将半导体激光元件(2)载置于第一加热冷却器(1)。在第二加热冷却器(3)之上安装有探头支架(4)。测定用探头(8)固定于探头支架(4)的末端。微动台(9)使第二加热冷却器(3)以及探头支架(4)移动而使测定用探头(8)的末端抵接于半导体激光元件(2)。检查装置(10)经由测定用探头(8)向半导体激光元件(2)输入检查信号。头(8)向半导体激光元件(2)输入检查信号。头(8)向半导体激光元件(2)输入检查信号。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光检查装置以及半导体激光检查方法
[0001]本公开涉及使探头与半导体激光元件抵接来检测半导体激光元件的特性的半导体激光检查装置以及半导体激光检查方法。
技术介绍
[0002]在具备加热冷却器的夹具上载置被切割的半导体激光元件，并使探头与其抵接来进行特性检查。若使常温的探头与被加热或冷却后的半导体激光器抵接，则半导体激光元件的特性因其温度差而变动，产生测定偏差。针对于此，提出了在检查半导体晶片时用加热装置加热探头而使其成为与晶片相同的温度的技术。由此，能够防止从半导体晶片夺走热量，抑制测定偏差。另外，能够在探头接触时抑制探头的变形而使接触稳定化。
[0003]但是，以往由于加热装置与探头分离设置，所以在实施检查后需要利用加热装置再次加热探头。针对于此，提出了在探头安装有加热装置的检查装置(例如，参照专利文献1)。
[0004]专利文献1：日本特开平10
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90345号公报
[0005]若想冷却探头，则需要在探头设置帕尔贴元件。一般的帕尔贴元件的尺寸为10mm
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10mm以上。半导体检查中所使用的探头的尺寸一般为直径1mm，长度20～30mm左右。因此，在探头的附近不存在设置一般的帕尔贴元件的空间。在比其小型的帕尔贴元件的情况下，难以将使电流流向帕尔贴元件的带覆层的布线向外引出。假设在探头设置有帕尔贴元件的情况下，由于支承它们的支承部件发热，所以还需要水冷等冷却机构。但是，由于在支承部件仅开设有直径为几mm左右的孔，只能使微量的冷却水通过，所以不能充分的冷却。因此，不能冷却探头，不能防止在抵接探头时半导体激光元件的特性发生变动。
技术实现思路
[0006]本公开是为了解决上述那样的课题而做出的，其目的在于获得一种能够防止在抵接探头时半导体激光元件的特性发生变动的半导体激光检查装置以及半导体激光检查方法。
[0007]本公开所涉及的半导体激光检查装置的特征在于，具备：第一加热冷却器，载置半导体激光元件；第二加热冷却器；探头支架，安装于上述第二加热冷却器之上；测定用探头，固定于上述探头支架的末端；微动台，使上述第二加热冷却器以及上述探头支架移动而使上述测定用探头的末端与上述半导体激光元件抵接；以及检查装置，经由上述测定用探头向上述半导体激光元件输入检查信号。
[0008]在本公开中，将半导体激光元件载置于第一加热冷却器，在第二加热冷却器之上安装有探头支架。第一加热冷却器以及第二加热冷却器不仅能够将温度控制在高温侧，还能够将温度控制在低温侧，因此能够使半导体激光元件与测定用探头的温度接近。由此，能够防止在抵接测定用探头时半导体激光元件的特性发生变动。
附图说明
[0009]图1是表示实施方式1所涉及的半导体激光检查装置的框图。
[0010]图2是表示实施方式2所涉及的半导体激光检查装置的框图。
[0011]图3是放大图2的用虚线包围的区域A的侧视图。
[0012]图4是表示实施方式2所涉及的半导体激光检查装置的变形例的框图。
[0013]图5是表示实施方式3所涉及的半导体激光检查装置的框图。
[0014]图6是放大图5的用虚线包围的区域A的侧视图。
[0015]图7是表示实施方式4所涉及的半导体激光检查装置的框图。
[0016]图8是表示实施方式5所涉及的半导体激光检查装置的框图。
[0017]图9是测定相对于测定用探头的设定温度而言的半导体激光元件的出射光的波长的时间变动的图。
[0018]图10是用于说明实施方式6所涉及的半导体激光检查方法的框图。
[0019]图11是用于说明实施方式7所涉及的半导体激光检查方法的框图。
具体实施方式
[0020]参照附图对实施方式所涉及的半导体激光检查装置以及半导体激光检查方法进行说明。对相同或对应的构成要素标注相同的附图标记，有时省略重复说明。
[0021]实施方式1
[0022]图1是表示实施方式1所涉及的半导体激光检查装置的框图。加热冷却器1是载置半导体激光元件2的载物台。在加热冷却器3之上安装有探头支架4。加热冷却器1以及加热冷却器3具有不仅能够将温度控制在高温侧还能够将温度控制在低温侧的帕尔贴元件等。
[0023]温度传感器5内置于加热冷却器1，测定加热冷却器1的温度。温度传感器6内置于加热冷却器3，测定加热冷却器3的温度。在本实施方式中，控制部7基于温度传感器5、6的测定结果，将加热冷却器1和加热冷却器3的温度设定为相同的值。
[0024]测定用探头8固定于探头支架4的末端。微动台9使加热冷却器3以及探头支架4在上下方向以及水平方向上移动，而使测定用探头8的末端与载置于加热冷却器1的半导体激光元件2抵接。
[0025]检查装置10具有信号产生器11、LD驱动电源12以及偏置器(bias tee)13。从信号产生器11输出的调制信号和从LD驱动电源12输出的恒定电压在偏置器13耦合而成为检查信号。检查装置10经由测定用探头8向半导体激光元件2输入检查信号。通过该检查信号驱动半导体激光元件2而进行半导体激光元件2的特性检查。
[0026]此外，在不足25℃室温的温度下进行测定时，测定用探头8或半导体激光元件2产生结露，有可能产生特性值的变动或测定中的短路。因此，需要用由丙烯酸等材料制成的箱包围装置整体，并填充干燥空气或N2，由此防止结露。
[0027]在本实施方式中，将半导体激光元件2载置于加热冷却器1，在加热冷却器3之上安装有探头支架4。由于加热冷却器1以及加热冷却器3不仅能够将温度控制在高温侧还能够将温度控制在低温侧，因此能够使半导体激光元件2与测定用探头8的温度接近。由此，能够防止在抵接测定用探头8时半导体激光元件2的特性发生变动。
[0028]另外，控制部7将加热冷却器1和加热冷却器3的温度设定为相同的值。通过在该状
态下使测定用探头8与半导体激光元件2抵接来进行测定，能够防止在抵接了测定用探头8时热量从半导体激光元件2流入或流出。其结果，能够防止半导体激光元件2的特性发生变动而产生测定偏差。
[0029]另外，在以往的检查装置中，需要在每次进行测定时使测定用探头移动至加热冷却器对探头的末端进行加热冷却。与此相对，在本实施方式中，由于加热冷却器3能够经由探头支架4对测定用探头8进行加热冷却，因此不需要为了加热冷却而移动测定用探头8。
[0030]另外，测定用探头与加热器成为一体的以往的检查装置不能将温度控制在低温侧。而且，在探头的附近不能确保设置帕尔贴元件以及水冷等冷却机构的空间。与此相对，在本实施方式中，将探头支架4安装于加热冷却器3之上。由此，加热冷却器3能够经由探头支架4冷却测定用探头8。
[0031]另外，由于测定用探头8通过几十GHz的高频，所以需要使阻抗匹配。因此，测定用探头8的探针的设计没有自由度，将测定用探头8从加热冷却器3延伸至半导体激光元件2是非常困难的，需要经由探头支架4。因此本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光检查装置，其特征在于，具备：第一加热冷却器，载置半导体激光元件；第二加热冷却器；探头支架，安装于所述第二加热冷却器之上；测定用探头，固定于所述探头支架的末端；微动台，使所述第二加热冷却器以及所述探头支架移动而使所述测定用探头的末端与所述半导体激光元件抵接；以及检查装置，经由所述测定用探头向所述半导体激光元件输入检查信号。2.根据权利要求1所述的半导体激光检查装置，其特征在于，还具备：第一温度传感器，测定所述第一加热冷却器的温度；第二温度传感器，测定所述第二加热冷却器的温度；以及控制部，基于所述第一温度传感器的测定结果以及第二温度传感器的测定结果，将所述第一加热冷却器的温度与所述第二加热冷却器的温度设定为相同的值。3.根据权利要求1所述的半导体激光检查装置，其特征在于，还具备：第一温度传感器，测定所述第二加热冷却器的温度；第二温度传感器，测定所述测定用探头的温度；以及控制部，在将所述第一加热冷却器和所述第二加热冷却器设定为温度T的状态下将从所述第一温度传感器的测定温度减去所述第二温度传感器的测定温度而得的值设为α，将所述第一加热冷却器的温度设定为T，将所述第二加热冷却器的温度设定为T+α。4.根据权利要求1所述的半导体激光检查装置，其特征在于，还具备：波长计，测定所述半导体激光元件的出射光的波长；和控制部，求解在相对于所述第一加热冷却器的设定温度改变了所述第二加热冷却器的温度的情况下抵接所述测定用探头时的所述半导体激光元件的出射光的所述波长的时间变动变得极小的温度，并将所述第二加热冷却器设定为求解出的该温度。5.一种半导体激光检查装置，其特征在于，具备：金属板，载置半导体激光元件；加热冷却器；探头支架，安装于所述加热冷却器之上；测定用探头，固定于所述探头支架的末端；微动台，使所述加热冷却器以及所述探头支架移动而使所述测定用探头的末端与所述半导体激光元件抵接；检查装置，经由所述测定用探头向所述半导体激光元件输入检查信号；以及弹簧，一端与所述金属板的上表面连接，另一端与所述探头支架的下表面连接，而将所述金属板与所述探头支架热耦合。
6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：见上洋平，深尾哲宏，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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