一种体声波谐振器及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种体声波谐振器及电子设备，该体声波谐振器中的截止边界层是进行了图形化处理后的截止边界层，具有贯穿所述截止边界层的凹槽，该凹槽位于第一凸起远离第二凸起的一侧和/或位于第二凸起远离第一凸起的一侧，选择性的使切割道和谐振腔以外的部分打开，以减小器件整体应力，进而优化器件的性能。进而优化器件的性能。进而优化器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器及电子设备


[0001]本专利技术涉及谐振器
，更具体地说，涉及一种体声波谐振器及电子设备。

技术介绍

[0002]目前传统的体声波谐振器结构包括上电极、压电层、下电极和截止边界层等其它功能膜层，其中现有常规的截止边界层都是整面成膜，会导致体声波谐振器的整体应力偏大，在后续工艺中容易应力失配，如空腔释放导致药液泄漏，进而影响器件性能甚至带来可靠性风险。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种体声波谐振器及电子设备，技术方案如下：
[0004]一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：
[0005]目标衬底；
[0006]位于所述目标衬底一侧的键合层，所述键合层具有第一凸起和第二凸起，在垂直于所述目标衬底所在平面的方向上，所述第一凸起的高度小于所述第二凸起的高度；
[0007]位于所述键合层背离所述目标衬底一侧的截止边界层，所述截止边界层上具有贯穿所述截止边界层的凹槽，所述凹槽位于所述第一凸起远离所述第二凸起的一侧和/或位于所述第二凸起远离所述第一凸起的一侧；
[0008]位于所述截止边界层远离所述目标衬底一侧的压电层，位于所述压电层面向所述目标衬底一侧的第一电极结构，以及位于所述压电层背离所述目标衬底一侧的第二电极结构；所述第一电极结构覆盖所述压电层的一侧区域且位于所述压电层和所述第一凸起之间，所述第二电极结构覆盖所述压电层的另一侧区域，且所述第一电极结构在所述目标衬底上的正投影与所述第二电极结构在所述目标衬底上的正投影存在交叠；
[0009]其中，所述第一凸起和所述第二凸起之间具有空腔区域。
[0010]优选的，在上述体声波谐振器中，所述截止边界层在所述目标衬底上的正投影图形为五边形；
[0011]所述凹槽的数量为五个，且依次分布在所述五边形的各内角处。
[0012]优选的，在上述体声波谐振器中，所述第一电极结构包括：
[0013]在第一方向上依次叠层设置的第一电极层、第一电极边缘凸点层和第一钝化层；
[0014]其中，所述第一电极边缘凸点层具有贯穿所述第一电极边缘凸点层的第一凹槽；
[0015]所述第一方向垂直于所述压电层所在平面，且由所述压电层指向所述目标衬底。
[0016]优选的，在上述体声波谐振器中，所述第一凹槽位于所述空腔区域内。
[0017]优选的，在上述体声波谐振器中，所述压电层具有贯穿所述压电层的第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述第一电极层；
[0018]所述体声波谐振器还包括：第一导通层；
[0019]所述第一导通层通过所述第二凹槽与所述第一电极层接触。
[0020]优选的，在上述体声波谐振器中，所述第二电极结构包括：
[0021]在第二方向上依次叠层设置的第二电极层和第二钝化层；
[0022]所述第二方向垂直于所述压电层所在平面，且由所述目标衬底指向所述压电层。
[0023]优选的，在上述体声波谐振器中，所述第二钝化层具有贯穿所述第二钝化层的第三凹槽，所述第三凹槽暴露出部分所述第二电极层；
[0024]所述体声波谐振器还包括：第二导通层；
[0025]所述第二导通层通过所述第三凹槽与所述第二电极层接触。
[0026]优选的，在上述体声波谐振器中，所述第二钝化层为氧化铝钝化层。
[0027]优选的，在上述体声波谐振器中，所述体声波谐振器还包括：牺牲层；
[0028]部分所述牺牲层位于所述第一凸起远离所述第二凸起的一侧，且位于所述键合层和所述第一电极结构之间；
[0029]部分所述牺牲层位于所述第二凸起远离所述第一凸起的一侧，且位于所述键合层和所述压电层之间。
[0030]本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备包括上述任一项所述的体声波谐振器。
[0031]相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：
[0032]本专利技术提供的一种体声波谐振器包括：目标衬底；位于所述目标衬底一侧的键合层，所述键合层具有第一凸起和第二凸起，在垂直于所述目标衬底所在平面的方向上，所述第一凸起的高度小于所述第二凸起的高度；位于所述键合层背离所述目标衬底一侧的截止边界层，所述截止边界层上具有贯穿所述截止边界层的凹槽，所述凹槽位于所述第一凸起远离所述第二凸起的一侧和/或位于所述第二凸起远离所述第一凸起的一侧；位于所述截止边界层远离所述目标衬底一侧的压电层，位于所述压电层面向所述目标衬底一侧的第一电极结构，以及位于所述压电层背离所述目标衬底一侧的第二电极结构；所述第一电极结构覆盖所述压电层的一侧区域且位于所述压电层和所述第一凸起之间，所述第二电极结构覆盖所述压电层的另一侧区域，且所述第一电极结构在所述目标衬底上的正投影与所述第二电极结构在所述目标衬底上的正投影存在交叠；其中，所述第一凸起和所述第二凸起之间具有空腔区域。
[0033]也就是说，该体声波谐振器中的截止边界层是进行了图形化处理后的截止边界层，具有贯穿所述截止边界层的凹槽，该凹槽位于所述第一凸起远离所述第二凸起的一侧和/或位于所述第二凸起远离所述第一凸起的一侧，选择性的使切割道和谐振腔以外的部分打开，以减小器件整体应力，进而优化器件的性能。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0035]图1为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的结构示意图；
[0036]图2为本专利技术实施例提供的一种截止边界层的俯视结构示意图；
[0037]图3为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的制备过程中对应的部分结构示意图之一；
[0038]图4为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的制备过程中对应的部分结构示意图之二；
[0039]图5为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的制备过程中对应的部分结构示意图之三；
[0040]图6为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的制备过程中对应的部分结构示意图之四；
[0041]图7为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的制备过程中对应的部分结构示意图之五；
[0042]图8为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的制备过程中对应的部分结构示意图之六；
[0043]图9为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的制备过程中对应的部分结构示意图之七；
[0044]图10为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的制备过程中对应的部分结构示意图之八；
[0045]图11为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的制备过程中对应的部分结构示意图之九；
[0046]图12为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的制备过程中对应的部分结构示意图之十；
[0047]图13为本专利技术实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器包括：目标衬底；位于所述目标衬底一侧的键合层，所述键合层具有第一凸起和第二凸起，在垂直于所述目标衬底所在平面的方向上，所述第一凸起的高度小于所述第二凸起的高度；位于所述键合层背离所述目标衬底一侧的截止边界层，所述截止边界层上具有贯穿所述截止边界层的凹槽，所述凹槽位于所述第一凸起远离所述第二凸起的一侧和/或位于所述第二凸起远离所述第一凸起的一侧；位于所述截止边界层远离所述目标衬底一侧的压电层，位于所述压电层面向所述目标衬底一侧的第一电极结构，以及位于所述压电层背离所述目标衬底一侧的第二电极结构；所述第一电极结构覆盖所述压电层的一侧区域且位于所述压电层和所述第一凸起之间，所述第二电极结构覆盖所述压电层的另一侧区域，且所述第一电极结构在所述目标衬底上的正投影与所述第二电极结构在所述目标衬底上的正投影存在交叠；其中，所述第一凸起和所述第二凸起之间具有空腔区域。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述截止边界层在所述目标衬底上的正投影图形为五边形；所述凹槽的数量为五个，且依次分布在所述五边形的各内角处。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极结构包括：在第一方向上依次叠层设置的第一电极层、第一电极边缘凸点层和第一钝化层；其中，所述第一电极边缘凸点层具有贯穿所述第一电极边缘凸点层的第一凹槽；所述第一方向垂直于所述压电层所在平面，且由所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡威威，唐供宾，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：