具有延伸穿过壳体的经流体填充排气管的拉晶系统技术方案

本发明专利技术公开具有经流体冷却排气管的拉晶系统。所述经流体冷却排气管延伸穿过反应器壳体并进入反应室。在一些实施例中，所述排气管延伸穿过拉晶器壳体的底部且延伸穿过拉锭器壳体内的底部遮热板。壳体内的底部遮热板。壳体内的底部遮热板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有延伸穿过壳体的经流体填充排气管的拉晶系统
[0001]相关申请案的交叉引用
[0002]本申请案主张2020年11月4日申请的第63/109,669号美国临时专利申请案的权益，所述案的全部内容以引用方式并入本文中。


[0003]本公开的领域涉及用于生长硅锭的拉晶系统，且特定来说，涉及包含延伸穿过拉晶系统的壳体以将排气快速淬火的一或多个排气管的系统。

技术介绍

[0004]单晶硅锭可通过所谓的丘克拉斯基法制备，其中单晶硅种与容纳于坩埚内的硅熔化物接触。单晶硅种从熔化物抽出以从熔化物拉制单晶硅锭。锭可在分批系统中制备，其中多晶硅的进料首先熔化于坩埚内且从熔化物抽出硅锭，直到坩埚内的熔化硅耗尽。替代地，可在连续丘克拉斯基法中抽出锭，其中多晶硅间歇或连续添加到熔化物以在锭生长期间补充硅熔化物。
[0005]可在拉制器的壳体内存在大气时执行拉晶。在分批及连续丘克拉斯基工艺两者中，相对于硅惰性的工艺气体(例如氩气)被连续引入到壳体且通过拉制器的排气系统抽出。随着工艺气体被抽出，化合物可沉积于处于相较于拉制器室较低的温度的排气系统本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于从硅熔化物生长单晶锭的拉晶系统，所述系统包括：壳体，其界定生长室，所述壳体具有底部及从所述底部延伸的侧壁；坩埚，其经安置于所述生长室内用于容纳所述硅熔化物；排气管，其延伸穿过所述壳体的所述底部且从所述壳体的所述底部向外延伸，所述排气管界定用于排放来自所述生长室的排气的排气流动路径，所述排气管包括：内壁；外壁；及流体通路，其界定于所述内壁与所述外壁之间用于循环冷却流体以冷却所述排气流动路径内的排气。2.根据权利要求1所述的拉晶系统，其包括安置于所述拉晶系统壳体内的底部遮热板，所述底部遮热板具有一定厚度，所述排气管延伸穿过所述底部遮热板的所述整个厚度。3.根据权利要求1或权利要求2所述的拉晶系统，其包括排气空间，所述排气空间包括空间壳体，所述空间壳体包括底面、顶部及在所述底面与所述顶部之间延伸的侧壁，其中所述排气管延伸到所述空间壳体底面中。4.根据权利要求3所述的拉晶系统，其中所述空间壳体由绝缘材料制成。5.根据权利要求3或权利要求4所述的拉晶系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：