力以及消除碳化硅晶体组织缺陷的重要方法。为了消除应力，减少缺陷，需要对SiC晶体进行高温退火处理。发表于第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集的《碳化硅晶体的高温退火改性研究》表明：在生长态的SiC晶体中发现了氮施主、硼受主杂质和碳空位，以及碳空位、碳硅反位等造成的D
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片的退火方法，其特征在于，包括以下步骤：将碳化硅晶片摆放在石英舟中，然后将石英舟放入石英管内；石英管包括管体和石英帽；在石英帽中放入碳；将石英管密封后抽真空，达到预设真空度后，向石英管中充入惰性气体或氮气；将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至1200~1300℃保温一段时间；保温结束后，降温。2.如权利要求1所述的碳化硅晶片的退火方法，其特征在于，所述预设真空度为1
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‑4pa。3.如权利要求2所述的碳化硅晶片的退火方法，其特征在于，向石英管中充入惰性气体或氮气至石英...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑金龙，唐勇，杨小丽，周铁军，马金峰，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：