可移动存储装置制造方法及图纸

当由可移动存储装置支持的消耗电流等级为多种消耗电流等级中与消耗电流值为最大的第1消耗电流等级不同的其它消耗电流等级时，由可移动存储装置从第1电源消耗的第1消耗电流值为由该其它消耗电流等级规定的与第1电源相关的第3容许电流值以下，由可移动存储装置从第2电源消耗的第2消耗电流值为由该其它消耗电流等级规定的与第2电源相关的第4容许电流值以下。流值以下。流值以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】可移动存储装置


[0001]本专利技术的实施方式涉及一种利用从主机供给的多种电源动作的可移动存储装置。

技术介绍

[0002]近年来，业界曾开发小型、高速并且大容量的可移动存储装置。
[0003]作为这样的可移动存储装置，已知有利用具有各不相同的电压的多种电源动作的可移动存储装置。
[0004]在这样的多电源结构的可移动存储装置的标准化时，谋求实现可容易进行为了使可移动存储装置的动作所需的主机侧的电源结构的设计的新的技术。
[0005][
技术介绍
文献][0006][专利文献][0007]专利文献1：日本特开2020
‑
173765号公报

技术实现思路

[0008][专利技术要解决的问题][0009]本专利技术的一实施方式要解决的问题是提供一种可容易进行主机侧的电源结构的设计的可移动存储装置。
[0010][解决问题的技术手段][0011]根据实施方式，可移动存储装置可对主机内的插座插入以及卸下，并且通过从所述主机供给的第1及第2电源动作。所述第1及第2电源具有各不相同的电压。所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种可移动存储装置，可对主机内的插座插入以及卸下，并且通过从所述主机供给的第1及第2电源而动作，所述第1及第2电源具有各不相同的电压；并且所述可移动存储装置包括：多个端子，包含：被供给所述第1电源的一个以上的第1电源端子、以及被供给所述第2电源的一个以上的第2电源端子；非易失性存储器；以及控制器，控制所述非易失性存储器；并且所述可移动存储装置构成为支持规定各不相同的多个消耗电流的多种消耗电流等级中的一个消耗电流等级，在所述多种消耗电流等级各者中，规定了与所述第1电源相关的消耗电流、以及与所述第2电源相关的消耗电流两者；当由所述可移动存储装置支持的所述一个消耗电流等级为所述多种消耗电流等级中消耗电流值为最大的第1消耗电流等级时，由所述可移动存储装置从所述第1电源消耗的第1消耗电流值为容许经由所述插座的端子与所述可移动存储装置的端子中间的接触电阻值从所述主机对所述可移动存储装置的所述一个以上的第1电源端子供给的最大电流值即第1容许电流值以下，由所述可移动存储装置从所述第2电源消耗的第2消耗电流值为容许经由所述接触电阻值从所述主机对所述可移动存储装置的所述一个以上的第2电源端子供给的最大电流值即第2容许电流值以下；当由所述可移动存储装置支持的所述一个消耗电流等级为与所述第1消耗电流等级不同的其它消耗电流等级时，所述第1消耗电流值为由所述其它消耗电流等级规定的与所述第1电源相关的第3容许电流值以下，所述第2消耗电流值为由所述其它消耗电流等级规定的与所述第2电源相关的第4容许电流值以下。2.根据权利要求1所述的可移动存储装置，其中所述第1容许电流值是基于所述第1电源的标称电压值、所述第1电源的电源变动率、所述接触电阻值、以及所述可移动存储装置的动作所需的所述第1电源的下限电压值而求得。3.根据权利要求2所述的可移动存储装置，其中所述第2容许电流值是基于所述第2电源的标称电压值、所述第2电源的电源变动率、所述接触电阻值、以及所述可移动存储装置的动作所需的所述第2电源的下限电压值而求得。4.根据权利要求1所述的可移动存储装置，其中所述第1容许电流值是将每一个电源端子的所述第1电源的容许电流值乘以所述第1电源端子的数量后的值；并且所述每一个电源端子的所述第1电源的所述容许电流值是基于所述第1电源的标称电压值、所述第1电源的电源变动率、所述接触电阻值、以及所述可移动存储装置的动作所需的所述第1电源的下限电压值而求得。5.根据权利要求4所述的可移动存储装置，其中所述第2容许电流值是将每一个电源端子的所述第2电源的容许电流值乘以所述第2电源端子的数量后的值；并且所述每一个电源端子的所述第2电源的所述容许电流值是基于所述第2电源的标称电压值、所述第2电源的电源变动率、所述接触电阻值、以及所述可移动存储装置的动作所需的所述第2电源的下限电压值而求得。6.根据权利要求1所述的可移动存储装置，其中将表示由所述可移动存储装置支持的所述一个消耗电流等级的信息、或表示基于所述可移动存储装置的所述第1及第2消耗电流
值与所述可移动存储装置的性能而将所述可移动存储装置分类的多种种类中的一个种类的信息，存储于可从所述主机读出的所述控制器内的缓存器。7.根据权利要求1所述的可移动存储装置，其中将表示由所述可移动存储装置支持的所述一个消耗电流等级的标志、或表示将所述可移动存储装置分类的所述一个种类的标志，标记在所述可移动存储装置的封装体的一表面。8.根据权利要求1所述的可移动存储装置，其中将表示与由所述可移动存储装置支持的所述一个消耗电流等级相关的信息的二维条形码、或表示与将所述可移动存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤敦志，藤本曜久，米澤遼，寺西正臣，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：