烯烃系聚合物及其制造方法技术

本发明专利技术涉及烯烃系聚合物及其制造方法。具体而言，本发明专利技术涉及可以根据密度的变化而调节加工性的烯烃系聚合物及其制造方法。根据本发明专利技术的具体例的烯烃系聚合物可以根据密度的变化而调节加工性。化而调节加工性。化而调节加工性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】烯烃系聚合物及其制造方法


[0001]本专利技术涉及烯烃系聚合物及其制造方法。具体而言，本专利技术涉及可以根据密度的变化而调节加工性的烯烃系聚合物及其制造方法。

技术介绍

[0002]作为用于烯烃聚合的催化剂之一，茂金属催化剂是在过渡金属或过渡金属卤化物上配位结合环戊二烯基(cyclopentadienyl)、茚基(indenyl)、环庚二烯基(cycloheptadienyl)等配体而成的化合物，具有三明治结构作为基本形态。
[0003]作为用于烯烃聚合的另一催化剂，齐格勒
‑
纳塔(Ziegler
‑
Natta)催化剂其活性点位即金属成分分散在惰性的固体表面，活性点位性质不均匀，相反，茂金属催化剂是具有固定结构的一种化合物，因此已知是所有的活性点位具有相同的聚合特性的单活性点位催化剂(single
‑
site catalyst)。通过这样的茂金属催化剂聚合的高分子分子量分布窄，共聚单体的分布均匀，与齐格勒
‑
纳塔催化剂相比，共聚合活度高。
[0004]另一方面，线性低密度聚乙烯(linear low
‑
density polyethylene；LLDPE)是使用聚合催化剂在低压下将乙烯和阿尔法
‑
烯烃共聚合而制造的，分子量分布窄，具有固定长度的短支链(short chain branch；SCB)，通常情况下不具有长支链(long chain branch；LCB)。用线性低密度聚乙烯制造的膜不仅具有常规聚乙烯的特性，而且断裂强度和伸长率高，撕裂强度、冲击强度等优异，因此广泛用于难以适用现有的低密度聚乙烯(low
‑
density polyethylene)或高密度聚乙烯(high
‑
density polyethylene)的拉伸膜、覆盖膜等。
[0005]但是，通过茂金属催化剂制造的线性低密度聚乙烯由于窄的分子量分布，加工性下降，由其制造的膜存在热封特性下降的趋势。
[0006]因此，要求可以根据需要来调节加工性的烯烃系聚合物。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供可以根据密度的变化来调节加工性的烯烃系聚合物。
[0008]本专利技术的另一目的在于提供上述烯烃系聚合物的制造方法。
[0009]根据本专利技术的一具体例，提供一种烯烃系聚合物，该烯烃系聚合物的(1)密度为0.915～0.945g/cm3；(2)在190℃以2.16kg的载荷测定的熔融指数(I
2.16
)为0.5～1.5g/10分钟；(3)在190℃以21.6kg的载荷测定的熔融指数(I
21.6
)与以2.16kg的载荷测定的熔融指数(I
2.16
)的比(melt flow ratio；MFR)满足下述数学式1。
[0010][数学式1][0011]‑
4625d2+8449d
‑
3840<MFR<
‑
4625d2+8449d
‑
3834
[0012]其中，MFR为熔融指数的比，d为密度(g/cm3)。
[0013]在本专利技术的具体例中，上述烯烃系聚合物可以在复合催化剂的存在下使烯烃系单体聚合而制造，上述复合催化剂包含由下述化学式1表示的至少1种第一过渡金属化合物；以及选自由下述化学式2表示的化合物和由下述化学式3表示的化合物中的至少1种第二过
渡金属化合物。
[0014][化学式1][0015][0016][化学式2][0017][0018][化学式3][0019][0020]在上述化学式1至化学式3中，M1和M2彼此不同，并各自独立地为钛(Ti)、锆(Zr)或铪(Hf)，
[0021]X各自独立地为卤素、C1‑
20
烷基、C2‑
20
烯基、C2‑
20
炔基、C6‑
20
芳基、C1‑
20
烷基C6‑
20
芳基、C6‑
20
芳基C1‑
20
烷基、C1‑
20
烷基酰胺基或C6‑
20
芳基酰胺基，
[0022]R1至R
10
各自独立地为氢、取代或未取代的C1‑
20
烷基、取代或未取代的C2‑
20
烯基、取代或未取代的C6‑
20
芳基、取代或未取代的C1‑
20
烷基C6‑
20
芳基、取代或未取代的C6‑
20
芳基C1‑
20
烷基、取代或未取代的C1‑
20
杂烷基、取代或未取代的C3‑
20
杂芳基、取代或未取代的C1‑
20
烷基酰胺基、取代或未取代的C6‑
20
芳基酰胺基、取代或未取代的C1‑
20
亚烷基、或者取代或未取代的C1‑
20
甲硅烷基，并且R1至R
10
各自独立地连接相邻的基团而可以形成取代或未取代的饱和或不饱和C4‑
20
环。
[0023]在本专利技术的具体例中，M1和M2彼此不同，并各自为锆或铪，X各自为卤素或C1‑
20
烷
基，R1至R
10
各自可以为氢、取代或未取代的C1‑
20
烷基、取代或未取代的C1‑
20
烯基、或者取代或未取代的C6‑
20
芳基。
[0024]在本专利技术的优选的具体例中，M1为铪，M2为锆，X可以为氯或甲基。
[0025]在本专利技术的优选的具体例中，第一过渡金属化合物可以为由下述化学式1
‑
1和1
‑
2表示的过渡金属化合物中的至少一个，第二过渡金属化合物可以为由下述化学式2
‑
1、2
‑
2和3
‑
1表示的过渡金属化合物中的至少一个。
[0026][0027]在上述化学式中，Me为甲基。
[0028]在本专利技术的具体例中，第一过渡金属化合物与第二过渡金属化合物的摩尔比为100:1～1:100的范围。
[0029]在本专利技术的具体例中，上述催化剂可以包含选自由下述化学式4表示的化合物、由化学式5表示的化合物和由化学式6表示的化合物中的至少1种助催化剂。
[0030][化学式4][0031][0032][化学式5][0033][0034][化学式6][0035][L
‑
H]+[Z(A)4]‑
或[L]+
[Z(A)4]‑
[0036]在上述化学式4中，n为2以上的整数，R
a
为卤素原子、C1‑
20
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种烯烃系聚合物，该烯烃系聚合物的(1)密度为0.915～0.945g/cm3；(2)在190℃以2.16kg的载荷测定的熔融指数(I
2.16
)为0.5～1.5g/10分钟；(3)在190℃以21.6kg的载荷测定的熔融指数(I
21.6
)与以2.16kg的载荷测定的熔融指数(I
2.16
)的比即MFR满足下述数学式1：[数学式1]
‑
4625d2+8449d
‑
3840<MFR<
‑
4625d2+8449d
‑
3834其中，MFR为熔融指数的比，d为密度，密度以g/cm3计。2.根据权利要求1所述的烯烃系聚合物，其中，(1)烯烃系聚合物的密度为0.917～0.943g/cm3；(2)在190℃以2.16kg的载荷测定的熔融指数为0.6～1.0g/10分钟。3.根据权利要求1所述的烯烃系聚合物，其中，所述烯烃系聚合物是在复合催化剂的存在下使烯烃系单体聚合而制造的，所述复合催化剂包含由下述化学式1表示的至少1种第一过渡金属化合物；以及选自由下述化学式2表示的化合物和由下述化学式3表示的化合物中的至少1种第二过渡金属化合物：[化学式1][化学式2][化学式3]
在所述化学式1至化学式3中，M1和M2彼此不同，并各自独立地为钛(Ti)、锆(Zr)或铪(Hf)，X各自独立地为卤素、C1‑
20
烷基、C2‑
20
烯基、C2‑
20
炔基、C6‑
20
芳基、C1‑
20
烷基C6‑
20
芳基、C6‑
20
芳基C1‑
20
烷基、C1‑
20
烷基酰胺基或C6‑
20
芳基酰胺基，R1至R
10
各自独立地为氢、取代或未取代的C1‑
20
烷基、取代或未取代的C2‑
20
烯基、取代或未取代的C6‑
20
芳基、取代或未取代的C1‑
20
烷基C6‑
20
芳基、取代或未取代的C6‑
20
芳基C1‑
20
烷基、取代或未取代的C1‑
20
杂烷基、取代或未取代的C3‑
20
杂芳基、取代或未取代的C1‑
20
烷基酰胺基、取代或未取代的C6‑
20
芳基酰胺基、取代或未取代的C1‑
20
亚烷基、或者取代或未取代的C1‑
20
甲硅烷基，并且R1至R
10
各自独立地连接相邻的基团而能够形成取代或未取代的饱和或不饱和C4‑
20
环。4.根据权利要求3所述的烯烃系聚合物，其中，M1和M2彼此不同，并各自为锆或铪，X各自为卤素或C1‑
20
烷基，R1至R
10
各自为氢、取代或未取代的C1‑
20
烷基、取代或未取代的C1‑
20
烯基、或者取代或未取代的C6‑
20
芳基。5.根据权利要求4所述的烯烃系聚合物，其中，M1为铪，M2为锆，X为氯或甲基。6.根据权利要求3所述的烯烃系聚合物，其中，第一过渡金属化合物为由下述化学式1
‑
1和1
‑
2表示的过渡金属化合物中的至少一个，第二过渡金属化合物为由下述化学式2
‑
1、2
‑
2和3
‑
1表示的过渡金属化合物中的至少一个，在所述化学式中，Me为甲基。
7.根据权利要求3所述的烯烃系聚合物，其中，第一过渡金属化合物与第二过渡金属化合物的摩尔...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文熙，金晟东，郑义甲，朴正炫，朴惠兰，徐浚豪，林成在，曹志松，
申请(专利权)人：韩华思路信株式会社，
类型：发明
国别省市：