用于大功率应用的横向激励薄膜体声波谐振器制造技术

公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(1DT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。

【技术实现步骤摘要】
用于大功率应用的横向激励薄膜体声波谐振器
[0001]本申请是申请日为2020年10月8日、申请号为202080066592.0的中国专利技术专利申请“用于大功率应用的横向激励薄膜体声波谐振器”的分案申请。


[0002]本公开涉及使用声波谐振器的射频滤波器，尤其涉及用于通信设备中的具有高功率能力的带通滤波器。

技术介绍

[0003]射频(RF)滤波器是双端器件，其被配置为通过一些频率，阻止其它频率，其中“通过”意味着以相对低的信号损耗进行传输，而“阻止”意味着阻塞或基本上衰减。滤波器通过的频率范围称为滤波器的“通带”。由这种滤波器阻止的频率范围称为滤波器的“阻带”。典型的RF滤波器具有至少一个通带和至少一个阻带。通带或阻带的具体要求取决于具体应用。例如，“通带”可以定义为一个频率范围，其中滤波器的插入损耗小于诸如1dB、2dB或3dB的定义值。“阻带”可以定义为一个频率范围，其中滤波器的抑制大于定义值，例如20dB、30dB、40dB或更大的值，这取决于具体的应用。
[0004]RF滤波器用于通过无线链路传输信息的通信系统中。例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声学谐振器器件，包括：衬底，包括基底和具有表面的中间层；压电板，除了所述压电板的形成横跨空腔的隔膜的部分外由所述衬底支撑；以及叉指换能器IDT，在所述压电板的表面处，使得所述IDT的交错指状物设置在所述隔膜上，其中，所述IDT的交错指状物的厚度大于或等于所述隔膜的厚度的0.85倍且小于或等于所述隔膜的厚度的2.5倍。2.根据权利要求1所述的声学谐振器器件，其中，所述交错指状物的厚度和所述隔膜的厚度是在与所述隔膜的表面正交的方向上测量的。3.根据权利要求1所述的声学谐振器器件，其中所述压电板和所述IDT被配置为使得施加到所述IDT的射频信号激发所述隔膜中的剪切主声模。4.根据权利要求1所述的声学谐振器器件，其中，所述IDT的交错指状物是铝或包含至少50％铝的合金。5.根据权利要求1所述的声学谐振器器件，其中所述IDT的交错指状物是铜或包含至少50％铜的合金，并且其中所述IDT的交错指状物的厚度在：大于或等于所述隔膜的厚度的0.85倍且小于所述隔膜的厚度的1.42倍的范围内，或大于或等于所述隔膜的厚度的1.95倍且小于所述隔膜的厚度的2.325倍的范围内。6.根据权利要求1所述的声学谐振器器件，其中，所述隔膜的厚度大于或等于200nm且小于或等于1000nm。7.根据权利要求1所述的声学谐振器器件，其中，所述IDT的交错指状物的间距大于或等于所述隔膜的厚度的6倍且小于或等于所述隔膜的厚度的12.5倍。8.根据权利要求1所述的声学谐振器器件，其中，所述IDT的孔径大于或等于20微米且小于或等于60微米，其中所述孔径被测量为所述IDT的两个相对的交错指状物的重叠距离，其与所述交错指状物的长度垂直。9.根据权利要求1所述的声学谐振器器件，其中，所述隔膜在所述空腔的周边的至少50％周围与所述压电板邻接，并且所述中间层是二氧化硅或氮化硅中的至少一种。10.一种滤波器装置，包括：衬底；一个或多个压电板，由所述衬底支撑，并具有横跨相应空腔的一个或多个隔膜；以及导体图案，位于所述一个或多个压电板处，所述导体图案包括相应多个声学谐振器的多个叉指换能器IDT，所述多个IDT中的每一个的交错指状物在所述一个或多个隔膜的一个隔膜上，其中，所有所述多个IDT的交错指状物具有共同的指状物厚度，所述共同的指状物厚度大于或等于所述隔膜的厚度的0....

【专利技术属性】
技术研发人员：布莱恩特，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：