一种光刻胶主体树脂合成中间体及其制备方法技术

本发明专利技术属于化学合成及光刻材料领域，具体涉及一种光刻胶主体树脂合成中间体及其制备方法。本发明专利技术中的光刻胶主体树脂为193 nm的光刻胶主体树脂，所述的光刻胶主体树脂合成中间体为金刚烷衍生物，即3

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶主体树脂合成中间体及其制备方法


[0001]本专利技术属于化学合成及光刻材料领域，具体涉及一种光刻胶主体树脂合成中间体及其制备方法。

技术介绍

[0002]光刻胶主体树脂主要用于集成电路和半导体分立器件细微图形加工，是电子信息产业中超大规模集成电路关键材料，除广泛应用在手机、电脑等电子产品制造外，在航空航天、军事科技等领域也有重要应用。
[0003]其中，193nm光刻胶主体树脂为光刻胶的关键材料，市场的需求量很大，主要应用于浸没式光刻机，因此，光刻胶主体树脂需要有较好的抗蚀刻能力。但是，现阶段光刻胶树脂技术尚存在裂缝、表面粗糙和非曝光区胶膜部分溶解所造成的胶膜溶胀等问题，这些缺陷只能通过不断改进它的主体树脂结构进而改变它的性能来解决。
[0004]在现有技术中，由于丙烯酸或甲基丙烯酸酯类聚合物具有较高的透明度，因而被广泛用于光刻胶主体树脂的制备中，但是该类树脂的蚀刻抵抗力有限，主要原因在于：其主体树脂主链一般为丙烯酸酸或甲基丙烯酸酯类单体形成的亚甲基聚合体，主要用于提供成膜性和加工过程所需求的机械性能，因而抗蚀性能较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶主体树脂合成中间体，其特征在于，所述的合成中间体为金刚烷衍生物3
‑
(金刚烷
‑1‑
氧基)
‑2‑
噻吩甲醇，是以1
‑
溴
‑
金刚烷为原料，在碱性条件下，与3
‑
羟基
‑2‑
噻吩甲酸甲酯反应，反应获得的化合物再经还原后得到的。2.如权利要求1所述的一种光刻胶主体树脂合成中间体，其特征在于，所述的合成中间体的主要制备步骤如下：步骤(I)：在碱性条件下，以1
‑
溴
‑
金刚烷为原料，与3
‑
羟基
‑2‑
噻吩甲酸甲酯反应，得到3
‑
(金刚烷
‑1‑
氧基)
‑2‑
噻吩甲酸甲酯；步骤(II)：将步骤(I)获得的3
‑
(金刚烷
‑1‑
氧基)
‑2‑
噻吩甲酸甲酯进行还原，生成3
‑
(金刚烷
‑1‑
氧基)
‑2‑
噻吩甲醇。3.如权利要求1所述的一种光刻胶主体树脂合成中间体，其特征在于，所述的合成中间体制备过程中的反应式如下：4.如权利要求1所述的一种光刻胶主体树脂合成中间体，其特征在于，所述的光刻胶主体树脂为193nm光刻胶主体树脂。5.含有权利要求1所述的一种光刻胶主体树脂合成中间体的光刻胶主体树脂。6.光刻胶主体树脂合成中间体的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤S1，将3
‑
羟基
‑2‑
噻吩甲酸甲酯加入到干...

【专利技术属性】
技术研发人员：马立亮，夏亚穆，冯柏成，于法暖，
申请(专利权)人：沾化大荣化工科技有限公司，
类型：发明
国别省市：