高频模块和通信装置制造方法及图纸

高频模块(1A)具备：模块基板(80)，其具有彼此相向的主面(80a及80b)；第一基材(10)，该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材形成有电子电路；第二基材(20)，该第二基材的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在该第二基材形成有放大电路；以及外部连接端子(150)，其配置于主面(80b)，其中，第一基材(10)和第二基材(20)配置于主面(80a及80b)中的主面(80b)一侧，第二基材(20)配置于模块基板(80)与第一基材(10)之间，第二基材(20)与第一基材(10)接合，第二基材经由电极(23)来与主面(80b)连接。(80b)连接。(80b)连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频模块和通信装置


[0001]本专利技术涉及一种高频模块和通信装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了具有如下结构的半导体模块：构成功率放大器(放大器)的半导体芯片配置于布线基板的下表面。由此，能够在布线基板的两面配置电子部件，因此能够小型化。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑
40602号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]在专利文献1所公开的半导体模块中，放大器由以GaAs为材料的晶体管构成。
[0008]然而，在用热导率低的材料、如GaAs形成放大器的晶体管的情况下，存在如下问题：放大器的散热性低，因此动作温度会上升而使放大特性劣化。另外，存在如下问题：为了抑制温度上升，必须确保散热面积大，从而无法使半导体模块充分地小型化。
[0009]本专利技术是为了解决上述课题而完成的，目的在于提供一种散热性优异的小型的高频模块和通信装置。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本专利技术的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成，在第一基材形成有电子电路；第二基材，第二基材的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在第二基材形成有放大电路；以及外部连接端子，其配置于第二主面，其中，第一基材和第二基材配置于第一主面和第二主面中的第二主面一侧，第二基材配置于模块基板与第一基材之间，第二基材与第一基材接合，第二基材经由第一电极来与第二主面连接。
[0012]另外，本专利技术的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，第一基材的至少一部分由硅构成，在第一基材形成有电子电路；第二基材，第二基材的至少一部分由砷化镓构成，在第二基材形成有放大电路；以及外部连接端子，其配置于第二主面，其中，第一基材和第二基材配置于第一主面和第二主面中的第二主面一侧，第二基材配置于模块基板与第一基材之间，第二基材与第一基材接合，第二基材经由第一电极来与第二主面连接。
[0013]专利技术的效果
[0014]根据本专利技术，能够提供散热性优异的小型的高频模块和通信装置。
附图说明
[0015]图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
[0016]图2是实施例所涉及的高频模块的平面结构概要图。
[0017]图3是实施例所涉及的高频模块的截面结构概要图。
[0018]图4是实施例所涉及的第一基材的截面结构图。
[0019]图5是实施例所涉及的第二基材的截面结构图。
具体实施方式
[0020]下面，详细说明本专利技术的实施方式。此外，以下所说明的实施方式均表示总括性或具体性的例子。以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置及连接方式等是一例，其主旨并不在于限定本专利技术。关于下面的实施例中的构成要素中的没有在独立权利要求中记载的构成要素，将其作为任意的构成要素来说明。另外，附图所示出的构成要素的大小或大小之比未必严格。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略重复的说明或者简化重复的说明。
[0021]另外，在下面，平行和垂直等表示要素间的关系性的用语、矩形状等表示要素的形状的用语以及数值范围不是仅表示严格的含义，还包括实质上同等的范围，例如百分之几左右的差异。
[0022]另外，在下面，关于安装于基板的A、B以及C，“在俯视基板(或基板的主面)时，在A与B之间配置有C”是指在俯视基板时，将A内的任意的点与B内的任意的点连接的多个线段中的至少一个线段通过C的区域。另外，俯视基板是指将基板及安装于基板的电路元件正投影到与基板的主面平行的平面来进行观察。
[0023]另外，在下面，“发送路径”是指由传播高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”是指由传播高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
[0024](实施方式)
[0025][1.高频模块1和通信装置5的电路结构][0026]图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3以及基带信号处理电路(BBIC)4。
[0027]RFIC 3是对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3通过下变频等对经由高频模块1的接收路径输入的接收信号进行信号处理，将进行该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3通过上变频等对从BBIC 4输入的发送信号进行信号处理，将进行该信号处理后生成的发送信号输出到高频模块1的发送路径。
[0028]BBIC 4是使用频率比高频模块1传输的高频信号低的中间频带来进行信号处理的电路。作为利用BBIC 4处理的信号，例如使用用于显示图像的图像信号或者用于经由扬声器进行通话的声音信号。
[0029]另外，RFIC 3还具有作为基于所使用的通信频段(频带)来对高频模块1所具有的开关52、53及54的连接进行控制的控制部的功能。具体地说，RFIC 3利用控制信号(未图示)
来对高频模块1所具有的开关52～54的连接进行切换。具体地说，RFIC 3将用于控制开关52～54的数字控制信号输出到PA控制电路11。PA控制电路11根据从RFIC 3输入的数字控制信号向开关52～54输出数字控制信号，由此控制开关52～54的连接及不连接。
[0030]另外，RFIC 3还具有作为对高频模块1所具有的功率放大器21的增益以及向功率放大器21供给的电源电压Vcc及偏置电压Vbias进行控制的控制部的功能。具体地说，RFIC 3将数字控制信号输出到高频模块1的控制信号端子110。PA控制电路11根据经由控制信号端子110输入的数字控制信号向功率放大器21输出控制信号、电源电压Vcc或偏置电压Vbias，由此对功率放大器21的增益进行调整。此外，从RFIC 3接收用于控制功率放大器21的增益的数字控制信号的控制信号端子与从RFIC 3接收用于控制向功率放大器21供给的电源电压Vcc及偏置电压Vbias的数字控制信号的控制信号端子也可以不同。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部，例如也可以设置于BBIC 4。
[0031]天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，用于辐射从高频模块1输出的高频信号或者接收来自外部的高频信号并输出到高频模块1。
[0032]此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4并不是必需的构成要素。
[0033]接着，说明高频模块1的详细结构。
[0034]如图1所示，高频模块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高频模块，具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，所述第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成，在所述第一基材形成有电子电路；第二基材，所述第二基材的至少一部分由热导率比所述第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在所述第二基材形成有放大电路；以及外部连接端子，其配置于所述第二主面，其中，所述第一基材和所述第二基材配置于所述第一主面和所述第二主面中的所述第二主面一侧，所述第二基材配置于所述模块基板与所述第一基材之间，所述第二基材与所述第一基材接合，所述第二基材经由第一电极来与所述第二主面连接。2.一种高频模块，具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，所述第一基材的至少一部分由硅构成，在所述第一基材形成有电子电路；第二基材，所述第二基材的至少一部分由砷化镓构成，在所述第二基材形成有放大电路；以及外部连接端子，其配置于所述第二主面，其中，所述第一基材和所述第二基材配置于所述第一主面和所述第二主面中的所述第二主面一侧，所述第二基材配置于所述模块基板与所述第一基材之间，所述第二基材与所述第一基材接合，所述第二基材经由第一电极来与所述第二主面连接。3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，所述第一基材具有彼此相向的第三主面和第四主面，所述第二基材在所述第三主面与所述第一基材接合，所述高频模块还具备金属层，所述金属层形成于所述第四主面。4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，所述金属层与所述放大电路的地及所述电子电路的地连接。5.根据权利要求3或4所述的高频模块，其中，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一基材及所述第二基材的接合界面与所述金属层有至少一部分重叠。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频模块，其中，所述第二基材比所述第一基材薄。7.根据权利要求1～6中的任一项所述的高频模块，其中，所述第一基材具有彼此相向的第三主面和第四主面、以及将所述第三主面与所述第四主面相连的侧面，所述第二基材在所述第三主面与所述第一基材接合，所述第四主面的算术平均粗糙度比所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口幸哉，播磨史生，上岛孝纪，竹松佑二，吉见俊二，荒屋敷聪，佐俣充则，后藤聪，青池将之，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：