大阻值功率型电阻体及其加工方法技术

本发明专利技术涉及电阻技术领域，涉及一种大阻值功率型电阻体及其加工方法。本发明专利技术的中间电阻体上的竖向导体通过横向导体进行连接形成S型结构，同时侧电阻体上的竖直导体通过水平导体连接形成S型结构，使得电流能流经更大的阻体范围，同等阻体面积下，对电阻器阻值范围能有更大的提升，极大地缩小了电阻器的体积，大阻值电阻器可使用更小的阻体，减小了外界环境对阻体的影响，通过调整侧电阻体和中间电阻体的图形以及凹槽加工深度的增减，使电阻器阻值达到需求。到需求。到需求。

【技术实现步骤摘要】
大阻值功率型电阻体及其加工方法


[0001]本专利技术涉及电阻
，涉及一种大阻值功率型电阻体及其加工方法。

技术介绍

[0002]合金电阻是一种采用合金为电流介质的电阻，常常用于电路中电流的采样。用于反馈电路中变化的电流，以便进一步地控制或影响电流的变化。主要用到的产品如：电池保护板，电源类，变频器，灯具，电机等。
[0003]由于合金本身的电阻率普遍较低，导致目前市面上的合金电阻的阻值范围基本上只能做到毫欧级别，缺少能达到欧姆级别的大阻值电阻器。目前市面上能达到大阻值功率型电阻器往往会有体积大，稳定性差等缺点；同时对合金电阻在进行阻值调整后，其调整部位截面减小导致电阻体会非常脆弱，降低了贴片电阻产品的性能，减少合金电阻的使用寿命，增加使用成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是提供一种对电阻器阻值范围能有更大的提升，极大地缩小了电阻器的体积，减小了外界环境对阻体的影响的大阻值功率型电阻体及其加工方法。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0006]一种大阻值功率型电阻体，包括：
[0007]中间电阻体，其包括多个竖向导体，相邻两竖向导体之间设置有横向导体；
[0008]侧电阻体，分别设置在所述中间电阻体两端，所述侧电阻体包括多个竖直导体，相邻竖直导体之间设置有水平导体，所述侧电阻体通过连接导体与所述竖向导体连接；
[0009]其中，所述中间电阻体的上方至少设置有两个横向导体，所述横向导体的宽度大于等于所述水平导体的宽度，所述横向导体上设置有调整凹槽，通过调整所述调整凹槽的加工深度以调整阻值，两横向导体上的调整凹槽相对设置形成装配槽。
[0010]在本专利技术的一个实施例中，所述横向导体的宽度大于等于所述竖向导体的宽度。
[0011]在本专利技术的一个实施例中，两侧电阻体对称设置在所述中间电阻体上，且所述竖直导体与竖向导体之间的间距与所述两竖直导体之间的间距相同。
[0012]在本专利技术的一个实施例中，所述中间电阻体为电阻片，所述电阻片通过金属冲格栅方式冲制出多个横向导体和竖向导体。
[0013]在本专利技术的一个实施例中，所述竖向导体的长度小于所述竖直导体的长度，使得中间电阻体与两侧电阻体形成“凹”字型结构。
[0014]在本专利技术的一个实施例中，所述连接导体、位于侧电阻体下方的水平导体、位于中间电阻体下方的横向导体处于同一直线上，且所述连接导体、位于侧电阻体下方的水平导体以及位于中间电阻体下方的横向导体的宽度相同。
[0015]在本专利技术的一个实施例中，位于中间电阻体上方的横向导体的外侧面与水平导体
的外侧面平行设置，且所述调整凹槽的分别与横向导体、竖向导体连接，通过去除调整凹槽内部的材料增大调整凹槽的加工面积。
[0016]本专利技术还包括一种大阻值功率型电阻体加工方法，包括：
[0017]成型出电阻体，所述电阻体包括多个竖向导体，相邻两竖向导体之间设置有横向导体，所述横向导体的宽度大于等于所述水平导体的宽度；
[0018]在横向导体上开设调整凹槽，去除调整凹槽上的材料来增加调整凹槽的加工面积，直至电阻体的阻值达到设定阈值。
[0019]在本专利技术的一个实施例中，去除调整凹槽上的材料来增加调整凹槽的加工面积，包括：
[0020]通过去除调整凹槽的内侧面处的材料或者调整凹槽开口边缘的材料来调整所述电阻体的阻值。
[0021]在本专利技术的一个实施例中，所述电阻体通过金属冲格栅方式冲制出多个竖向导体和横向导体。
[0022]本专利技术的有益效果：
[0023]本专利技术的中间电阻体上的竖向导体通过横向导体进行连接形成S型结构，同时侧电阻体上的竖直导体通过水平导体连接形成S型结构，使得电流能流经更大的阻体范围，同等阻体面积下，对电阻器阻值范围能有更大的提升，极大地缩小了电阻器的体积，大阻值电阻器可使用更小的阻体，减小了外界环境对阻体的影响，通过调整侧电阻体和中间电阻体的图形以及凹槽加工深度的增减，使电阻器阻值达到需求。
附图说明
[0024]图1是本专利技术的一种大阻值功率型电阻体示意图。
[0025]图2是本专利技术的中间电阻体示意图。
[0026]图3是本专利技术的实施例一示意图。
[0027]图4是本专利技术的实施例二示意图。
[0028]图中标号说明：1、中间电阻体；11、横向导体；12、竖向导体；13、调整凹槽；14、装配槽；2、侧电阻体；21、水平导体；22、竖直导体；23、连接导体；3、第一连接点；31、第二连接点；32、第三连接点；34、第四连接点；4、电极；41、第一电极片；42、第二电极片；43、横向电极片；44、定位槽。
具体实施方式
[0029]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本专利技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本专利技术的限定。
[0030]参照图1
‑
2所示，一种大阻值功率型电阻体，包括：
[0031]中间电阻体1，其包括多个竖向导体12，相邻两竖向导体12之间设置有横向导体11；
[0032]侧电阻体2，分别设置在所述中间电阻体1两端，所述侧电阻体2包括多个竖直导体22，相邻竖直导体22之间设置有水平导体21，所述侧电阻体2通过连接导体23与所述竖向导体12连接；
[0033]其中，所述中间电阻体1的上方至少设置有两个横向导体11，所述横向导体11的宽度大于等于所述水平导体21的宽度，所述横向导体11上设置有调整凹槽13，通过调整所述调整凹槽13的加工深度以调整阻值，两横向导体11上的调整凹槽13相对设置形成装配槽14。
[0034]本专利技术的中间电阻体1上的竖向导体12通过横向导体11进行连接形成S型结构，同时侧电阻体2上的竖直导体22通过水平导体21连接形成S型结构，使得电流能流经更大的阻体范围，同等阻体面积下，对电阻器阻值范围能有更大的提升，极大地缩小了电阻器的体积，大阻值电阻器可使用更小的阻体，减小了外界环境对阻体的影响，通过调整侧电阻体2和中间电阻体1的图形以及凹槽加工深度的增减，使电阻器阻值达到需求。
[0035]本专利技术将电阻体变为S型样式，使电流在阻体内的流向受到控制。电流在这种流向下，可以在同等面积的阻体可以通过更多的阻体区域，使电阻器的阻值范围有更大的提升
[0036]在本专利技术的一个实施例中，所述横向导体11的宽度大于等于所述竖向导体12的宽度。
[0037]所述中间电阻体1与侧电阻体2为一体成型结构，其上的横向导体11、竖向导体12、竖直导体22以及水平导体21均是通过金属冲栅格的方式冲制而成，使得电阻体的整体呈现S型结构，有效保证电阻体的使用强度。
[0038]具体的，横向导体11的宽度大于等于所述竖向导体12的宽度，使得横向导体11做出调整凹槽13的同时横向导体11的整体的宽度以及横向导体11与竖向导体12的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大阻值功率型电阻体，其特征在于，包括：中间电阻体，其包括多个竖向导体，相邻两竖向导体之间设置有横向导体；侧电阻体，分别设置在所述中间电阻体两端，所述侧电阻体包括多个竖直导体，相邻竖直导体之间设置有水平导体，所述侧电阻体通过连接导体与所述竖向导体连接；其中，所述中间电阻体的上方至少设置有两个横向导体，所述横向导体的宽度大于等于所述水平导体的宽度，所述横向导体上设置有调整凹槽，通过调整所述调整凹槽的加工深度以调整阻值，两横向导体上的调整凹槽相对设置形成装配槽。2.如权利要求1所述的大阻值功率型电阻体，其特征在于，所述横向导体的宽度大于等于所述竖向导体的宽度。3.如权利要求1所述的大阻值功率型电阻体，其特征在于，两侧电阻体对称设置在所述中间电阻体上，且所述竖直导体与竖向导体之间的间距与所述两竖直导体之间的间距相同。4.如权利要求1所述的大阻值功率型电阻体，其特征在于，所述中间电阻体为电阻片，所述电阻片通过金属冲格栅方式冲制出多个横向导体和竖向导体。5.如权利要求1所述的大阻值功率型电阻体，其特征在于，所述竖向导体的长度小于所述竖直导体的长度，使得中间电阻体与两侧电阻体形成“凹”字型结构。6.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李智德，胡紫阳，周自洋，
申请(专利权)人：深圳市业展电子有限公司，
类型：发明
国别省市：