一种并联倒比尺寸电阻制造技术

本发明专利技术公开一种并联倒比尺寸电阻，属于集成电路技术领域，包括倒比尺寸电阻R1和倒比尺寸电阻R2，所述倒比尺寸电阻R1、所述倒比尺寸电阻R2在电学关系上并联；所述倒比尺寸电阻R1和所述倒比尺寸电阻R2的功能均是分流。所述倒比尺寸电阻R1的长度L1小于所述倒比尺寸电阻R1的宽度W1，所述倒比尺寸电阻R2的长度L2小于所述倒比尺寸电阻R2的宽度W2，所述倒比尺寸电阻R1的长度L1等于所述倒比尺寸电阻R2的长度L2，即L1＝L2；所述倒比尺寸电阻R1的宽度W1不等于所述倒比尺寸电阻R2的宽度W2，即W1≠W2。本发明专利技术能够通过倒比尺寸电阻设计，实现可以灵活设计的小阻值电阻。的小阻值电阻。的小阻值电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种并联倒比尺寸电阻


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种并联倒比尺寸电阻。

技术介绍

[0002]作为一种常见的无源元件，电阻在模拟集成电路设计、数字集成电路设计
应用广泛。电阻尺寸设计通常采用电阻的长度大于电阻的宽度(即L>W)，这严重限制了小阻值电阻的实现，特别是当电阻的长度远大于电阻的宽度(如L/W＝50/2)、电阻的方块阻值较大、电阻的方块阻值在不同工艺角下变化率较大时，这已经成为当前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种并联倒比尺寸电阻，以解决
技术介绍
中的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种并联倒比尺寸电阻，包括倒比尺寸电阻R1和倒比尺寸电阻R2，所述倒比尺寸电阻R1、所述倒比尺寸电阻R2在电学关系上并联；
[0005]所述倒比尺寸电阻R1和所述倒比尺寸电阻R2的功能均是分流。
[0006]在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻R1的长度L1小于所述倒比尺寸电阻R1的宽度W1，即L1<W1。
[0007]在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻R2的长度L2小于所述倒比尺寸电阻R2的宽度W2，即L2<W2。
[0008]在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻R1的长度L1等于所述倒比尺寸电阻R2的长度L2，即L1＝L2；所述倒比尺寸电阻R1的宽度W1不等于所述倒比尺寸电阻R2的宽度W2，即W1≠W2。
[0009]在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻R1、所述倒比尺寸电阻R2采用同种类型电阻，电阻类型包括N型多晶电阻、P型多晶电阻、N型注入电阻、P型注入电阻。
[0010]在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻R1、所述倒比尺寸电阻R2采用同种类型电阻，并且其方块阻值R
□
适当，而且不同电阻工艺角下方块阻值变化率较小。
[0011]在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻R1的阻值为R1＝L1/W1R
□
＝L/W1R
□
，所述倒比尺寸电阻R2的阻值为R2＝L2/W2R
□
＝L/W2R
□
，并联形成的所述并联倒比尺寸电阻R的阻值为R＝R1∥R2＝R1R2/(R1+R2)＝L/W1R
□
L/W2R
□
/(L/W1R
□
+L/W2R
□
)＝L/(W1+W2)R
□
。
[0012]在一种实施方式中，所述并联倒比尺寸电阻的阻值R能够根据需要选用电阻类型，或调整所述倒比尺寸电阻R1的长度L1、所述倒比尺寸电阻R2的长度L2，或调整所述倒比尺寸电阻R1的宽度W1与所述倒比尺寸电阻R2的宽度W2之和灵活设计。
[0013]在本专利技术提供的一种并联倒比尺寸电阻中，包括倒比尺寸电阻R1和倒比尺寸电阻R2，所述倒比尺寸电阻R1、所述倒比尺寸电阻R2在电学关系上并联。本专利技术能够通过倒比尺寸电阻设计，实现可以灵活设计的小阻值电阻。
附图说明
[0014]图1是本专利技术提供的一种并联倒比尺寸电阻结构示意图。
具体实施方式
[0015]以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的一种并联倒比尺寸电阻作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0016]本专利技术提供一种并联倒比尺寸电阻，其整体结构如图1所示，包括倒比尺寸电阻R1、倒比尺寸电阻R2；所述倒比尺寸电阻R1和所述倒比尺寸电阻R2的功能均是分流。
[0017]所述倒比尺寸电阻R1的尺寸为：长度L1＝10.5μm，宽度W1＝146.5μm。
[0018]所述倒比尺寸电阻R2的尺寸为：长度L2＝10.5μm，宽度W2＝200μm。
[0019]所述倒比尺寸电阻R1、所述倒比尺寸电阻R2采用同种类型电阻，同为npoly(N型多晶)电阻，或同为ppoly(P型多晶)电阻，或同为nplus(N型注入)电阻，或同为pplus(P型注入)电阻，或同为其他类型电阻。本实施例中，所述倒比尺寸电阻R1、所述倒比尺寸电阻R2均采用带sab(硅化物生成阻挡层)的npoly电阻。
[0020]所述带sab的npoly电阻restypical(电阻方块阻值中心值)工艺角下的方块阻值为R
□
＝346.4Ω/
□
，resfast(电阻方块阻值偏小)工艺角下的方块阻值为R
□
＝289.3Ω/
□
，resslow(电阻方块阻值偏大)工艺角下的方块阻值为R
□
＝403.5Ω/
□
，与restypical工艺角下的方块阻值相比，resfast工艺角下的方块阻值的变化率为
‑
16.5％，resslow工艺角下的方块阻值的变化率为+16.5％，即不同电阻工艺角下方块阻值变化率较小。
[0021]所述倒比尺寸电阻R1、所述倒比尺寸电阻R2的长度、宽度均较大，受工艺波动影响小，可实现的电阻阻值较精确。
[0022]restypical工艺角下，所述倒比尺寸电阻R1的阻值为R1＝L1/W1R
□
＝10.5/146.5
×
346.4Ω＝18.2Ω，所述倒比尺寸电阻R2的阻值为R2＝L2/W2R
□
＝10.5/200
×
346.4Ω＝24.8Ω，所述并联倒比尺寸电阻的阻值R为R＝R1∥R2＝R1R2/(R1+R2)＝L/W1R
□
L/W2R
□
/(L/W1R
□
+L/W2R
□
)＝L/(W1+W2)R
□
＝10.5/(146.5+200)
×
346.4Ω＝10.5Ω。
[0023]所述并联倒比尺寸电阻的阻值R可以灵活设计，即可以根据需要选用电阻类型，或调整所述倒比尺寸电阻R1的长度L1、所述倒比尺寸电阻R2的长度L2，或调整所述倒比尺寸电阻R1的宽度W1、所述倒比尺寸电阻R2的宽度W2之和(即W1+W2)。
[0024]上述描述仅是对本专利技术较佳实施例的描述，并非对本专利技术范围的任何限定，本专利
的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种并联倒比尺寸电阻，其特征在于，包括倒比尺寸电阻R1和倒比尺寸电阻R2，所述倒比尺寸电阻R1、所述倒比尺寸电阻R2在电学关系上并联；所述倒比尺寸电阻R1和所述倒比尺寸电阻R2的功能均是分流。2.如权利要求1所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述倒比尺寸电阻R1的长度L1小于所述倒比尺寸电阻R1的宽度W1，即L1<W1。3.如权利要求1所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述倒比尺寸电阻R2的长度L2小于所述倒比尺寸电阻R2的宽度W2，即L2<W2。4.如权利要求1所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述倒比尺寸电阻R1的长度L1等于所述倒比尺寸电阻R2的长度L2，即L1＝L2；所述倒比尺寸电阻R1的宽度W1不等于所述倒比尺寸电阻R2的宽度W2，即W1≠W2。5.如权利要求1所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述倒比尺寸电阻R1、所述倒比尺寸电阻R2采用同种类型电阻，电阻类型包括N型多晶电阻、P型多晶电阻、N型注入电阻、P型注入电阻。6.如权利要求5所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述倒比尺寸电阻R1、所述倒比尺寸电阻R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：于飞，林中瑀，钟道鸿，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：