一种多取代含氮硫稠杂环聚合物及其制备方法、应用技术

本发明专利技术公开了一种多取代含氮硫稠杂环聚合物及其制备方法和应用。所述方法为：在惰性气体氛围下，将内炔单体、硫代酰胺单体、钴催化剂和添加剂在溶剂中溶解，充分反应后，得到反应液；所述内炔单体为二元内炔化合物；简单过滤后，将反应液加入到沉淀剂中进行沉淀，过滤干燥后得到多取代含氮硫稠杂环聚合物。本发明专利技术所述的制备方法底物种类丰富且廉价易得，反应条件较为温和，聚合反应产率高；制得的多取代含氮硫稠杂环聚合物结构新颖，具有优异的热稳定性和形貌稳定性，并且具有良好的后修饰潜力；所得含氮硫稠杂环聚合物及其后修饰产物具有特殊的聚集态发光性能，在光刻图案化、高折光指数材料以及梯度折射材料领域具有独特的应用价值。应用价值。应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种多取代含氮硫稠杂环聚合物及其制备方法、应用


[0001]本专利技术属于稠杂环聚合物制备
，具体涉及一种多取代含氮硫稠杂环聚合物及其制备方法、应用。

技术介绍

[0002]聚含氮硫稠杂环是一种特殊的功能聚合物，具有良好的热稳定性，特殊的光电性质，在光学器件，耐热材料等方面有着良好的应用潜力。含氮稠杂环聚合物往往体现出优异的电学性能：其结构中大量的氮原子会提供良好的电子传输能力；良好的光学性能：如高吸收系数；高荧光量子效率；同时由于稠杂环的共轭以及氮的配位作用会使聚合物链间作用增强而具有良好的物理机械性能，因此含氮稠杂环聚合物在众多领域具有广泛应用。含硫稠杂环聚合物也具有广泛的应用优势，如优异的热稳定性，高折光性能，自修复性已经增强介电性能等。而将两者结合的聚含氮硫稠杂环材料则兼具了两者的优势，因而在实际应用领域具有极大的潜力。
[0003]然而，现有的含氮硫稠杂环聚合物的结构基元种类仍非常匮乏，其主要原因在于缺少可以高效制备多取代含氮硫稠杂环聚合物的聚合方法。现有的用于制备相关稠杂环聚合物的合成方法往往存在单体预官能化过程复杂、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多取代含氮硫稠杂环聚合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：分别将内炔单体、硫代酰胺单体、催化剂和添加剂分散在溶剂中，在预设条件下反应，得到反应液；将所述反应液加入到沉淀剂中进行沉淀，沉淀后经过滤、干燥处理，得到多取代含氮硫稠杂环聚合物。2.根据权利要求1所述的多取代含氮硫稠杂环聚合物的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自甲苯、二甲基亚砜、N,N
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二甲基甲酰胺，1,4
‑
二氧六环和1，2
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二氯乙烷的至少一种；优选地，所述沉淀剂选自正己烷、甲醇、乙醚、乙醇和丙酮中的一种或多种；优选地，所述硫代酰胺单体：内炔单体的摩尔比为1:1；优选地，所述内炔单体的反应浓度为0.05
‑
0.10mol/L。3.根据权利要求1所述的多取代含氮硫稠杂环聚合物的制备方法，其特征在于，所述钴催化剂为羰基二碘(五甲基环戊二烯基)钴(III)、二氯(p
‑
甲基异丙苯)钌(II)二聚体和二氯(五甲基环戊二烯基)合铑(III)二聚体中的一种；优选地，所述催化剂用量为内炔单体摩尔用量的30％
‑
50％；优选地，所述添加剂包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为无水乙酸铜(II)、乙酸钠、乙酸钾、乙酸铯、二水合乙酸锌和乙酸银当中的一种；所述第二添加剂为六氟锑酸银、六氟锑酸钠、六氟磷酸钾和六氟磷酸钠中的一种；优选地，所述第一添加剂的用量为所述内炔单体用量的2.0
‑
3.5当量；优选地，所述第二添加剂的用量为所述内炔单体用量的30mol％
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60mol％；优选地，所述预设条件包括：反应温度为120
‑
140℃；反应时间为1.5h
‑
24h。4.根据权利要求1所述的多取代含氮硫稠杂环聚合物的制备方法，其特征在于，所述多取代含氮硫稠杂环聚合物的结构通式如式(1)所示：所述内炔单体的结构通式如式(2)所示：所述硫代酰胺单体的结构通式如式(3)所示：
其中，x、y、z、w分别为1
‑
200的整数；Ar1为芳基或芳基衍生物；Ar2为芳基或芳基衍生物；R为芳基，芳基衍生物或脂肪族取代基；优选地，所述Ar1选自以下结构式1
‑
23中的任意一种；所述Ar2选自以下结构式24
‑
28中的任意一种；*为连接处；其中，m、n为1
‑
20的整数；R1、R2相同或者不同，独立地为氢原子、卤素原子、烷基胺、烷基、烷氧基、烯丙基或芳基；R3、R4相同或者不同，独立的为氢原子、卤素原子、烷基
胺、烷基、烷氧基、烯丙基、酯基、硝基、氰基、芳杂环、芳基，或生物活性片段，所述生物活性片段包括：萜类、甾体、脂肪醇和维生素；X选自氧元素、硫元素或硒元素；Y，Z相同或者不同，独立的为碳元素、氧元素、氮元素或硫元素。5.一种多取代含氮硫稠杂环聚合物，其特征在于，所述多取代含氮硫稠杂环聚合物采用权利要求1

【专利技术属性】
技术研发人员：韩婷，范冬阳，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：