一种基于滞回比较器的OringFET控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于滞回比较器的OringFET控制电路，该电路包括：辅助电源电路和OringFET电路；辅助电源电路的输出端与OringFET电路的输入端连接；OringFET电路的第一控制端与输电线路的一侧连接，OringFET电路的第二控制端与输电线路的另一侧连接；OringFET电路包括：滞回比较电路和MOSFET管；辅助电源电路用于为滞回比较电路提供可调的工作电压；滞回比较电路用于根据输电线路两侧的电压和工作电压，向MOSFET管的栅极输出开启电压或关断电压。采用本发明专利技术实施例，OringFET不再受制于外部的电压环境且采用工作电压结合滞回比较电路进行控制进一步提高了电压适用范围。用范围。用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种基于滞回比较器的OringFET控制电路


[0001]本专利技术涉及控制电路
，尤其涉及一种基于滞回比较器的OringFET控制电路。

技术介绍

[0002]在专用的OringFET(ORing MOSFET)，或者，冗余电源控制器中，控制芯片一般内部有自举电路可以自供电，但是其驱动电压较低需要匹配低压MOSFET；此外，专用OringFET的控制芯片电压工作范围有一定要求，因此在某些应用场合找不到合适的芯片以在受限的工作电压范围下实现OringFET控制功能。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种基于滞回比较器的OringFET控制电路，以解决现有OringFET控制电路电压适用范围受限的技术问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种基于滞回比较器的OringFET控制电路，包括：辅助电源电路和OringFET电路；
[0005]其中，所述辅助电源电路的输出端与所述OringFET电路的输入端连接；所述OringFET电路的第一控制端与输电线路的一侧连接，所述OringFET电路的第二控制端与输电线路的另一侧连接；
[0006]所述OringFET电路包括：滞回比较电路和MOSFET管；
[0007]所述滞回比较电路的输入端与所述OringFET电路的输入端连接，所述滞回比较电路的第一采样端与所述MOSFET管的源极和所述OringFET电路的第一控制端连接，所述滞回比较电路的第二采样端与所述MOSFET管的漏极和所述OringFET电路的第二控制端连接，所述滞回比较电路的输出端与所述MOSFET管的栅极连接；
[0008]所述辅助电源电路用于为所述滞回比较电路提供可调的工作电压；
[0009]所述滞回比较电路用于在接收到所述工作电压，并且，所述第一采样端的第一电压大于所述第二采样端的第二电压，在所述滞回比较电路的输出端输出使MOSFET管导通的开启电压；以及用于在接收到所述工作电压，并且，所述第一电压小于所述第二电压时，在所述滞回比较电路的输出端输出使MOSFET管截止的关断电压。
[0010]本专利技术采用供电源电路为OringFET电路提供可调的工作电压，以使OringFET电路中的滞回比较电路根据该工作电压和MOSFET管源漏级两端的电压，输出控制MOSFET导通或关断的电压，从而使MOSFET管不再受制于以往由外界提供的驱动电压；而采用可调的工作电压结合滞回比较电路对MOSFET管进行控制进一步提高了电压适用范围。
[0011]进一步地，所述第一采样端的第一电压大于所述第二采样端的第二电压，具体为：所述第一电压大于所述第二电压，并且，所述第一电压与第二电压的电压差大于第一阈值；所述第一电压小于所述第二电压，具体为：所述第一电压小于所述第二电压，并且，所述第二电压与所述第一电压的电压差大于第二阈值。
[0012]进一步地，所述滞回比较电路包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和轨到轨电压比较器；
[0013]其中，所述第一电阻的第一端与所述第二电阻的第一端和所述轨到轨电压比较器的反相输入端连接；
[0014]所述第三电阻的第一端与所述第四电阻的第一端、所述第五电阻的第一端和所述轨到轨电压比较器的同相输入端连接；
[0015]所述第一电阻的第二端与所述第三电阻的第二端、所述滞回比较电路的输入端、所述轨到轨电压比较器的正电源端连接；
[0016]所述第二电阻的第二端与所述滞回比较电路的第二采样端连接；
[0017]所述第四电阻的第二端与所述滞回比较电路的第一采样端和所述轨到轨电压比较器的负电源端连接；
[0018]所述轨到轨电压比较器的输出端与所述滞回比较电路的输出端和所述第五电阻的第二端连接。
[0019]本专利技术通过第一电阻至第五电阻构建分压电阻，从而对轨到轨电压比较器进行参数调节，使轨到轨电压比较器通过采样端的第一电压、第二电压和工作电压，实现对MOSFET管的控制，避免MOSFET管受限于外部提供的电压范围。
[0020]进一步地，所述第一电阻的阻值、所述第二电阻的阻值、所述第三电阻的阻值、所述第四电阻的阻值和所述第五电阻的阻值之间的关系表达式为：
[0021][0022]其中，R1为第一电阻的阻值，R2为第二电阻的阻值，R3为第三电阻的阻值，R4为第四电阻的阻值，R5为第五电阻的阻值，Va1为第一阈值，Va2为第二阈值，Vcc为工作电压。
[0023]进一步地，所述轨到轨电压比较器用于在所述第一采样端的所述第一电压大于所述第二采样端的所述第二电压，并且，所述第一电压与所述第二电压的电压差大于第一阈值时，输出所述正电源端接收到的所述工作电压；以及用于在所述第一采样端的所述第一电压小于所述第二采样端的所述第二电压，并且，所述第二电压与所述第一电压的电压差大于第二阈值时，输出所述负电源端接收到的所述第一电压。
[0024]本专利技术可通过调节第一电阻至第五电阻的阻值，实现对第一阈值和第二阈值的调节，从而使轨到轨电压比较器根据采样端的第一电压、第二电压，并结合第一阈值和第二阈值实现对MOSFET管的精准控制，避免MOSFET管的驱动电压受制于外部提供的电压范围。
[0025]进一步地，所述滞回比较电路还包括：第六电阻；
[0026]其中，所述第六电阻的第一端与所述滞回比较电路的输出端连接；
[0027]所述第六电阻的第二端与所述轨到轨电压比较器的输出端和所述第五电阻的第二端连接。
[0028]本专利技术通过使第六电阻串联在MOSFET管的栅极与轨到轨电压比较器的输出端之间，提高MOSFET管的开启与截止速率。
[0029]进一步地，述滞回比较电路还包括：第一二极管；
[0030]其中，所述第一二极管的阳极与所述第六电阻的第一端和所述滞回比较电路的输出端连接；
[0031]所述第一二极管的阴极与所述轨到轨电压比较器的输出端、所述第六电阻的第二端和所述第五电阻的第二端连接。
[0032]进一步地，所述辅助电源电路包括：辅助电源和第二二极管；
[0033]其中，所述辅助电源的第一极与所述第二二极管的阳极连接；
[0034]所述辅助电源的第二极与所述输电线路的一侧连接；
[0035]所述第二二极管的输出端与所述辅助电源电路的输出端连接。
[0036]进一步地，所述辅助电源为线性电源或交流电源。
[0037]进一步地，所述辅助电源电路还包括：第一电容；
[0038]所述第一电容的第一端与所述第二二极管的阴极和所述辅助电源电路的输出端连接；
[0039]所述第一电容的第二端与所述辅助电源的第二极和所述输电线路的一侧连接。
[0040]本专利技术即可通过线性电源也可通过交流电源，结合第二二极管以及用于滤波的第一电容，为滞回比较电路提供稳定的工作电压，从而避免了OringFET电路直接受控于外部提供的电压，提高了电压适用范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于滞回比较器的OringFET控制电路，其特征在于，包括：辅助电源电路和OringFET电路；其中，所述辅助电源电路的输出端与所述OringFET电路的输入端连接；所述OringFET电路的第一控制端与输电线路的一侧连接，所述OringFET电路的第二控制端与输电线路的另一侧连接；所述OringFET电路包括：滞回比较电路和MOSFET管；所述滞回比较电路的输入端与所述OringFET电路的输入端连接，所述滞回比较电路的第一采样端与所述MOSFET管的源极和所述OringFET电路的第一控制端连接，所述滞回比较电路的第二采样端与所述MOSFET管的漏极和所述OringFET电路的第二控制端连接，所述滞回比较电路的输出端与所述MOSFET管的栅极连接；所述辅助电源电路用于为所述滞回比较电路提供可调的工作电压；所述滞回比较电路用于在接收到所述工作电压，并且，所述第一采样端的第一电压大于所述第二采样端的第二电压，在所述滞回比较电路的输出端输出使MOSFET管导通的开启电压；以及用于在接收到所述工作电压，并且，所述第一电压小于所述第二电压时，在所述滞回比较电路的输出端输出使MOSFET管截止的关断电压。2.如权利要求1所述的基于滞回比较器的OringFET控制电路，其特征在于，所述第一采样端的第一电压大于所述第二采样端的第二电压，具体为：所述第一电压大于所述第二电压，并且，所述第一电压与第二电压的电压差大于第一阈值；所述第一电压小于所述第二电压，具体为：所述第一电压小于所述第二电压，并且，所述第二电压与所述第一电压的电压差大于第二阈值。3.如权利要求2所述的基于滞回比较器的OringFET控制电路，其特征在于，所述滞回比较电路包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和轨到轨电压比较器；其中，所述第一电阻的第一端与所述第二电阻的第一端和所述轨到轨电压比较器的反相输入端连接；所述第三电阻的第一端与所述第四电阻的第一端、所述第五电阻的第一端和所述轨到轨电压比较器的同相输入端连接；所述第一电阻的第二端与所述第三电阻的第二端、所述滞回比较电路的输入端、所述轨到轨电压比较器的正电源端连接；所述第二电阻的第二端与所述滞回比较电路的第二采样端连接；所述第四电阻的第二端与所述滞回比较电路的第一采样端和所述轨到轨电压比较器的负电源端连接；所述轨到轨电压比较器的输出端与所述滞回比较电路的输出端和所述第五电阻的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：许有联，胡长远，杨欣，厉干年，
申请(专利权)人：上海军陶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：