探针清洁板制造技术

本发明专利技术涉及一种探针清洁板，包含组成材料选自玻璃纤维树脂板或单面覆铜玻璃纤维树脂板的承板、设置于该承板的上表面且与该承板紧密贴合的包含结合剂的结合剂层、以及设置于该结合剂层的上表面且与该结合剂层紧密贴合且组成材料包含硅胶、氧化镁、碳化硅、氧化铝及氧化锆的清洁层，其中该探针清洁板的融化温度在200℃以上。200℃以上。200℃以上。

【技术实现步骤摘要】
探针清洁板


[0001]本专利技术涉及一种探针清洁板，具体是指一种耐高温处理的探针清洁板。

技术介绍

[0002]半导体装置的制作过程中，在将晶圆封装后进行的产品测试称为封装后测试(Final Test)，其中常会使用探针(probe pin)对半导体晶圆上的多数个芯片施加电性信号，检测晶圆的输出信号以确认半导体晶圆的功能是否正常。在测试中随着探针与电极接触，探针的尖端部分可能会附着电极的微粒等异物，造成检测时产生噪声而精度降低，甚至在附着大型异物时可能使相邻的探针短路而造成晶圆被破坏。因此需要进行清洁步骤以除去探针上的异物。
[0003]清洁探针的方法，现有技术中有使用在如硅酮或聚氨酯树脂等弹性材料中混入例如氧化硅、碳化硅、氧化铝或钻石等磨石粒子的清洁用薄片，将探针尖端刺入清洁用薄片内部，使固定在弹性材料的磨石粒子研磨探针尖端以去除异物。或是使用在表面形成有微小凹凸的磨板上形成有黏着性胶质层的清洁用薄片，使探针自胶质层表面刺入到内部并在磨板的凹凸表面移动以除去探针尖端的异物。
[0004]然而现有技术中所使用的清洁用薄片具有不耐高温的问题，在晶圆的封装后测试中也有需要在高温下进行测试的步骤，若是探针、晶圆或使用环境未经过适当冷却，则有可能产生清洁用薄片黏接剂溢出以至于变形或脱落，导致探针清洁不彻底，甚至使探针损坏磨耗。

技术实现思路

[0005]因此，本专利技术的目的即在提供一种探针清洁板，能够承受反复的加温冷却处理而不变形。
[0006]本专利技术为解决现有技术的问题所采用的技术手段为提供一种探针清洁板，包含：承板，该承板的组成材料为选自玻璃纤维树脂板或单面覆铜玻璃纤维树脂板；结合剂层，设置于该承板的上表面且与该承板紧密贴合，该结合剂层包含结合剂；以及清洁层，设置于该结合剂层的上表面且与该结合剂层紧密贴合，该清洁层的组成材料包含硅胶、氧化镁、碳化硅、氧化铝及氧化锆，其中该探针清洁板的融化温度在200℃以上。
[0007]在本专利技术的一实施例中为提供如前述的探针清洁板，其中该清洁层的邵氏硬度A为70至98。
[0008]在本专利技术的一实施例中为提供如前述的探针清洁板，其中该清洁层的厚度为0.2至0.5mm。
[0009]在本专利技术的一实施例中为提供如前述的探针清洁板，其中该接合层的厚度为0.01至0.025mm。
[0010]在本专利技术的一实施例中为提供如前述的探针清洁板，其中该承板的厚度为0.1至6mm。
[0011]通过本专利技术的探针清洁板所采用的技术手段，能够提供一种晶圆测试用探针的探针清洁板，能够承受反复的加温冷却处理而不变形。
附图说明
[0012]图1为本专利技术的实施例的探针清洁板的立体图。
[0013]图2为本专利技术的实施例的探针清洁板的侧视图。
[0014]图3为本专利技术的实施例的探针清洁板的俯视图。
[0015]图4为本专利技术的实施例的探针清洁板的剖面图。
[0016]图5为本专利技术的实施例的探针清洁板的剖面图的部分放大图。
[0017]附图标记
[0018]100
ꢀꢀꢀ
探针清洁板
[0019]1ꢀꢀꢀꢀꢀ
承板
[0020]2ꢀꢀꢀꢀꢀ
结合剂层
[0021]3ꢀꢀꢀꢀꢀ
清洁层
具体实施方式
[0022]以下根据图1至图5，而说明本专利技术的实施方式。该说明并非为限制本专利技术的实施方式，而为本专利技术的实施例的一种。
[0023]如图1及图2所示，依据本专利技术的实施例的探针清洁板100，包含承板1、结合剂层2及清洁层3。
[0024]依据本专利技术的实施例的探针清洁板100，承板1的组成材料为选自玻璃纤维树脂板或单面覆铜玻璃纤维树脂板。
[0025]依据本专利技术的实施例的探针清洁板100，结合剂层2包含结合剂，为设置在承板1的上表面且与承板1紧密贴合。
[0026]依据本专利技术的实施例的探针清洁板100，清洁层3的组成材料包含硅胶、氧化镁、碳化硅、氧化铝及氧化锆，为设置在结合剂层2的上表面且与结合剂层2紧密贴合，其中以氧化镁作为除湿材料，而以氧化锆作为主要探针清洁材料。
[0027]如图3所示，依据本专利技术的实施例的探针清洁板100，使清洁层3及结合剂层2的面积略小于承板1。
[0028]如图4所示，依据本专利技术的实施例的探针清洁板100，其中，使清洁层3的邵氏硬度A为70至98，在本实施例中结合剂虽然使用特定公司生产的SA
‑
257，但本专利技术并未限定于此，能够根据实际使用的需求在市场上选择最为合适的产品。
[0029]如图5所示，依据本专利技术的实施例的探针清洁板100，清洁层3、接合层2及承板1的厚度分别形成为T3、T2及T1，其中清洁层3的厚度T3的范围为0.2至0.5mm，接合层2的厚度T2的范围为0.01至0.025mm，承板1的厚度T1的范围为0.1至6mm。
[0030]本技术方案在实际应用当中的耐热测试如下：
[0031]分别准备多数份依据本专利技术的实施例的探针清洁板100，日本制造的在市面上销售的探针清洁板以及用以显示加热后产生溢胶状态的对照组，进行以不同温度处理的耐热测试。
[0032]耐热测试包含以下步骤：
[0033]步骤1：将准备好的三组待测物同时送入经设定有指定测试温度的加温箱中；
[0034]步骤2：对待测物加热，待温度达到指定的测试温度时将待测物取出；
[0035]步骤3：在显微镜下观察三组待测物是否有融化，溢胶及变形的状况；
[0036]步骤4：准备新的三组待测物并指定新的测试温度重复前述步骤1至3。
[0037]将在步骤3中所观察到的各组待测物的融化，溢胶及变形的状况记录而显示在表1中，其中处理温度200℃为破坏温度，即目前业界已知的探针清洁板在此温度下均会产生变形乃至于融化等结构性破坏。
[0038]表1
[0039][0040][0041]如表1所示，将经过加热处理的日本制造的探针清洁板及依据本专利技术实施例的探针清洁板100与对照组在显微镜下观察并进行比较，若是有如对照组所表现的胶体明显溢出的状况则判断为溢胶，同时观察清洁板的各个表面是否受热而产生融化或变形等状态，若是观察到变形则记载变形的状况。
[0042]由表1可以看出日本制造的清洁板虽然在以35℃至190℃的温度进行处理时皆没有发生融化、溢胶及变形的状况，但当处理温度提高到200℃时，在清洁板的表面浮出有皱折，此即表示该探针清洁板的内部结构已经受高温破坏，无法维持平滑表面而可能在使用时造成清洁不彻底，甚至探针破损，代表将该日本制造的清洁板运用在需要200℃高温处理的测试流程中时，若是在清洁中使清洁板的温度过度上升至200℃即有可能造成清洁板变形，使清洁不彻底乃至于探针破损，进一步影响后续的晶圆测试，而若是想要在需要200℃高温处理的测试流程中使用，则需要进行额外的降温步骤，增加时间及设备成本。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种探针清洁板，其特征在于，包含：承板，所述的承板的组成材料为选自玻璃纤维树脂板或单面覆铜玻璃纤维树脂板；结合剂层，设置于所述的承板的上表面且与所述的承板紧密贴合，所述的结合剂层包含结合剂；以及清洁层，设置于所述的结合剂层的上表面且与所述的结合剂层紧密贴合，所述的清洁层的组成材料包含硅胶、氧化镁、碳化硅、氧化铝、钻石粉及氧化锆，其中所述的探针清洁板的融化温度在200...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭于青，
申请(专利权)人：品捷精密股份有限公司，
类型：发明
国别省市：