一种电致变色器件的分割线的制作方法技术

一种电致变色器件的分割线的制作方法，包括以下步骤，选取玻璃基板；切割玻璃基板至设定的外形；通过磁控溅射在切割后的玻璃基板上镀膜，使玻璃基板的正面和侧面均镀上反射膜；其特征在于：在镀膜后的玻璃基板正面进行反射膜切割，将位于玻璃基板正面的反射膜切割为相互独立的两片反射膜层，同时，保留位于玻璃基板侧面的反射膜，使位于玻璃基板侧面的反射膜仍为整体结构。本发明专利技术的优点在于：提高加工效率，适合规模化生产，同时侧面的反射膜能弱导通，产生局部短接情况，利于内部电子的平衡，从而缓解电致变色液体长时间通电的变色材料的迁徙现象。迁徙现象。迁徙现象。

【技术实现步骤摘要】
一种电致变色器件的分割线的制作方法


[0001]本专利技术涉及一种电致变色器件制作
，尤其指一种电致变色器件的分割线的制作方法。

技术介绍

[0002]现有一种申请号为CN201710174405.0名称为《汽车半反半透型电致变色内后视镜用第三面金属膜》的中国专利技术专利申请公开了一种汽车半反半透型电致变色内后视镜用第三面金属膜，其包括依次设置的打底层、导电及反射层和保护层，其中打底层的材料为NiCr，导电及反射层的材料为Ag，保护层的材料为Cr。其中打底层厚度20～100nm；导电及反射层厚度10～100nm；保护层厚度5～20nm；该专利技术通过选择成本更低的金属膜，可以将汽车电致变色内后视镜用第三面金属膜玻璃在保证电阻的前提下，将反射率控制在70％左右；提升膜层的附着力；避免膜层的硫化、氧化，保证电致变色成品的变色性能。
[0003]这种金属膜的制作方法为，利用磁控溅射镀膜的方法，依次在玻璃基板上镀NiCr层、Ag层和Cr层；且均在真空条件下完成，磁控溅射镀膜时用氩气作为工作气体。镀膜后将玻璃基板切割为设定的电致变色器件对应外形尺寸即可。然而，这种制作方法切割下来的玻璃基板数量较多，造成基板和镀膜材料浪费量很大，又较难回收复用，如果是规模化生产，不利于成本控制，还有一种制作方法为，采用小片的玻璃基板，将小片的玻璃基板设定为需要的尺寸，再进行磁控溅射镀膜操作，这样能节约原材料，但这种制作方法会导致玻璃基板的侧边缘也镀上金属膜，此时为了避免短路就需要在金属膜的正面和侧面各进行一侧金属膜切割，将金属膜分隔为两片独立的导电膜，这样，大大降低了电致变色器件的制作效率，也不利于规模化生产，因此，该金属膜的制作方法还需要进一步改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术现状而提供一种制作效率高、能使电致变色材料导电效果好的电致变色器件的分割线的制作方法。
[0005]本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：本电致变色器件的分割线的制作方法，包括以下步骤，
[0006]一、选取用于制作电致变色器件的下层玻璃的玻璃基板；
[0007]二、将玻璃基板切割至设定的电致变色器件的下层玻璃的外形；
[0008]三、在切割后的玻璃基板上通过磁控溅射镀膜，使玻璃基板的正面和侧面均镀上能导电的反射膜；
[0009]其特征在于：在镀膜后的玻璃基板正面进行反射膜切割，将位于玻璃基板正面的反射膜切割为相互独立的两片反射膜层，同时，保留位于玻璃基板侧面的反射膜，使位于玻璃基板侧面的反射膜仍为整体结构。
[0010]作为改进，步骤二中，切割后的下层玻璃的四个角可优选均为圆角，且切割后的下层玻璃的一条边可优选为弧形边。
[0011]作为改进，在步骤三中通过磁控溅射镀膜的具体步骤可优选为，
[0012]A、在所述玻璃基板上磁控溅射镀反射吸收层；
[0013]B、在镀有反射吸收层的玻璃基板上磁控溅射镀折射层；
[0014]C、在镀有折射层的玻璃基板上镀ITO膜层；
[0015]上述步骤A、步骤B和步骤C均在真空条件下完成。
[0016]进一步改进，所述反射吸收层可优选由金属铬、铬镍合金、硅铝合金、铟锡合金中的一种或多种制作而成。
[0017]进一步改进，所述折射层可优选包括N层依次叠合的组合折射层，每一层组合折射层包括依次叠合的低折射层和高折射层，N层组合折射层叠合后的反射率为60～80％，所述N为大于1的自然数。
[0018]进一步改进，所述高折射层可优选由Nb2O5、TiO2、Si3N4中的一种或几种制作而成，所述低折射层由SiO2制作而成。
[0019]进一步改进，磁控溅射镀膜时在真空环境中可优选填充氩气作为保护气体。
[0020]作为改进，反射膜切割的具体操作可优选为，从弧形边上的一点出发沿底部边沿方向并与底部边沿保持相同距离一直至弧形边的相对边上的一点为止，切割的起始点靠近底部边沿。
[0021]进一步改进，反射膜的切割线可优选通过激光打标机的激光一次性切割制成。
[0022]进一步改进，切割线与底部边沿之间保持的相同距离可优选为3mm。
[0023]与现有技术相比，本专利技术的优点在于：在小片玻璃基板上通过磁控溅射镀膜，镀膜后再通过激光打标切割反射膜，相比于第一种现有技术，即在大片玻璃基板上镀膜后切割，能显著地节省镀膜材料和玻璃基板的使用，降低制作成本，而相比于第二种现有技术，即在小片玻璃基板上镀膜后分两次切割玻璃基板正面和侧面的反射膜，能省略一次反射膜切割，简化反射膜分割工艺，有效提高切割线的制作效率，从而提高电致变色器件的制作效率，利于规模化生产；同时保留的侧部反射膜，由于未被切割开，因此仍处于可相互导通状态，形成弱导通效果，正因为该侧部的弱导通膜层的存在，在电致变色器件长时间通电过程中，能产生局部短接情况，利于内部电子的平衡，从而缓解电致变色液体长时间通电的变色材料的迁徙现象，改善电致变色材料导电效果，延长电致变色器件的使用寿命。
附图说明
[0024]图1为本专利技术实施例的切割线位置示意图；
[0025]图2为图1的立体图；
[0026]图3是图1中沿A
‑
A线的剖面图；
[0027]图4是图2中I部分的放大图；
[0028]图5是图3中II部分的放大图。
具体实施方式
[0029]以下结合附图实施例对本专利技术作进一步详细描述。
[0030]如图1至图5所示，本实施例的电致变色器件的分割线的制作方法，包括以下步骤，
[0031]一、选取用于制作电致变色器件的下层玻璃1的玻璃基板；
[0032]二、将玻璃基板切割至设定的电致变色器件的下层玻璃1的外形；切割后的下层玻璃1的四个角均为圆角，且切割后的下层玻璃1的一条边为弧形边11。
[0033]三、在切割后的玻璃基板上通过磁控溅射镀膜，使玻璃基板的正面和侧面均镀上能导电的反射膜；通过磁控溅射镀膜的具体步骤为，先在所述玻璃基板上磁控溅射镀反射吸收层2；然后在镀有反射吸收层2的玻璃基板上磁控溅射镀折射层3；最后在镀有折射层3的玻璃基板上镀ITO膜层4；上述三个步骤均在真空条件下完成。所述反射吸收层2由金属铬、铬镍合金、硅铝合金、铟锡合金中的一种或多种制作而成。所述折射层3包括N层依次叠合的组合折射层，每一层组合折射层包括依次叠合的低折射层和高折射层，N层组合折射层叠合后的反射率为60～80％，所述N为大于1的自然数。所述高折射层由Nb2O5、TiO2、Si3N4中的一种或几种制作而成，所述低折射层由SiO2制作而成。磁控溅射镀膜时在真空环境中填充氩气作为保护气体。
[0034]在镀膜后的玻璃基板正面进行反射膜切割，将位于玻璃基板正面的反射膜切割为相互独立的两片反射膜层，即图1中第一膜层401和第二膜层402，同时，保留位于玻璃基板侧面的反射膜，使位于玻璃基板侧面的反射膜仍为整体结构，即图4中侧面膜层403，由于侧面膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致变色器件的分割线的制作方法，包括以下步骤，一、选取用于制作电致变色器件的下层玻璃(1)的玻璃基板；二、将玻璃基板切割至设定的电致变色器件的下层玻璃(1)的外形；三、在切割后的玻璃基板上通过磁控溅射镀膜，使玻璃基板的正面和侧面均镀上能导电的反射膜；其特征在于：在镀膜后的玻璃基板正面进行反射膜切割，将位于玻璃基板正面的反射膜切割为相互独立的两片反射膜层，同时，保留位于玻璃基板侧面的反射膜，使位于玻璃基板侧面的反射膜仍为整体结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在步骤二中，切割后的下层玻璃(1)的四个角均为圆角，且切割后的下层玻璃(1)的一条边为弧形边(11)。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在步骤三中通过磁控溅射镀膜的具体步骤为，A、在所述玻璃基板上磁控溅射镀反射吸收层(2)；B、在镀有反射吸收层(2)的玻璃基板上磁控溅射镀折射层(3)；C、在镀有折射层(3)的玻璃基板上镀ITO膜层(4)；上述步骤A、步骤B和步骤C均在真空条件下完成。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述反射吸收层(2)由金...

【专利技术属性】
技术研发人员：林邦，
申请(专利权)人：扬州晶彩光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：