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本公开实施例涉及一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：衬底，包括第一掺杂区；第一隔离结构，第一隔离结构位于第一掺杂区内，且第一隔离结构的深度大于第一掺杂区的深度；第一栅极结构，第一栅极结构位于第一掺杂区的衬底表面，第一栅极结构横跨第一...
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