一种倒装高压芯片的漏电定位方法及系统技术方案

本申请提供一种倒装高压芯片的漏电定位方法及系统，所述方法可以在目标倒装高压芯片中定位失效单晶，其中，目标倒装高压芯片包括多个发光单晶，失效单晶为存在漏电的发光单晶。并对正常单晶执行短路处理，以及向执行短路处理后的目标倒装高压芯片施加测试电压，以定位失效单晶的漏电位置，其中，正常单晶为目标倒装高压芯片上除失效单晶以外的发光单晶。所述方法采用破坏性方式，对倒装高压芯片中的失效单晶进行漏电分析，通过定位多晶串中的失效单晶，并对倒装高压芯片进行短路处理，使失效单晶以外的单晶均短路，进而实现定位漏电失效点，提高芯片漏电位置定位的准确性。提高芯片漏电位置定位的准确性。提高芯片漏电位置定位的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装高压芯片的漏电定位方法及系统


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种倒装高压芯片的漏电定位方法及系统。

技术介绍

[0002]LED芯片是一种固态的半导体器件，其具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。随着行业的不断发展，高压(High Voltage，HV)LED芯片备受关注，高压LED芯片可以减小封装成本，减少元件数和焊点数，提升芯片可靠性。同时高压芯片电流小、电压高，无需大幅度的进行电压转换，使得变压损耗小，并且驱动设计简单，散热要求低。为了提高发光效率，还设置倒装结构的高压芯片，倒装结构的芯片具有低热阻、免打线的优势。
[0003]在芯片研制、生产和使用过程中可能会存在失效芯片，其中，漏电是造成芯片失效的主要原因之一。为了对芯片的失效机理进行分析，需要定位失效芯片漏电的具体位置。对于正装高压芯片，可以采取探针的方式对失效单晶进行点测分析，使用金属探针刺穿高压芯片电极表面的钝化层，并施加测试电压，进而通过微光显微镜(Emission Microsc本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装高压芯片的漏电定位方法，其特征在于，包括：在目标倒装高压芯片中定位失效单晶，所述目标倒装高压芯片包括多个发光单晶，所述失效单晶为存在漏电的发光单晶；对正常单晶执行短路处理，以及向执行短路处理后的所述目标倒装高压芯片施加测试电压，以定位所述失效单晶的漏电位置，所述正常单晶为所述目标倒装高压芯片上除所述失效单晶以外的发光单晶。2.根据权利要求1所述的漏电定位方法，其特征在于，在目标倒装高压芯片中定位失效单晶的步骤，包括：检测每个所述发光单晶的近场光源的光度值；对比所述光度值和光度阈值；如果所述光度值小于所述光度阈值，标记所述发光单晶为失效单晶。3.根据权利要求1所述的漏电定位方法，其特征在于，所述发光单晶包括钝化层和位于所述钝化层下的电极层，对正常单晶执行短路处理的步骤，包括：切割所述正常单晶的钝化层，以形成切割区域；向所述切割区域内填充金属层，以通过所述金属层连接所述电极层的两极。4.根据权利要求3所述的漏电定位方法，其特征在于，切割所述正常单晶的钝化层的步骤，包括：基于激光束灼烧除所述正常单晶的钝化层。5.根据权利要求3所述的漏电定位方法，其特征在于，切割所述正常单晶的钝化层的步骤，包括：基于聚焦离子束切割所述正常单晶的钝化层。6.根据权利要求1所述的漏电定位方法，其特征在于，定位所述失效单晶的漏电位置的步骤，包括：基于微光显微镜侦测施加测试电压后所述失效单晶产生的光子，以生成信号图，所述光子为所述失效单晶漏电位置发出的光子；根...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文光，樊明军，褚志强，曹玉飞，张振，赵方方，马璐，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：