去除石墨件碳化硅沉积层的设备制造技术

本实用新型专利技术公开了去除石墨件碳化硅沉积层的设备，该设备包括设备本体、切割组件、控制组件、风机过滤机组、真空除尘装置和激光传感器，所述设备本体包括自上而下的第一腔体和第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体之间设有镂空操作台，所述第一腔体上设有进风口，所述镂空操作台上设有可拆卸的夹持工装；所述切割组件可移动地设在所述第一腔体的顶部；所述控制组件与所述切割组件连接；所述风机过滤机组设在所述设备本体上且与所述进风口连通；所述真空除尘装置设在所述第二腔体内。采用该设备可以有效去除石墨件碳化硅沉积层，并确保石墨件碳化硅涂层的完整性，进而减少因石墨件裸露在高温反应腔室中释放颗粒而产生的外延层缺陷。陷。陷。

【技术实现步骤摘要】
去除石墨件碳化硅沉积层的设备


[0001]本技术涉及碳化硅外延生长
，具体涉及一种去除石墨件碳化硅沉积层的设备。

技术介绍

[0002]目前，在碳化硅外延生产过程中，碳化硅将同步沉积在反应腔室内的石墨件上，沉积层过厚会导致热场温度不均匀，最终影响外延片沉积的反应速率和一致性。
[0003]现有的处理办法为手持碳化硅刀片或碳化硅片进行人工刮除，此方法在处理过程中对刮除厚度无法精准控制，可能对石墨件造成污染或损坏，从而导致在高温使用时因杂质颗粒造成外延层表面缺陷数量的增加，甚至造成碳化硅外延片废片。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种去除石墨件碳化硅沉积层的设备。采用该设备去除石墨件碳化硅沉积层，可以实现对石墨件碳化硅沉积层去除厚度的精准控制，并在有效去除石墨件碳化硅沉积层的同时，确保石墨件碳化硅涂层的完整性，进而减少因石墨件裸露在高温反应腔室中释放颗粒而产生的外延层缺陷。
[0005]在本技术的第一个方面，本技术提出了一种去除石墨件碳化硅沉积层的设备。根据本技术的实施例，所述去除石墨件碳化硅沉积层的设备包括：
[0006]设备本体，所述设备本体包括自上而下的第一腔体和第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体之间设有镂空操作台，所述第一腔体上设有进风口，所述镂空操作台上设有可拆卸的夹持工装；
[0007]切割组件，所述切割组件可移动地设在所述第一腔体的顶部；
[0008]控制组件，所述控制组件与所述切割组件连接；
[0009]风机过滤机组，所述风机过滤机组设在所述设备本体上且与所述进风口连通；
[0010]真空除尘装置，所述真空除尘装置设在所述第二腔体内且与所述第一腔体连通；
[0011]激光传感器，所述激光传感器设在所述第一腔体内，所述激光传感器与所述控制组件连接。
[0012]根据本技术上述实施例的去除石墨件碳化硅沉积层的设备，所述控制组件与所述切割组件连接，可以控制所述切割组件的移动位置，并控制所述切割组件的进刀尺寸和进刀速度，从而实现对石墨件碳化硅沉积层去除厚度的精准控制，由此，不仅可以有效去除石墨件碳化硅沉积层，还可以确保石墨件碳化硅涂层的完整性，进而减少因石墨件裸露在高温反应腔室中释放颗粒而产生的外延层缺陷；而所述激光传感器可以测量所述切割组件的位置信息，并将测量得到的所述切割组件的位置信息发送至所述控制组件，所述控制组件可以根据所述切割组件的位置信息控制所述切割组件的进刀尺寸和进刀速度，由此，进一步有利于实现对石墨件碳化硅沉积层去除厚度的精准控制；此外，所述第一腔体上的
进风口连通的风机过滤机组持续送入洁净的新风，并与所述第二腔体内的真空除尘装置的吸尘真空协同形成稳定的气流方向，不仅可以确保进入设备的空气洁净度和第一腔体的洁净度，减少对石墨件造成污染，还可以有效去除石墨件表面附着的松散颗粒，由此，可以进一步减少因石墨件裸露在高温反应腔室中释放颗粒而产生的外延层缺陷。
[0013]另外，根据本技术上述实施例的去除石墨件碳化硅沉积层的设备，还可以具有如下附加的技术特征：
[0014]优选地，所述第一腔体的侧壁上设有吸风口，所述吸风口与所述真空除尘装置连通。由此，可以进一步去除石墨件表面附着的松散颗粒，进而减少因石墨件裸露在高温反应腔室中释放颗粒而产生的外延层缺陷。
[0015]优选地，所述第一腔体外围设有第三腔体，所述第三腔体与所述第二腔体连通。
[0016]优选地，所述切割组件包括：三轴移动组件，所述三轴移动组件在所述第一腔体顶部可移动设置；主轴，所述主轴设在所述三轴移动组件的下方且与所述三轴移动组件的移动端相连；刀具，所述刀具设在所述主轴的下方且与所述主轴的下端连接。由此，可以有效去除石墨件碳化硅沉积层。
[0017]优选地，所述三轴移动组件包括：X轴移动组件，所述X轴移动组件的移动端两侧可移动地设有限位保护器；Y轴移动组件，所述Y轴移动组件的底部与所述X轴移动组件的移动端连接，所述Y轴移动组件的移动端两侧可移动地设有限位保护器；Z轴移动组件，所述Z轴移动组件的一侧与所述Y轴移动组件的移动端连接，所述Z轴移动组件的移动端与所述主轴连接，所述Z轴移动组件的移动端下方可移动地设有限位保护器；所述限位保护器均与所述控制组件连接。由此，可以确保石墨件碳化硅涂层的完整性。
[0018]优选地，所述Z轴移动组件的移动端上方设有限位保护器。由此，可以控制Z轴移动组件的移动端的移动位置，避免对设备造成损坏。
[0019]优选地，所述进风口设在所述第一腔体的顶部。由此，可以进一步有利于去除石墨件表面附着的松散颗粒，进而减少因石墨件裸露在高温反应腔室中释放颗粒而产生的外延层缺陷。
[0020]优选地，所述去除石墨件碳化硅沉积层的设备还包括排风系统，所述排风系统与所述真空除尘装置相连。
[0021]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0022]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0023]图1是根据本技术一个实施例的去除石墨件碳化硅沉积层的设备的结构示意图；
[0024]图2是根据本技术一个实施例的去除石墨件碳化硅沉积层的方法的流程示意图。
[0025]附图标记：
[0026]100、设备本体；110、第一腔体；111、进风口；112、吸风口；120、第二腔体；130、镂空
操作台；131、夹持工装；140、第三腔体；200、切割组件；210、三轴移动组件；220、主轴；230、刀具；300、风机过滤机组；400、真空除尘装置。
具体实施方式
[0027]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0028]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0029]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除石墨件碳化硅沉积层的设备，其特征在于，包括：设备本体，所述设备本体包括自上而下的第一腔体和第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体之间设有镂空操作台，所述第一腔体上设有进风口，所述镂空操作台上设有可拆卸的夹持工装；切割组件，所述切割组件可移动地设在所述第一腔体的顶部；控制组件，所述控制组件与所述切割组件连接；风机过滤机组，所述风机过滤机组设在所述设备本体上且与所述进风口连通；真空除尘装置，所述真空除尘装置设在所述第二腔体内且与所述第一腔体连通；激光传感器，所述激光传感器设在所述第一腔体内，所述激光传感器与所述控制组件连接。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一腔体的侧壁上设有吸风口，所述吸风口与所述真空除尘装置连通。3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述第一腔体外围设有第三腔体，所述第三腔体与所述第二腔体连通。4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述切割组件包括：三轴移动组件，所述三轴移动组件在所述第一腔体顶部...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈棽，江宏富，张春伟，林波，耿庆智，钟倩鸣，齐兰兰，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：