一种太阳能电池硅片涡流传感器制造技术

本发明专利技术提出了一种太阳能电池硅片涡流传感器，涉及涡流传感器技术领域；包括单片机以及和单片机连接的红外测温仪和探头检测组件；单片机，用于获取传感器探头温度和待测电池硅片的目标温度，以及待测电池硅片的多个第一方阻，还用于根据传感器探头温度和传感器探头温度对应的预置探头温度补偿模型对每个第一方阻进行修正，获得与各个第一方阻对应的第二方阻，并根据目标温度和目标温度对应的预置硅片温度补偿模型对每个第二方阻进行修正，获得与各个第二方阻对应的第三方阻，并计算各个第三方阻的平均值，得到对应的目标方阻；能够准确测出探头温度与目标温度两类温度,并各自分别进行补偿,解决方阻的测量值在生产线上重复性差的问题。差的问题。差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池硅片涡流传感器


[0001]本专利技术涉及涡流传感器
，具体而言，涉及一种太阳能电池硅片涡流传感器。

技术介绍

[0002]目前太阳能电池片生产中，判定扩散是否优良均是通过测试硅片表面的方阻来体现，方块电阻(方阻)检测能够监测离子注入的深度、浓度与表面分布均匀性，对太阳电池生产有重要的作用，方阻的测量主要分为接触式四点探针(4PP)以及非接触式电涡流两大类；电涡流传感器是基于电磁感应原理，利用电涡流效应来快速非接触式的测量被测太阳能电池硅片的方阻，但由于探头制作工艺的问题，其线圈电感量的变化并不与方阻值成线性，探头温度的变化对电感量有较大的影响,同时目标硅片温度对测量结果有较大的影响(以23℃电阻率为1Ω.cm为例,硅片变化5度时,变化率为3.65％)；现有的涡流传感器温度补偿技术如CN109470931A，进行了探头温度和环境温度两类温度来补偿,通过CPU自带的温度传感器测量出环境温度,但并未考虑到流水线现场目标硅片温度与环境温度并不相同，有时相差甚大的实际情况，导致方阻的测量值在生产线上重复性差的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池硅片涡流传感器，能够准确测出探头温度与目标温度两类温度,并各自分别进行补偿,解决方阻的测量值在生产线上重复性差的问题。
[0004]本专利技术的实施例是这样实现的：
[0005]本申请实施例提供了一种太阳能电池硅片涡流传感器，包括单片机以及和单片机连接的红外测温仪和探头检测组件；
[0006]红外测温仪，用于监测待测电池硅片的目标温度，并将目标温度传输至单片机，待测电池硅片为太阳能电池硅片；
[0007]探头检测组件，用于监测获得传感器探头温度和第一方阻，并将传感器探头温度和第一方阻传输至单片机；
[0008]单片机，用于获得传感器探头温度、待测电池硅片的目标温度以及待测电池硅片的多个第一方阻，根据传感器探头温度和传感器探头温度对应的预置探头温度补偿模型对每个第一方阻进行修正，得到多个第二方阻，并根据目标温度和目标温度对应的预置硅片温度补偿模型对每个第二方阻进行修正，得到多个第三方阻，并计算各个第三方阻的平均值，得到目标方阻。
[0009]本专利技术的有益效果是：通过红外测温仪获得待测电池硅片的目标温度，再通过探头检测组件获得涡流传感器探头的传感器探头温度，最后通过目标温度和传感器探头温度对探头检测组件获得的待测电池硅片的方阻进行修正，一方面，达到监测电池硅片方阻的目的，另一方面，通过目标温度和传感器探头温度对方阻的修正，达到提高整体装置精度的
目的。
[0010]在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。
[0011]进一步，上述探头检测组件包括温度监测电路和方阻监测电路；
[0012]温度监测电路，用于监测获得传感器探头温度，并将传感器探头温度传输至单片机；
[0013]方阻监测电路，用于监测获得多个第一方阻，并将多个第一方阻传输至单片机。
[0014]采用上述进一步方案的有益效果是：通过温度监测电路，以获得传感器探头温度，并实时的传输至单片机；通过方阻监测电路，实现获得第一方阻并将第一方阻传输至单片机。
[0015]进一步，上述温度监测电路包括RTD电阻和RTD电路，RTD电路还与单片机连接；
[0016]RTD电路包括处理器U2以及分别与处理器U2连接的电阻R18和电容C18，处理器U2的第8引脚、第10引脚、第11引脚和第12引脚均连接RTD电阻；处理器U2的第10引脚和第11引脚分别连接电容C18的两端，处理器U2的第4引脚和第5引脚连接电阻R18的一端，处理器U2的第6引脚和第7引脚连接电阻R18的另一端。
[0017]采用上述进一步方案的有益效果是：实现获得传感器探头温度，并实时的传输至单片机。
[0018]进一步，上述方阻监测电路包括方阻传感器头、方阻传感器信号处理电路和AD转换电路；
[0019]方阻传感器头，用于获得第一方阻对应的目标信号，并将目标信号传输至方阻传感器信号处理电路；
[0020]方阻传感器信号处理电路，用于接收目标信号，根据目标信号获得对应的目标模拟量信号，并将目标模拟量信号传输至AD转换电路；
[0021]AD转换电路，用于接收目标模拟量信号，将目标模拟量信号转化为目标数字量信号，并将目标数字量信号传输至单片机；
[0022]单片机，还用于接收的目标数字量信号，并根据目标数字量信号得到传感器探头温度。
[0023]采用上述进一步方案的有益效果是：使单片机获得数字量形式的目标数字量信号，最终通过单片机而获得第一方阻。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0025]图1为本专利技术实施例中单片机以及外围电路的连接示意图；
[0026]图2为本专利技术实施例中AD转换电路的连接示意图；
[0027]图3为本专利技术实施例中通讯电路的连接示意图；
[0028]图4为本专利技术实施例中RTD电路的连接示意图；
[0029]图5为本专利技术实施例中方阻传感器头的连接示意图；
[0030]图6为本专利技术实施例中方阻传感器信号处理电路的连接示意图；
[0031]图7为本专利技术实施例中电池硅片涡流传感器的连接示意图。
具体实施方式
[0032]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0033]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0035]实施例
[0036]本实施例提供一种太阳能电池硅片涡流传感器，包括单片机以及和单片机连接的红外测温仪和探头检测组件；
[0037]其中，通过红外测温仪获得待测电池硅片的目标温度，再通过探头检测组件获得涡流传感器探头的传感器探头温度，最后通过目标温度和传感器探头温度对探头检测组件获得的待测电池硅片的方阻进行修正，一方面，达到监测电池硅片方阻的目的，另一方面，通过目标温度和传感器探头温度对方阻的修正，达到提高整体装置精度的目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池硅片涡流传感器，其特征在于，包括单片机以及和所述单片机连接的红外测温仪和探头检测组件；所述红外测温仪，用于监测待测电池硅片的目标温度，并将所述目标温度传输至所述单片机，所述待测电池硅片为太阳能电池硅片；所述探头检测组件，用于监测获得传感器探头温度和第一方阻，并将所述传感器探头温度和所述第一方阻传输至所述单片机；所述单片机，用于获得所述传感器探头温度、所述待测电池硅片的目标温度以及所述待测电池硅片的多个第一方阻，根据所述传感器探头温度和所述传感器探头温度对应的预置探头温度补偿模型对每个所述第一方阻进行修正，得到多个第二方阻，并根据所述目标温度和目标温度对应的预置硅片温度补偿模型对每个所述第二方阻进行修正，得到多个第三方阻，并计算各个所述第三方阻的平均值，得到目标方阻。2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池硅片涡流传感器，其特征在于，所述探头检测组件包括温度监测电路和方阻监测电路；所述温度监测电路，用于监测获得传感器探头温度，并将所述传感器探头温度传输至所述单片机；所述方阻监测电路，用于监测获得多个第一方阻，并将多个所述第一方阻传输至所述单片机。3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池硅片涡流传感器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏明军，
申请(专利权)人：无锡研谱智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：