【技术实现步骤摘要】
衬底处理设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月31日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0194110号韩国专利申请的优先权,该申请的公开内容通过引用整体并入本文。
[0003]本公开涉及一种衬底处理设备。
技术介绍
[0004]在半导体制造中,光刻过程是在衬底(诸如晶片)上形成期望的图案。用于执行光刻过程的系统顺序地或选择性地执行涂覆过程、烘烤过程和显影过程。此处,在用于烘烤过程的烘烤室中,衬底被冷却或加热。在烘烤室中设置有多个处理空间,其中气流根据在烘烤室中执行的过程的进度而改变,并且存在以下问题:多个处理空间的过程环境(例如温度、压力、湿度等)山于烘烤室中的气流而变得不均匀,并且衬底处理的可靠性劣化。
技术实现思路
[0005]提供了一种具有提高的衬底处理可靠性的衬底处理设备。
[0006]附加方面将部分地在下面的描述中阐述,并且部分将从描述中显而易见,或者可以通过实践本公开中呈现的实施例学习。
[0007]根据本公开的一方面,一种衬底处理设备,包括:烘烤室;室门,其打开和关闭所述烘烤室的开口;第一支撑板,其设置在所述烘烤室中;第一分隔壁,其将设置在所述第一支撑板上的空间分隔成在第一水平方向上彼此间隔开的第一热处理空间,并且在所述第一支撑板上在第二水平方向和竖直方向上延伸,其中所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向,并且所述竖直方向垂直于所述第一水平方向和所述第二水平方向;第一热处 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理设备,包括:烘烤室;室门,所述室门打开和关闭所述烘烤室的开口;第一支撑板,所述第一支撑板设置在所述烘烤室中;第一分隔壁,所述第一分隔壁将设置在所述第一支撑板上的空间分隔成在第一水平方向上彼此间隔开的第一热处理空间,并且所述第一分隔壁在所述第一支撑板上在第二水平方向和竖直方向上延伸,其中所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向,并且所述竖直方向垂直于所述第一水平方向和所述第二水平方向;第一热处理模块,所述第一热处理模块被布置在所述第一热处理空间中并且包括第一加热台,衬底分别被安装在所述第一加热台上;第一排气导管,所述第一排气导管在所述第一水平方向上跨越所述第一热处理空间延伸,并且从所述第一热处理模块排出的气体被通过所述第一排气导管引导;第一密封支架,所述第一密封支架被联接到所述第一排气导管并且所述第一密封支架在所述第一水平方向上沿所述第一排气导管延伸;第一水平封装部,所述第一水平封装部在所述第一水平方向上沿所述第一密封支架延伸,并且所述第一水平封装部被配置成密封在所述第一密封支架与所述室门之间的间隙;以及第一竖直封装部,所述第一竖直封装部在所述竖直方向上沿所述第一分隔壁的面向所述室门的边缘延伸,并且所述第一竖直封装部被配置成密封在所述第一分隔壁与所述室门之间的间隙。2.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中,所述室门包括:门框架;第一水平块,所述第一水平块被设置在所述门框架的内表面上,并且所述第一水平块与所述第一水平封装部紧密接触;以及第一竖直块,所述第一竖直块被设置在所述门框架的内表面上,并且所述第一竖直块与所述第一竖直封装部紧密接触。3.根据权利要求1所述的衬底处理设备,还包括设置在所述第一排气导管的一侧上的第二排气导管,其中,所述第二排气导管包括多个连通孔,所述连通孔使设置在所述第二排气导管中的流动路径与所述第一热处理空间之间连通。4.根据权利要求3所述的衬底处理设备,还包括孔打开/关闭块,所述孔打开/关闭块设置在所述第二排气导管上,以打开和关闭所述第二排气导管的多个连通孔。5.根据权利要求1所述的衬底处理设备,进一步包括:第二支撑板,所述第二支撑板设置在所述第一支撑板下方;第二分隔壁,所述第二分隔壁将设置在所述第一支撑板与所述第二支撑板之间的空间分隔成在所述第一水平方向上彼此间隔开的第二热处理空间,并且所述第二分隔壁在所述第二水平方向和所述竖直方向上延伸;第二热处理模块,所述第二热处理模块被布置在所述第二热处理空间中并且包括第二
加热台,衬底分别被安装在所述第二加热台上;以及第二竖直封装部,所述第二竖直封装部在所述竖直方向上沿所述第二分隔壁的面向所述室门的边缘延伸,并且所述第二竖直封装部被配置成密封在所述第二分隔壁与所述室门之间的间隙。6.根据权利要求5所述的衬底处理设备,其中,所述室门包括:门框架;以及第二竖直块,所述第二竖直块被设置在所述门框架的内表面上,并且与所述第二竖直封装部紧密接触。7.根据权利要求5所述的衬底处理设备,还包括第一分离板,所述第一分离板被设置在所述第一排气导管的下方,并且被配置成阻挡在所述第一热处理空间与所述第二热处理空间之间的气流。8.根据权利要求5所述的衬底处理设备,还包括:第一供应管,所述第一供应管被配置成将处理气体输送到容纳有所述第一加热台的第一室,并且所述第一供应管延伸穿过所述第一支撑板的开口和所述第二支撑板的开口;以及第二供应管,所述第二供应管被配置成将处理气体输送到容纳有所述第二加热台的第二室,并且所述第二供应管延伸穿过所述第二支撑板的开口。9.根据权利要求8所述的衬底处理设备,还包括:第一密封块,所述第一密封块联接到所述第一支撑板以覆盖所述第一支撑板的开口,并且所述第一密封块包括所述第一供应管穿过的管通孔;以及第二密封块,所述第二密封块联接到所述第二支撑板以覆盖所述第二支撑板的开口,并且所述第二密封块包括所述第一供应管和所述第二供应管穿过的管通孔。10.根据权利要求8所述的衬底处理设备,还包括管分离膜,所述管分离膜在所述第一支撑板与所述第二支撑板之间沿所述竖直方向延伸,并且所述管分离膜被布置在所述第一供应管与所述第二供应管之间。11.根据权利要求5所述的衬底处理设备,其中,所述第一热处理模块中的每个第一热处理模块还包括衬底被安装在其上的第一冷却台,并且所述第二热处理模块中的每个第二热处理模块还包括衬底被安装在其上的第二冷却台。12.一种衬底处理设备,包括:烘烤室;室门,所述室门打开和关闭所述烘烤室的开口;第一支撑板,所述第一支撑板被设置在所述烘烤室中;加热单元,所述加热单元被布置在设置在所述第一支撑板上的第一热处理空间中,并且所述加热单元包括被配置成加热衬底的第一加热台和容纳所述第一加热台的第一加热室;第一排气导管,所述第一排气导管连接至第一排气管并且将通过所述第一排气管引导的气体排放到外部,所述第一排气管连接至所述第一加热室的上侧;第二排气导管,所述第二排气导管被设置在所述第一排气导管的一侧上并且包括多个
连通孔,所述连通孔使所述第一热处理空间与设置在所述第二排气导管中的内部流动路径之间连通;连接管,所述连接管在所述第二排气导管与所述第一加热室之间延伸,以使所述第二排气导管中的内部流动路径与所述第一加热室中的空间之间连通;密封支架,所述密封支架联接到所述第一排气导管的面向所述室门的一侧,并且在所述第一排气导管延伸的方向上延伸;以及水平封装部,所述水平封装部沿所述密封支架延伸,并且被配置成密封所述密封支架与所述室门之间的间隙。13.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵柱衍,李营浚,金光洙,严基象,李偶滥,姜钟和,郑渶宪,李政炫,朴岽云,丁宣旭,
申请(专利权)人:细美事有限公司,
类型:发明
国别省市:
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