烯烃系聚合物、由其制造的膜及其制造方法技术

本发明专利技术涉及烯烃系聚合物、由其制造的膜、以及它们的制造方法。根据本发明专利技术的具体例的烯烃系聚合物的加工性优异，由其制造的膜，特别是线性低密度聚乙烯膜的机械强度，特别是落下冲击强度优异。冲击强度优异。冲击强度优异。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】distribution slope；CDS)为3以上，优选为3～15，由其制造的膜以厚度50μm为基准具有1200～1550g的落下冲击强度。
[0011][数学式1][0012][0013]其中，C
20
和C
80
为共聚单体分布中累积质量分数(cumulative weight fraction)分别为20％和80％的点的共聚单体含量，M
20
和M
80
为共聚单体分布中累积质量分数分别为20％和80％的点的分子量。
[0014]在本专利技术的具体例中，上述烯烃系聚合物可以在复合催化剂的存在下使烯烃系单体聚合而制造，上述复合催化剂包含由下述化学式1表示的至少1种第一过渡金属化合物；以及选自由下述化学式2表示的化合物和由下述化学式3表示的化合物中的至少1种第二过渡金属化合物。
[0015][化学式1][0016][0017][化学式2][0018][0019][化学式3][0020][0021]在上述化学式1至化学式3中，M1和M2彼此不同，并各自独立地为钛(Ti)、锆(Zr)或铪(Hf)，
[0022]X各自独立地为卤素、C1‑
20
烷基、C2‑
20
烯基、C2‑
20
炔基、C6‑
20
芳基、C1‑
20
烷基C6‑
20
芳基、C6‑
20
芳基C1‑
20
烷基、C1‑
20
烷基酰胺基或C6‑/>20
芳基酰胺基，
[0023]R1至R
10
各自独立地为氢、取代或未取代的C1‑
20
烷基、取代或未取代的C2‑
20
烯基、取代或未取代的C6‑
20
芳基、取代或未取代的C1‑
20
烷基C6‑
20
芳基、取代或未取代的C6‑
20
芳基C1‑
20
烷基、取代或未取代的C1‑
20
杂烷基、取代或未取代的C3‑
20
杂芳基、取代或未取代的C1‑
20
烷基酰胺基、取代或未取代的C6‑
20
芳基酰胺基、取代或未取代的C1‑
20
亚烷基、或者取代或未取代的C1‑
20
甲硅烷基，并且R1至R
10
各自独立地连接相邻的基团而可以形成取代或未取代的饱和或不饱和C4‑
20
环。
[0024]在本专利技术的具体例中，M1和M2彼此不同，并各自为锆或铪，X各自为卤素或C1‑
20
烷基，R1至R
10
各自可以为氢、取代或未取代的C1‑
20
烷基、取代或未取代的C1‑
20
烯基、或者取代或未取代的C6‑
20
芳基。
[0025]在本专利技术的优选的具体例中，M1为铪，M2为锆，X可以为氯或甲基。
[0026]在本专利技术的优选的具体例中，第一过渡金属化合物可以为由下述化学式1
‑
1和1
‑
2表示的过渡金属化合物中的至少一个，第二过渡金属化合物可以为由下述化学式2
‑
1、2
‑
2和3
‑
1表示的过渡金属化合物中的至少一个。
[0027][0028]在上述化学式中，Me为甲基。
[0029]在本专利技术的具体例中，第一过渡金属化合物与第二过渡金属化合物的摩尔比为100:1～1:100的范围。
[0030]在本专利技术的具体例中，上述催化剂可以包含选自由下述化学式4表示的化合物、由化学式5表示的化合物和由化学式6表示的化合物中的至少1种助催化剂。
[0031][化学式4][0032][0033][化学式5][0034][0035][化学式6][0036][L
‑
H]+
[Z(A)4]‑
或[L]+
[Z(A)4]‑
[0037]在上述化学式4中，n为2以上的整数，R
a
为卤素原子、C1‑
20
烃基、或被卤素取代的C1‑
20
烃基，
[0038]在上述化学式5中，D为铝(Al)或硼(B)，R
b
、R
c
和R
d
各自独立地为卤素原子、C1‑
20
烃基、被卤素取代的C1‑
20
烃基、或C1‑
20
烷氧基，
[0039]在上述化学式6中，L为中性或阳离子性路易斯碱，[L
‑
H]+
和[L]+
为布朗斯特酸，Z为13族元素，A各自独立地为取代或未取代的C6‑
20
芳基、或者取代或未取代的C1‑
20
烷基。
[0040]在本专利技术的具体例中，上述催化剂还可以包含过渡金属化合物、助催化剂化合物、或者担载它们二者的载体。
[0041]在本专利技术的优选的具体例中，上述载体可以包含选自氧化硅、氧化铝和氧化镁中
的至少一种。
[0042]其中，以载体1g为基准，载体所担载的复合过渡金属化合物的总量为0.001～1mmole，以载体1g为基准，载体所担载的助催化剂化合物的总量为2～15mmole。
[0043]在本专利技术的具体例中，烯烃系聚合物为烯烃系单体和烯烃系共聚单体的共聚物。具体而言，烯烃系单体为乙烯，烯烃系共聚单体可以为选自丙烯、1
‑
丁烯、1
‑
戊烯、4
‑
甲基
‑1‑
戊烯、1
‑
己烯、1
‑
庚烯、1
‑
辛烯、1
‑
癸烯、1
‑
十一烯、1
‑
十二烯、1
‑
十四烯和1
‑
十六烯中的至少一个。优选地，烯烃系聚合物是烯烃系单体为乙烯且烯烃系共聚单体为1
‑
己烯的线性低密度聚乙烯。
[0044]根据本专利技术的一具体例，提供一种烯烃系聚合物的制造方法，包括在复合催化剂的存在下使烯烃系单体聚合而得到烯烃系聚合物的步骤，上述复合催化剂包含由上述化学式1表示的至少1种第一过渡金属化合物；以及选自由上述化学式2表示的化合物和由上述化学式3表示的化合物中的至少1种第二过渡金属化合物，并且烯烃系聚合物的(1)密度为0.915～0.935g/cm3，优选为0.915～0.930g/cm3；(2)在190℃以2.16kg的载荷测定的熔融指数(I
2.16
)为0.3～3.0g/10分钟，优选为0.5～2.0g/10分钟；(3)在190℃以21.6kg的载荷测定的熔融指数(I
21.6
)与以2.16k本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种烯烃系聚合物，该烯烃系聚合物的(1)密度为0.915～0.935g/cm3；(2)在190℃以2.16kg的载荷测定的熔融指数(I
2.16
)为0.3～3.0g/10分钟；(3)在190℃以21.6kg的载荷测定的熔融指数(I
21.6
)与以2.16kg的载荷测定的熔融指数(I
2.16
)的比即MFR为20～50；(4)由下述数学式1定义的共聚单体分布斜率即CDS为3以上，由其制造的膜以厚度50μm为基准具有1200～1550g的落下冲击强度：[数学式1]其中，C
20
和C
80
为共聚单体分布中累积质量分数分别为20％和80％的点的共聚单体含量，M
20
和M
80
为共聚单体分布中累积质量分数分别为20％和80％的点的分子量。2.根据权利要求1所述的烯烃系聚合物，其中，(1)烯烃系聚合物的密度为0.915～0.930g/cm3；(2)在190℃以2.16kg的载荷测定的熔融指数为0.5～2.0g/10分钟；(3)MFR为20～45；(4)CDS为3～15。3.根据权利要求1所述的烯烃系聚合物，其中，所述烯烃系聚合物是在复合催化剂的存在下使烯烃系单体聚合而制造的，所述复合催化剂包含由下述化学式1表示的至少1种第一过渡金属化合物；以及选自由下述化学式2表示的化合物和由下述化学式3表示的化合物中的至少1种第二过渡金属化合物：[化学式1][化学式2][化学式3]
在所述化学式1至化学式3中，M1和M2彼此不同，并各自独立地为钛(Ti)、锆(Zr)或铪(Hf)，X各自独立地为卤素、C1‑
20
烷基、C2‑
20
烯基、C2‑
20
炔基、C6‑
20
芳基、C1‑
20
烷基C6‑
20
芳基、C6‑
20
芳基C1‑
20
烷基、C1‑
20
烷基酰胺基或C6‑
20
芳基酰胺基，R1至R
10
各自独立地为氢、取代或未取代的C1‑
20
烷基、取代或未取代的C2‑
20
烯基、取代或未取代的C6‑
20
芳基、取代或未取代的C1‑
20
烷基C6‑
20
芳基、取代或未取代的C6‑
20
芳基C1‑
20
烷基、取代或未取代的C1‑
20
杂烷基、取代或未取代的C3‑
20
杂芳基、取代或未取代的C1‑
20
烷基酰胺基、取代或未取代的C6‑
20
芳基酰胺基、取代或未取代的C1‑
20
亚烷基、或者取代或未取代的C1‑
20
甲硅烷基，并且R1至R
10
各自独立地连接相邻的基团而能够形成取代或未取代的饱和或不饱和C4‑
20
环。4.根据权利要求3所述的烯烃系聚合物，其中，M1和M2彼此不同，并各自为锆或铪，X各自为卤素或C1‑
20
烷基，R1至R
10
各自为氢、取代或未取代的C1‑
20
烷基、取代或未取代的C1‑
20
烯基、或者取代或未取代的C6‑
20
芳基。5.根据权利要求4所述的烯烃系聚合物，其中，M1为铪，M2为锆，X为氯或甲基。6.根据权利要求3所述的烯烃系聚合物，其中，第一过渡金属化合物为由下述化学式1
‑
1和1
‑
2表示的过渡金属化合物中的至少一个，第二过渡金属化合物为由下述化学式2
‑
1、2
‑
2和3
‑
1表示的过渡金属化合物中的至少一个：
在所述化学式中，Me为甲基。7.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文熙，金晟东，郑义甲，朴正炫，朴惠兰，徐浚豪，林成在，曹志松，
申请(专利权)人：韩华思路信株式会社，
类型：发明
国别省市：