辐射粒子撞击检测制造技术

本发明专利技术的名称是辐射粒子撞击检测。公开了一种辐射粒子撞击检测系统(100)。辐射粒子撞击检测系统(100)包括辐射粒子检测器(102)和耦合到辐射粒子检测器(102)的控制器(110)。辐射粒子检测器(102)覆盖在对与辐射粒子的相互作用敏感的有效载荷(104)的至少一个表面上。辐射粒子检测器(102)配置为响应于辐射粒子检测器(102)上的位置处辐射粒子撞击而经历状态变化。控制器(110)配置为1)监测辐射粒子检测器(102)的状态；2)基于辐射粒子检测器(102)的状态变化检测辐射粒子检测器(102)上的辐射粒子撞击；和3)基于粒子检测器(102)的状态变化确定在辐射粒子检测器(102)上的辐射粒子撞击的位置。的位置。

【技术实现步骤摘要】
辐射粒子撞击检测


[0001]本公开内容一般地涉及辐射检测领域，并且更具体地涉及实时检测电子电路或其他有效载荷上的辐射粒子撞击的位置。

技术介绍

[0002]有效载荷上的辐射粒子撞击可以采取多种形式。可能撞击有效载荷或以其他方式与有效载荷相互作用的不同类型辐射粒子的非限制性实例包括重离子、α粒子、低能和高能质子发射以及闪光X射线。在许多情况下，辐射粒子撞击会对有效载荷的运行产生负面影响。电子电路和微机械设备是可能受到辐射粒子撞击负面影响的有效载荷的非限制性实例。在辐射粒子撞击电子电路的一个实例中，在辐射粒子撞击时由电子电路处理的信号可能会被损坏。损坏的信号可导致数据错误和/或电子电路的不正确处理。

技术实现思路

[0003]公开了一种辐射粒子撞击检测系统。辐射粒子撞击检测系统包括辐射粒子检测器和耦合到辐射粒子检测器的控制器。辐射粒子检测器覆盖在对与辐射粒子的相互作用敏感的有效载荷的至少一个表面上。辐射粒子检测器配置为响应于在辐射粒子检测器上的位置处辐射粒子撞击而经历状态变化。控制器配置为1)监测辐射粒子检测器的状态；2)基于辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种辐射粒子撞击检测系统(100)，其包括：辐射粒子检测器(102)，其覆盖在对与辐射粒子的相互作用敏感的有效载荷(104)的至少一个表面上，所述辐射粒子检测器(102)配置为响应于在所述辐射粒子检测器(102)上的位置处辐射粒子撞击而经历状态变化；和控制器(110)，其耦合到所述辐射粒子检测器(102)并且配置为：监测所述辐射粒子检测器(102)的状态；基于所述辐射粒子检测器(102)的状态变化检测在所述辐射粒子检测器(102)上的辐射粒子撞击(400)；和基于所述粒子检测器(102)的状态变化确定在所述辐射粒子检测器(102)上的所述辐射粒子撞击(400)的位置和时间。2.根据权利要求1所述的辐射粒子撞击检测系统，其中所述控制器(110)配置为输出辐射粒子撞击数据，其指示所述辐射粒子撞击的发生和在所述辐射粒子检测器(102)上的所述辐射粒子撞击的位置。3.根据权利要求1或2所述的辐射粒子撞击检测系统，其中所述辐射粒子检测器(102)包括二维连续表面结构(300)。4.根据权利要求3所述的辐射粒子撞击检测系统，其中所述二维连续表面结构(300)包括范德堡半导体电阻器结构(300)，其包括配置为测量电阻的多个端子(304)，并且其中基于预期电阻和经由所述多个端子(304)测量的电阻之间的差异确定在所述范德堡半导体电阻器结构(300)上的所述辐射粒子撞击的位置。5.根据权利要求4所述的辐射粒子撞击检测系统，其中预期电阻和测量电阻之间的差异与所述范德堡半导体电阻器结构(300)上的所述辐射粒子撞击的位置和所述多个端子(304)中的端子(304)的位置之间的距离相关联。6.根据权利要求3所述的辐射粒子撞击检测系统，其中所述二维连续表面结构包括反向偏置的p
‑
n结。7.根据权利要求1所述的辐射粒子撞击检测系统，其中所述辐射粒子检测器(102)包括二维网格结构(502)，所述二维网格结构(502)包括多个存储部件(504)，每个存储部件(504)配置为存储基于在所述存储部件(504)处发生的辐射粒子撞击而变化的参数值。8.根据权利要求7所述的辐射粒子撞击检测系统，其中所述多个存储部件(504)中的每个配置为使得在所述存储部件(504)处发生辐射粒子撞击后过去指定的持续时间之后，所述参数值改变回默认值。9.根据权利要求7所述的辐射粒子撞击检测系统，其中所述多个存储部件(504)包括多个存储单元，并且其中所述控制器(110)配置为对存储在所述多个存储部件(504)中的参数值周期性地采样以监测所述辐射粒子检测器(102)的状态。10.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：波音公司，
类型：发明
国别省市：