一种用于IC集成电路的无蜡垫及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于IC集成电路的无蜡垫及其制备工艺，属于无蜡垫技术领域，将改性聚氨酯颗粒熔融并涂覆在玻纤布的表面，热压成型后得到厚度为0.3

【技术实现步骤摘要】
一种用于IC集成电路的无蜡垫及其制备工艺


[0001]本专利技术属于无蜡垫
，具体涉及一种用于IC集成电路的无蜡垫及其制备工艺。

技术介绍

[0002]IC集成电路是一种微型电子器件，是将一个电路中所需要的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互联在一起，制作在一块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。在现代规模集成电路制造过程中，已经非常普遍利用剁成金属交联处置叠层方式来形成金属绕线电路，然而多层金属交联技术也存在缺点，其中之一就是层层叠加效应导致芯片的平坦度丧失，也就是芯片上呈现出高低起伏、不平整的表面，在高凸区域附近，这些导电或绝缘薄膜容易受热、电流或机械应力而造成图形不连续，这种图形不连续性会引起组件某些特定功能失效，因此需要进行CMP抛光。
[0003]CMP抛光过程可以分为化学过程和物理过程：化学过程指研磨液中化学成分与硅片表面材料产生化学反应，通过将不溶物转化为易溶物或软化高硬度物质，生成比较容易去除的物质。物理过程指研磨液中的磨粒与硅片表面材料发生机械物理摩擦，从硅片表面去除这些化学反应物，溶入流动的液体中带走。
[0004]无蜡垫能够对硅片进行无蜡抛光，具有省时、省力、成本低的特点，非常适用于蓝宝石片、LCD基片、无蜡硅镜片、玻璃面板、光学晶体片和激光晶体片等加工抛光，能够有效防止晶片穿插和剥离现象的发生，有助于提高抛光垫的使用寿命，同时避免碎片、崩角和刮伤现象的产生，提高晶片抛光合格率及效率。
[0005]以用于硅片的抛光
[0006]公告号为CN112873074B的专利公开了一种抛光用无蜡垫的生产方法，利用环氧树脂和聚氨酯预聚体进行反应生产复合树脂，以此作为粘胶层将各层粘结避免无蜡吸附垫的分层。
[0007]但是在CMP抛光高速旋转的情况下，被打磨的硅片会产生热量，抛光垫上的热量会被抛光液带走，但是吸附垫中心的热量无法被快速传递走，导致吸附垫中心的硬度比周围低，导致最终抛光后的产品出现质量缺陷，

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种用于IC集成电路的无蜡垫及其制备工艺，以解决
技术介绍
中的问题。
[0009]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0010]一种用于IC集成电路的无蜡垫，由内向外包括支撑层和吸附层。
[0011]该用于IC集成电路的无蜡垫的制备工艺，包括如下步骤：
[0012]步骤一：将目数为4
‑
6目的玻纤布平铺在模具中，然后将改性聚氨酯颗粒在180
‑
190℃的条件下熔融并涂覆在玻纤布的表面，热压成型后得到厚度为0.3
‑
0.5mm的基材，将基材裸露出玻纤布的一面进行拉毛处理，制备出支撑层；
[0013]步骤二：将支撑层铺展开并使拉毛的一面朝上，在支撑层拉毛的一面涂饰聚氨酯预聚物，反应固化后得到厚度为0.3
‑
0.6mm的吸附层，切割成型后制备出用于IC集成电路的无蜡垫。
[0014]进一步地，聚氨酯预聚物包括聚对苯二甲酸乙二酯和异氰酸酯为原料反应生成的聚氨酯预聚物。
[0015]进一步地，改性聚氨酯颗粒通过如下步骤制备：
[0016]步骤S1：将碳酸乙烯酯和对苯二胺搅拌混合，在60℃的条件下反应至无气泡产生，然后升高温度至90℃反应3h，旋转蒸发除去未反应的原料，然后将反应产物倒入聚四氟乙烯模具中，冷却后研磨粉碎，在60℃条件下真空干燥，得到氨酯基型二醇。
[0017]步骤S2：在80
±
5℃的条件下将六亚甲基二异氰酸酯和二月桂酸二丁基锡用N,N
‑
二甲基乙酰胺搅拌溶解，然后加入真空除水后的聚四氢呋喃醚二醇、2,2
‑
二羟甲基丁酸和氨酯基型二醇，在氮气保护和80℃的条件下搅拌反应3
‑
4h；将反应体系的温度降至40℃，然后将间苯二甲酸二酰肼溶液加入反应体系中，在氮气保护下搅拌14
‑
16h，然后将反应产物在80℃的条件下旋转蒸发除去N,N
‑
二甲基乙酰胺，得到聚氨酯弹性体。
[0018]步骤S3：将聚氨酯弹性体切碎后和导热填料剪切混合10
‑
20min，然后在180
±
5℃和200
‑
300r/min的条件下熔融混合10
‑
15min，然后用双螺杆挤出机挤出造粒，得到改性聚氨酯颗粒。
[0019]进一步地，碳酸乙烯酯和对苯二胺的用量比为50g：55g。
[0020]进一步地，六亚甲基二异氰酸酯、二月桂酸二丁基锡、N,N
‑
二甲基乙酰胺、聚四氢呋喃醚二醇、2,2
‑
二羟甲基丁酸、氨酯基型二醇和间苯二甲酸二酰肼溶液的用量比为5.4g：0.02g：10mL：5g：1g：4g：60mL。
[0021]进一步地，间苯二甲酸二酰肼溶液中间苯二甲酸二酰肼和N,N
‑
二甲基乙酰胺的用量比为1g：65mL。
[0022]进一步地，聚氨酯弹性体和导热填料的用量比为100g：25
‑
30g。
[0023]进一步地，导热填料通过如下步骤制备：
[0024]步骤1：将碳纳米管、无水乙醇、聚乙烯醇和硅烷偶联剂在70
‑
80℃的条件下超声分散40
‑
60min，旋转蒸发除去无水乙醇，然后用去离子水洗涤2
‑
3次，在60℃的条件下真空干燥，得到改性碳纳米管。
[0025]步骤2：将纳米氮化铝粉末用无水乙醇超声分散后加入磷酸二氢铝和硅烷偶联剂，在70
‑
80℃的条件下继续超声分散60
‑
80min，然后加入聚乙烯醇搅拌1h，旋转蒸发除去无水乙醇，然后用去离子水洗涤2
‑
3次，在60℃的条件下真空干燥，得到改性氮化铝粉末。
[0026]步骤3：将改性碳纳米管、改性氮化铝粉末加入丙酮中，以丙酮作为分散用的液体，在冰浴的条件下超声分散10
‑
20min，抽滤，干燥，得到导热填料。
[0027]进一步地，碳纳米管、无水乙醇、聚乙烯醇和硅烷偶联剂的用量比为50g：300mL：0.5
‑
0.6g：0.1
‑
0.3g。
[0028]进一步地，纳米氮化铝粉末、无水乙醇、磷酸二氢铝、硅烷偶联剂和聚乙烯醇的用量比为50g：300mL：1g：0.5
‑
0.8g：0.1
‑
0.3g。
[0029]进一步地，改性碳纳米管、改性氮化铝粉末和丙酮的用量比为1
‑
2g：1
‑
1.5g：10
‑
15mL。
[0030]进一步地，硅烷偶联剂为硅烷偶联剂KH560或硅烷偶联剂KH570。
[0031]本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于IC集成电路的无蜡垫的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：将改性聚氨酯颗粒在180
‑
190℃的条件下熔融并涂覆在4
‑
6目的玻纤布的表面，热压成型后得到厚度为0.3
‑
0.5mm的基材，将基材裸露出玻纤布的一面进行拉毛处理，得到支撑层；步骤二：将支撑层铺展开并在支撑层拉毛的一面涂饰聚氨酯预聚物，反应固化后得到厚度为0.3
‑
0.6mm的吸附层，切割成型后制备出用于IC集成电路的无蜡垫；改性聚氨酯颗粒通过如下步骤制备：将聚氨酯弹性体切碎后和导热填料剪切混合10
‑
20min，然后在180
±
5℃和200
‑
300r/min的条件下熔融混合10
‑
15min，机挤出造粒，得到改性聚氨酯颗粒。2.根据权利要求1所述的一种用于IC集成电路的无蜡垫的制备工艺，其特征在于，所述聚氨酯弹性体和导热填料的用量比为100g：25
‑
30g。3.根据权利要求1所述的一种用于IC集成电路的无蜡垫的制备工艺，其特征在于，所述聚氨酯弹性体通过如下步骤制备：在80
±
5℃的条件下将六亚甲基二异氰酸酯和二月桂酸二丁基锡用N,N
‑
二甲基乙酰胺搅拌溶解，加入聚四氢呋喃醚二醇、2,2
‑
二羟甲基丁酸和氨酯基型二醇在氮气保护和80℃的条件下搅拌反应3
‑
4h，降温至40℃，将间苯二甲酸二酰肼溶液加入反应体系中并在氮气保护下搅拌14
‑
16h，旋转蒸发，得到聚氨酯弹性体。4.根据权利要求3所述的一种用于IC集成电路的无蜡垫的制备工艺，其特征在于，所述六亚甲基二异氰酸酯、二月桂酸二丁基锡、N,N
‑
二甲基乙酰胺、聚四氢呋喃醚二醇、2,...

【专利技术属性】
技术研发人员：李加海，杨惠明，李元祥，
申请(专利权)人：安徽禾臣新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：