一种电缆用无损探伤检测控制器制造技术

本发明专利技术属于电缆技术领域，公开了一种电缆用无损探伤检测控制器，包括NMOS管Q1、电阻R10、运算放大器U1A、电阻R3、电阻R5、数字电位器R1、电阻R10、运算放大器U2A、运算放大器U3A、NMOS管Q3、电阻R9、三极管Q2、电阻R14、电容C1、运算放大器U5A、运算放大器U4A、NMOS管Q7、NMOS管Q6、电阻R17、电阻R19、电阻R16、电阻R15、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q8。本发明专利技术对使用在电缆参数不固定的场景提供脉冲反射法检测口，并且可以根据电缆长度对检测信号进行自动调节，防止电缆阻抗和脉冲输出的阻抗不匹配导致的失真和发射脉冲和反射脉冲的波形重叠问题。真和发射脉冲和反射脉冲的波形重叠问题。真和发射脉冲和反射脉冲的波形重叠问题。

【技术实现步骤摘要】
一种电缆用无损探伤检测控制器


[0001]本专利技术属于电缆
，尤其涉及一种电缆用无损探伤检测控制器。

技术介绍

[0002]电缆用无损探伤检测控制器是用来检测电缆中可能存在的缺陷和故障，以保障电缆的正常运行和安全使用。它可以通过非接触式探测技术，检测电缆中可能存在的断裂、腐蚀、氧化、疲劳等缺陷，从而及早发现问题并进行修复。电缆用无损探伤检测控制器通常包括传感器、信号处理器、控制器等。
[0003]公开号CN115902714A的中国专利公开了一种电缆连接点的检测电路及装置，可以检测出电缆连接点是否处于导通状态，进而确定是否出现焊接故障。但采用阻值测算的方式会受到电缆长度、焊接点等影响使阻值变化，在对不同电缆进行检测时，需要调整阈值信号，较依赖于电缆参数，并且该故障检测方法无法提供计算信号。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提出了一种电缆用无损探伤检测控制器，包括NMOS管Q1、电阻R10、运算放大器U1A、电阻R3、电阻R5、数字电位器R1、运算放大器U2A、运算放大器U3A、NMOS管Q3、电阻R9、三极管Q2、电阻R14、电容C1、运算放大器U5A、运算放大器U4A、NMOS管Q7、NMOS管Q6、电阻R17、电阻R19、电阻R16、三极管Q4、三极管Q5；其中NMOS管Q1的栅极连接运算放大器U2A的输出端，源极连接电阻R10的一端，漏极连接电源；运算放大器U1A的同相端分别连接电阻R5的一端、IN2接口、电阻R3的一端；电阻R5的另一端连接IN1接口；电阻R3的另一端接地；运算放大器U1A的反相端分别连接数字电位器R1、电阻R4的一端；运算放大器U1A的输出端分别连接运算放大器U2A的同相端、电阻R4的另一端、运算放大器U3A的反相端；电阻R4的另一端分别连接运算放大器U3A的反相端、运算放大器U2A的同相端、运算放大器U1A的输出端；运算放大器U2A的反相端连接运算放大器U5A的反相端；运算放大器U2A的同相端还分别连接电阻R4的另一端、运算放大器U3A的反相端；运算放大器U3A的同相端连接运算放大器U4A的同相端，运算放大器U3A的输出端连接NMOS管Q3的栅极，NMOS管Q3的漏极分别连接NMOS管Q1的漏极，NMOS管Q7的漏极；运算放大器U5A的输出端连接NMOS管Q7的栅极，运算放大器U4A的输出端连接NMOS管Q6的栅极，NMOS管Q7的源极分别连接三极管Q4的基极、三极管Q5的集电极；NMOS管Q6的源极连接三极管Q5；NMOS管Q1的源极分别连接电阻R10的一端、NMOS管Q3的源极，电阻R10的另一端接地。
[0005]进一步地，还包括电阻R15，电阻R15的一端连接电源，另一端连接电阻R16的一端，电阻R16的另一端分别连接NMOS管Q6的源极，三极管Q5的基极，三极管Q4的集电极。
[0006]进一步地，还包括三极管Q8、电阻R21、电阻R22，三极管Q8的集电极分别连接信号端子P3、电阻R22的一端，发射极分别连接信号端子P2、电阻R21的一端，电阻R21的另一端接地；电阻R22的另一端接地。
[0007]进一步地，还包括发光二极管U6、三极管U7，发光二极管U6的正极分别连接电阻
R15的另一端、电阻R16的一端、三极管Q5的发射极，发光二极管U6的负极接地；三极管U7的集电极连接电阻R18的一端，发射极分别连接三极管Q8的集电极、信号端子P3、电阻R22的一端。
[0008]进一步地，还包括电阻R12；电阻R12的一端分别连接NMOS管Q1的栅极、信号端子P1、运算放大器U2A的输出端，另一端接地。
[0009]进一步地，还包括电阻R7，电阻R7的一端连接NMOS管Q1的漏极，另一端连接电源。
[0010]进一步地，还包括电阻R11、电阻R2、电阻R6；电阻R11的一端分别连接电阻R7的一端、电源，另一端分别连接电阻R2的一端、运算放大器U2A的反相端、运算放大器U5A的反相端，电阻R2的另一端分别连接电阻R6的一端、运算放大器U3A的同相端、运算放大器U4A的同相端，电阻R6的另一端接地。
[0011]进一步地，还包括电阻R8；电阻R8的一端连接电阻R7的一端，另一端接地。
[0012]本专利技术有益效果如下：对使用在电缆参数不固定的场景提供脉冲反射法检测口，并且可以根据电缆长度对检测信号进行自动调节，防止电缆阻抗和脉冲输出的阻抗不匹配导致的失真和发射脉冲和反射脉冲的波形重叠问题。
附图说明
[0013]图1本专利技术的电路原理图；图2本专利技术数字电位器电路接口图；图3脉冲反射法进行检测时的失真调节信号图。
具体实施方式
[0014]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明，但不以任何方式对本专利技术加以限制，基于本专利技术教导所作的任何变换或替换，均属于本专利技术的保护范围。
[0015]参考图1，本专利技术公开的电缆用无损探伤检测控制器包括NMOS管Q1、电阻R10、运算放大器U1A、电阻R3、电阻R5、数字电位器R1、运算放大器U2A、运算放大器U3A、NMOS管Q3、电阻R9、三极管Q2、电阻R14、电容C1、运算放大器U5A、运算放大器U4A、NMOS管Q7、NMOS管Q6、电阻R17、电阻R19、电阻R16、三极管Q4、三极管Q5；其中NMOS管Q1的栅极连接运算放大器U2A的输出端，源极连接电阻R10的一端，漏极连接电源；运算放大器U1A的同相端分别连接电阻R5的一端、检测电缆连接点IN2接口、电阻R3的一端；电阻R5的另一端连接时脉冲发射输入口IN1接口；电阻R3的另一端接地；运算放大器U1A的反相端分别连接数字电位器R1、电阻R4的一端；运算放大器U1A的输出端分别连接运算放大器U2A的同相端、电阻R4的另一端、运算放大器U3A的反相端；电阻R4的另一端分别连接运算放大器U3A的反相端、运算放大器U2A的同相端、运算放大器U1A的输出端；运算放大器U2A的反相端连接运算放大器U5A的反相端；运算放大器U2A的同相端还分别连接电阻R4的另一端、运算放大器U3A的反相端；运算放大器U3A的同相端连接运算放大器U4A的同相端，运算放大器U3A的输出端连接NMOS管Q3的栅极，NMOS管Q3的漏极分别连接NMOS管Q1的漏极、NMOS管Q7的漏极；运算放大器U5A的输出端连接NMOS管Q7的栅极，运算放大器U4A的输出端连接NMOS管Q6的栅极，NMOS管Q7的源极分别连接三极管Q4的基极、三极管Q5的集电
极；NMOS管Q6的源极连接三极管Q5的基极。NMOS管Q1的源极分别连接电阻R10的一端、NMOS管Q3的源极。电阻R10的另一端接地。
[0016]电阻R15的一端连接电源，另一端连接电阻R16的一端，电阻R16的另一端分别连接NMOS管Q6的源极，三极管Q5的基极，三极管Q4的集电极。
[0017]电缆用无损探伤检测控制器还包括三极管Q8、电阻R21、电阻R22.三极管Q8的集电极分别连接P3、电阻R22的一端，发射极分别连接P2、电阻R21的一端，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电缆用无损探伤检测控制器，其特征在于，包括NMOS管Q1、电阻R10、运算放大器U1A、电阻R3、电阻R5、数字电位器R1、运算放大器U2A、运算放大器U3A、NMOS管Q3、电阻R9、三极管Q2、电阻R14、电容C1、运算放大器U5A、运算放大器U4A、NMOS管Q7、NMOS管Q6、电阻R17、电阻R19、电阻R16、三极管Q4、三极管Q5；其中NMOS管Q1的栅极连接运算放大器U2A的输出端，源极连接电阻R10的一端，漏极连接电源；运算放大器U1A的同相端分别连接电阻R5的一端、检测电缆连接点IN2接口、电阻R3的一端；电阻R5的另一端连接时脉冲发射输入口IN1接口；电阻R3的另一端接地；运算放大器U1A的反相端分别连接数字电位器R1、电阻R4的一端；运算放大器U1A的输出端分别连接运算放大器U2A的同相端、电阻R4的另一端、运算放大器U3A的反相端；电阻R4的另一端分别连接运算放大器U3A的反相端、运算放大器U2A的同相端、运算放大器U1A的输出端；运算放大器U2A的反相端连接运算放大器U5A的反相端；运算放大器U2A的同相端还分别连接电阻R4的另一端、运算放大器U3A的反相端；运算放大器U3A的同相端连接运算放大器U4A的同相端，运算放大器U3A的输出端连接NMOS管Q3的栅极，NMOS管Q3的漏极分别连接NMOS管Q1的漏极，NMOS管Q7的漏极；运算放大器U5A的输出端连接NMOS管Q7的栅极，运算放大器U4A的输出端连接NMOS管Q6的栅极，NMOS管Q7的源极分别连接三极管Q4的基极、三极管Q5的集电极；NMOS管Q6的源极连接三极管Q5；NMOS管Q1的源极分别连接电阻R10的一端、NMOS管Q3的源极，电阻R10的另一端接地。2.根据权利要求1所述的一种电缆用无损探伤检测控制器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘聃，刘江舟，何志坚，
申请(专利权)人：湖南腾方中科科技有限公司，
类型：发明
国别省市：