钻孔加工方法、装置及气体分配盘制造方法及图纸

本发明专利技术涉及机加工技术领域，尤其涉及一种钻孔加工方法、装置及气体分配盘。钻孔加工方法包括如下步骤：确定加工钻头数量为N，N≥2；根据钻头数量规划单个钻头运动轨迹；单个钻头按照规划的钻孔运动轨迹移动以在待加工件表面加工钻孔。单个钻头依照规划的钻孔运动轨迹移动加工获得钻孔，依照由内向外或者由外向内的方向加工钻孔，可以理解的是单个钻头获得的不同钻孔环的钻孔之间的间距较大，这样能够使单个钻头加工的钻孔布满待加工产品的加工面，而非是划定的单一的区域，由于不同钻头的加工方向同向，这样由不同钻头加工的相邻的钻孔实际孔径相差较小，进而可避免相邻钻孔之间的孔径较大而造成镀膜厚度偏差，保证客户端产品能够使用。够使用。够使用。

【技术实现步骤摘要】
钻孔加工方法、装置及气体分配盘


[0001]本专利技术涉及机加工
，尤其涉及一种钻孔加工方法、装置及气体分配盘。

技术介绍

[0002]由于部分半导体零部件用气体分配盘钻孔数量较多，单支钻头钻孔寿命无法达到稳定状态，所以需要多支钻头在同一产品上进行打孔。如图1所示，现有技术采用不同钻头对钻孔按照划分的第一区域301、第二区域302和第三区域303进行加工，单个钻头加工完一个区域后，再换上不同的钻头继续加工对应的区域，这样会导致相邻的钻孔最小孔与最大孔之间的偏差较大，存在阶梯式改变。由于在同一产品上相邻钻孔的孔径存在较大的偏差，气体分配盘在镀膜的过程中，镀膜厚度会存在偏差，导致客户端产品无法使用。
[0003]因此，亟需一种钻孔加工方法、装置及气体分配盘，以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提出一种钻孔加工方法、装置及气体分配盘，能够减小相邻孔径之间的偏差，提高镀膜厚度的均匀性。
[0005]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]钻孔加工方法，包括如下步骤：
[0007]确定加工钻头数量为N，N≥2；
[0008]根据钻头数量规划单个钻头运动轨迹，单个钻头运动轨迹包括由内向外或由外向的多个同心环以及相邻同心环之间的直线段；其中多个同心环以待加工产品中心为中心同心设置；
[0009]单个钻头按照规划的钻孔运动轨迹移动以在待加工件表面加工钻孔，单个钻头依照单个同心环轨迹行走过程中定时或定距加工有多个钻孔以形成钻孔环，单个钻头行走至运动轨迹的目标点后，更换钻头后继续加工，直至N个钻头均完成钻孔加工；不同钻头加工的钻孔环间隔、交替且同心设置。
[0010]作为上述钻孔加工方法的一种优选技术方案，单个钻头依次加工的钻孔环与待加工产品中心的距离呈等差数列变化。
[0011]作为上述钻孔加工方法的一种优选技术方案，由待加工产品的中心向待加工产品的边缘，同心环与待加工产品中心的距离呈等差数列变化。
[0012]作为上述钻孔加工方法的一种优选技术方案，所述钻孔环的横截面形状为矩形或圆形。
[0013]作为上述钻孔加工方法的一种优选技术方案，规划单个钻头运动轨迹前，确定目标点和起始点，所述待加工件的中心点为目标点或起始点。
[0014]作为上述钻孔加工方法的一种优选技术方案，所述钻头数量基于待加工产品确定。
[0015]作为上述钻孔加工方法的一种优选技术方案，单个钻头至少加工N个钻孔环。
[0016]作为上述钻孔加工方法的一种优选技术方案，单个钻头加工单个钻孔时，每完成预定深度退刀以获得初始钻孔并加工下一个钻孔，当单个钻头加工完成后，当前单个钻头再次加工初始钻孔，直至加工完成每个钻孔的整体深度。
[0017]本专利技术还提供了一种钻孔加工装置，包括：
[0018]钻头数量确定模块，用于确定加工钻头数量为N，N≥2；
[0019]运动轨迹规划模块，用于根据钻头数量规划单个钻头运动轨迹，单个钻头运动轨迹包括由内向外或由外向的多个同心环以及相邻同心环之间的直线段；其中多个同心环以待加工产品中心为中心同心设置；
[0020]执行更换模块，用于驱动单个钻头按照规划的钻孔运动轨迹移动以加工钻孔，单个钻头依照单个同心环轨迹行走过程中定时或定距加工有多个钻孔以形成钻孔环，单个钻头行走至运动轨迹的目标点后，更换钻头后继续加工，直至N个钻头均完成钻孔加工；不同钻头加工的钻孔环间隔、交替且同心设置。
[0021]本专利技术还提供了一种气体分配盘，包括吸盘主体和真空气路，所述吸盘主体包括用于吸持晶圆的吸持面，所述吸持面上设有多个吸附孔，所述吸附孔贯穿所述吸盘主体，多个所述吸附孔与所述真空气路连通，所述吸附孔由上述任一方案所述的钻孔加工方法制造获得。
[0022]本专利技术有益效果：
[0023]单个钻头依照规划的钻孔运动轨迹移动加工获得钻孔，依照由内向外或者由外向内的方向加工钻孔，可以理解的是单个钻头获得的不同钻孔环的钻孔之间的间距较大，这样能够使单个钻头加工的钻孔布满待加工产品的加工面，而非是划定的单一的区域，由于不同钻头的加工方向同向，这样由不同钻头加工的相邻的钻孔实际孔径相差较小，进而可避免相邻钻孔之间的孔径较大而造成镀膜厚度偏差，保证客户端产品能够使用。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本专利技术实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为
技术介绍
提供的钻孔加工示意图；
[0026]图2为本专利技术实施例提供的钻孔加工方法的流程图；
[0027]图3为本专利技术实施例提供的钻孔加工示意图；
[0028]图4为本专利技术实施例提供的钻孔加工装置的方框图。
[0029]图中：
[0030]201、钻头数量确定模块；202、运动轨迹规划模块；203、执行更换模块；301、第一区域；302、第二区域；303、第三区域。
具体实施方式
[0031]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便
于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0032]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0033]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0034]在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
[0035]现有技术中在对钻孔进行加工时，通常是将待加工件表面划分为多个区域，如图1所示，待加工件的表面划分三个区域，其中由该待本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.钻孔加工方法，其特征在于，包括如下步骤：确定加工钻头数量为N，N≥2；根据钻头数量规划单个钻头运动轨迹，单个钻头运动轨迹包括由内向外或由外向的多个同心环以及相邻同心环之间的直线段；其中多个同心环以待加工产品中心为中心同心设置；单个钻头按照规划的钻孔运动轨迹移动以在待加工件表面加工钻孔，单个钻头依照单个同心环轨迹行走过程中定时或定距加工有多个钻孔以形成钻孔环，单个钻头行走至运动轨迹的目标点后，更换钻头后继续加工，直至N个钻头均完成钻孔加工；不同钻头加工的钻孔环间隔、交替且同心设置。2.根据权利要求1所述的钻孔加工方法，其特征在于，单个钻头依次加工的钻孔环与待加工产品中心的距离呈等差数列变化。3.根据权利要求1所述的钻孔加工方法，其特征在于，由待加工产品的中心向待加工产品的边缘，同心环与待加工产品中心的距离呈等差数列变化。4.根据权利要求1所述的钻孔加工方法，其特征在于，所述钻孔环的横截面形状为矩形或圆形。5.根据权利要求1所述的钻孔加工方法，其特征在于，规划单个钻头运动轨迹前，确定目标点和起始点，所述待加工件的中心点为目标点或起始点。6.根据权利要求1所述的钻孔加工方法，其特征在于，所述钻头数量基于待加工产品确定。7.根据权利要求1所述的钻孔加工方法，其特征在于，单个钻头至少加工...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，昝小磊，黄凯炀，
申请(专利权)人：宁波江丰芯创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：