存储控制器、操作存储控制器和存储装置的方法制造方法及图纸

公开了一种与主机和非易失性存储器装置通信的存储控制器、一种操作该存储控制器的方法、以及一种操作存储装置的方法。操作该存储控制器的方法包括：从主机接收装置打开的第一状态转变请求；响应于第一状态转变请求而执行非易失性存储器装置的第一活动区刷新操作，使得在紧接的前一断电之前具有活动状态的区在一个块中被处理为顺序可写状态；根据第一写请求通过第一缓冲存储器从主机接收要存储在多个区当中的第一区的第一块中的第一目标数据；在处理第一写请求期间从主机接收第一断电请求；以及将第一目标数据存储在非易失性存储器装置的第一失电保护(PLP)块中。装置的第一失电保护(PLP)块中。装置的第一失电保护(PLP)块中。

【技术实现步骤摘要】
存储控制器、操作存储控制器和存储装置的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2022年1月26日提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0011577和于2022年5月17日提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0060256的优先权，该两件申请中的每一个的公开内容整体以引用方式并入本文中。


[0003]本文所描述的本公开的实施例涉及存储控制器，更具体地，涉及一种执行活动区刷新操作的存储控制器、操作该存储控制器的方法和操作包括该存储控制器的存储装置的方法。

技术介绍

[0004]存储器装置响应于写请求而存储数据，并且响应于读请求而输出存储在其中的数据。例如，存储器装置可被分类为当供电中断时丢失存储在其中的数据的易失性存储器装置(诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置或静态RAM(SRAM)装置)、或者即使当供电中断时也保留存储在其中的数据的非易失性存储器装置(诸如闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种操作存储控制器的方法，所述存储控制器被配置为与主机和非易失性存储器装置通信，所述方法包括：从所述主机接收装置打开的第一状态转变请求；响应于所述第一状态转变请求而执行所述非易失性存储器装置的第一活动区刷新操作，使得所述非易失性存储器装置的多个区当中的并且在紧接的前一断电之前具有活动状态的至少一个区在至少一个块中被处理为顺序可写状态；基于在执行所述第一活动区刷新操作之后从所述主机接收的第一写请求，通过第一缓冲存储器接收要存储在所述多个区当中的第一区的第一块中的第一目标数据；在所述第一写请求完成之前从所述主机接收第一断电请求；以及基于所述第一断电请求，将所述第一目标数据存储在所述非易失性存储器装置的第一失电保护块中，而不是存储在所述第一块中。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一失电保护块具有高于所述第一块的可靠性。3.根据权利要求1所述的方法，其中，存储在所述第一块中的用户数据包括在逻辑上和在物理上顺序的多个编程单元，并且其中，所述多个编程单元中的最后编程单元的逻辑块地址是紧接在所述第一目标数据的逻辑块地址之前的地址。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：基于在执行所述第一活动区刷新操作之后从所述主机接收的第二写请求，通过第二缓冲存储器接收要存储在所述多个区当中的第二区的第二块中的第二目标数据；以及基于所述第一断电请求，将所述第二目标数据存储在所述非易失性存储器装置的第二失电保护块中，而不是存储在所述第二块中，其中，在所述第一写请求和所述第二写请求完成之前接收所述第一断电请求。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在将所述第一目标数据存储在所述失电保护块中之后完成所述第一断电请求；在所述第一断电请求完成之后从所述主机接收所述装置打开的第二状态转变请求；响应于所述第二状态转变请求而执行所述非易失性存储器装置的第二活动区刷新操作，使得在所述第一断电请求完成之前具有所述活动状态的所述第一区在新分配的第三块中被处理为顺序可写状态；以及基于在执行所述第二活动区刷新操作之后从所述主机接收的第三写请求，通过所述第一缓冲存储器接收要存储在所述第三块中的第三目标数据。6.根据权利要求5所述的方法，还包括：基于从所述主机接收的第三写请求通过所述第一缓冲存储器接收要存储在所述第三块中的第四目标数据，其中，所述第四目标数据与所述第三目标数据是顺序的，并且所述第一缓冲存储器填充有所述第三目标数据和所述第四目标数据；以及将所述第一缓冲存储器的所述第三目标数据和所述第四目标数据顺序地存储在所述第三块中。7.根据权利要求5所述的方法，还包括：在所述第三写请求完成之前，从所述主机接收第二断电请求；以及
基于所述第二断电请求将所述第三目标数据存储在所述非易失性存储器装置的第三失电保护块中，而不是存储在所述第三块中。8.根据权利要求5所述的方法，其中，响应于所述第二状态转变请求执行所述非易失性存储器装置的第二活动区刷新操作包括：在所述第一断电请求完成之前确定所述第一区是否具有所述活动状态；当在所述第一断电请求的处理完成之前确定所述第一区具有所述活动状态时，分配所述第一区的第三块；将所述第一区的第一块的用户数据复制到所述第三块；以及使用写指针，紧接在复制所述第三块的用户数据之后，复制所述第一失电保护块的第一目标数据，并且其中，所述第三目标数据的逻辑块地址紧接在复制的第一目标数据的逻辑块地址之后。9.根据权利要求8所述的方法，还包括：在将所述第一块的用户数据复制到所述第三块之后，丢弃所述第一块。10.根据权利要求1所述的方法，其中，响应于所述第一状态转变请求执行所述非易失性存储器装置的第一活动区刷新操作包括：响应于所述第一状态转变请求将区识别号设定为初始值；确定所述多个区当中的与设定的区识别号对应的区在所述紧接的前一断电之前是否具有所述活动状态；当确定对应的区在...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙敏植，金炫九，朴埈奭，金琇焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：