半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具备第一半导体元件、第一连接部件以及第一部件。上述第一半导体元件具有在厚度方向上相互朝向相反的一侧的第一元件主面及第一元件背面。另外，上述第一半导体元件具有配置于上述第一元件主面的第一电极。上述第一连接部件与上述第一电极导通。上述第一部件在上述厚度方向观察时与上述第一电极重叠，维氏硬度比上述第一连接部件的维氏硬度小，而且具有导电性。且具有导电性。且具有导电性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]以往，在半导体元件的电极连接有由Al(铝)构成的丝线。近年来，使用了以SiC(碳化硅)为主的半导体材料的功率半导体元件得到开发。在这种功率半导体元件中，由于流向电极的电流密度较高，在电极接合有由Cu构成的引线部件、由Cu构成的丝线来代替由Al构成的丝线。另外，在接合有由Cu构成的丝线的情况下，在电极接合有由Cu构成的板部件作为缓冲件。也就是，在这种功率半导体元件中，在电极接合有由Cu构成的连接部件。在专利文献1中，公开了一种半导体装置，其使用烧结金属来作为在半导体元件的电极接合连接部件的接合材料。在专利文献1中，在半导体元件与作为连接部件的卡夹之间配置烧结用金属材料(能够烧结的银膜)，并进行烧结处理，由此将烧结用金属材料作为烧结金属(烧结银)，将卡夹接合于半导体元件。在该烧结处理中，通过用加压部件将卡夹按压于半导体元件，来利用该按压力对烧结用金属材料进行加压。然后，在加压的状态下，进行烧结用金属材料的加热处理。
[0003]在多个半导体元件搭载于一个半导体装置的情况下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一半导体元件，其具有在厚度方向上相互朝向相反的一侧的第一元件主面及第一元件背面、以及配置于上述第一元件主面的第一电极；第一连接部件，其与上述第一电极导通；以及第一部件，其在上述厚度方向观察时与上述第一电极重叠，维氏硬度比上述第一连接部件的维氏硬度小，而且具有导电性。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第一部件在上述厚度方向观察时具有外形线呈曲线状鼓出的部分。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，上述第一部件的维氏硬度比Cu的维氏硬度小。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述第一部件的维氏硬度为50HV以下且1HV以上。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，上述第一部件由Al构成。6.根据权利要求1至5任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述第一部件介于上述第一电极与上述第一连接部件之间。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还具备导电性接合层，该导电性接合层介于上述第一部件与上述第一电极之间。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，上述导电性接合层由烧结金属构成。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，上述烧结金属是烧结银。10.根据权利要求6至9任一项中所述的半导体装置，其特征在于，还具备镀敷层，该镀敷层介于上述第一部件与上述第一电极之间，而且与上述第一部件相接。11.根据权利要求6至10任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述第一部件具备：在上述厚度方向观察时与上述第一连接部件重叠的第一部；以及与上述第一部连接且在上述厚度方向观察时从上述第一连接部件突出的第二部。12.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚拓一，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：