一种无源钳位结构、半桥电路、反激电路和集成MOS管制造技术

本发明专利技术公开了一种无源钳位结构、半桥电路、反激电路和集成MOS管，所述无源钳位结构包括：第一MOS管、第一电容、第一电阻和第一二极管；第一电阻的第一端与第一MOS管的源极连接，第二端与第一MOS管的栅极连接；第一电阻的第一端与第一电容的第一预设端连接，第二端与第一二极管的第二预设端连接；当第一MOS管为PMOS管时，第一预设端为第一电容的正极，第二预设端为第一二极管的负极；当第一MOS管为NMOS管时，第一预设端为第一电容的负极，第二预设端为第一二极管的正极；第一电阻的第三预设端与第一电容的第四预设端接地。本发明专利技术通过简单的电路结构实现无源钳位，在保证钳位效率的同时简化电路规模。的同时简化电路规模。的同时简化电路规模。

【技术实现步骤摘要】
一种无源钳位结构、半桥电路、反激电路和集成MOS管


[0001]本专利技术涉及电路设计
，特别是涉及一种无源钳位结构、半桥电路、反激电路和集成MOS管。

技术介绍

[0002]开关电源应用中，由于变压器漏感、寄生电感等原因，在开关管关断瞬间会产生很大的尖峰电压，使得开关管会承受较大的电压应力，甚至导致开关管器件损坏。因而在电路设计时候需要增加吸收电路或钳位电路。
[0003]吸收电路原理是吸收尖峰电压并通过电阻消耗从而降低效率，属于有损吸收。目前广泛应用的钳位电路为有源钳位电路。有源钳位电路在实际应用需要提供一种或两种的参考电源，电流结构较为复杂，且不同钳位电压的驱动时钟信号需要的参考电源也不一样，进而导致有源钳位电路的驱动电路需要部署多种参考电源，电路规模较大。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种无源钳位结构、半桥电路、反激电路和集成MOS管，通过简单的电路结构实现无源钳位，在保证钳位效率的同时简化电路规模。
[0005]第一方面，本申请提供了一种无源钳位结构，包括：第一MOS管、第一电容、第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无源钳位结构，其特征在于，包括：第一MOS管、第一电容、第一电阻和第一二极管；所述第一电阻的第一端与所述第一MOS管的源极连接；所述第一电阻的第二端与所述第一MOS管的栅极连接；所述第一电阻的第一端与所述第一电容的第一预设端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一二极管的第二预设端连接；其中，当所述第一MOS管为PMOS管时，所述第一预设端为所述第一电容的正极，所述第二预设端为所述第一二极管的负极；当所述第一MOS管为NMOS管时，所述第一预设端为所述第一电容的负极，所述第二预设端为所述第一二极管的正极；所述第一电阻的第三预设端与所述第一电容的第四预设端接地；其中，当所述第一MOS管为PMOS管时，所述第三预设端为所述第一电容的负极，所述第四预设端为所述第一二极管的正极；当所述第一MOS管为NMOS管时，所述第三预设端为所述第一电容的正极，所述第四预设端为所述第一二极管的负极。2.如权利要求1所述的一种无源钳位结构，其特征在于：所述第一电容为极性电容；所述第一电阻为限流电阻；所述第一二极管为稳压二极管。3.一种半桥电路，其特征在于，包括如权利要求1
‑
2任意一项所述的无源钳位结构、变压器和半桥组件；所述变压器的原边绕组与所述半桥组件连接；其中，所述半桥组件包括第二MOS管、第三MOS管、第二电容和第三电容；所述变压器的副边绕组与所述无源钳位结构连接。4.如权利要求3所述的一种半桥电路，其特征在于，所述变压器的原边绕组与所述半桥组件连接，具体为：所述第二MOS管的漏极和所述第二电容的正极与电压源的正极连接；所述第二MOS管的源极与所述第三MOS管的漏极、所述原边绕组的第二端连接；所述第二电容的负极与所述原边绕组的第一端连接；所述第三MOS管的源极和所述第三电容的负极与所述电压源的负极连接；所述第三电容的正极与所述原边绕组的第二端连接。5.如权利要求3所述的一种半桥电路，其特征在于，所述变压器的副边绕组与所述无源钳位结构连接，具体为：所述副边...

【专利技术属性】
技术研发人员：许有联，胡长远，杨欣，厉干年，李华铭，
申请(专利权)人：上海军陶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：