半导体结构及其制造方法技术

本公开实施例涉及一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：衬底，包括第一掺杂区；第一隔离结构，第一隔离结构位于第一掺杂区内，且第一隔离结构的深度大于第一掺杂区的深度；第一栅极结构，第一栅极结构位于第一掺杂区的衬底表面，第一栅极结构横跨第一隔离结构，且第一栅极结构在衬底上的投影宽度大于第一隔离结构在衬底上的投影宽度；第二栅极结构，第二栅极结构位于衬底表面，第二栅极结构位于第一栅极结构的两侧。本公开实施例有利于缩小半导体器件的尺寸。缩小半导体器件的尺寸。缩小半导体器件的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]一次性可编程(One Time Programmable，OTP)存储器是一种支持一次性编程的非易失性存储器，广泛应用于模拟电路、数字/SOC芯片、SRAM/DRAM存储器等领域。一次性反熔丝(Anti
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fuse)可编程存储器为一次性可编程存储器的一种，在未编程状态下，反熔丝存储器由于绝缘介质层的存在，呈现高阻状态，编程过后，绝缘电介质层被击穿，呈现低阻状态，完成写入操作。
[0003]然而，随着集成电路技术的快速发展，集成电路中器件的密集度越来越高，半导体器件的尺寸不断减小以满足需求。因此，缩小一次性反熔丝可编程存储器的半导体器件的尺寸成了亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，至少有利于缩小半导体结构的尺寸。
[0005]本公开实施例提供一种半导体结构，包括：衬底，包括第一掺杂区；第一隔离结构，第一隔离结构位于第一掺杂区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，包括第一掺杂区；第一隔离结构，所述第一隔离结构位于所述第一掺杂区内，且所述第一隔离结构的深度大于所述第一掺杂区的深度；第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述第一掺杂区的衬底表面，所述第一栅极结构横跨所述第一隔离结构，且所述第一栅极结构在所述衬底上的投影宽度大于所述第一隔离结构在所述衬底上的投影宽度；第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述衬底表面，所述第二栅极结构位于所述第一栅极结构的两侧。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离结构的中轴线与所述第一栅极结构的中轴线重合。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二隔离结构，所述第二隔离结构位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间，所述第二隔离结构位于所述第一掺杂区内，且所述第二隔离结构的深度小于所述第一掺杂区的深度。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离结构在所述衬底上的投影宽度小于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的间距。5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构包括第一侧墙结构，所述第二栅极结构包括第二侧墙结构，所述第一侧墙结构和所述第二侧墙结构之间的间距小于或等于所述第二隔离结构的宽度。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述衬底内，所述第二掺杂区位于所述第二栅极结构远离所述第一掺杂区的一侧。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂区的离子掺杂类型和所述第二掺杂区的离子掺杂类型相同，且所述第一掺杂区的离子掺杂类型与所述衬底的离子掺杂类型相反。8.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离结构为第三掺杂区，所述第三掺杂区的离子掺杂类型与所述第一掺杂区的离子掺杂类型相反。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第三掺杂区的离子掺杂浓度大于所述第一掺杂区的离子掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁丽，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：