一种用于烧结陶瓷基板的氮化硼承烧炉具制造技术

一种用于烧结陶瓷基板的氮化硼承烧炉具，包括：从下至上依次嵌套堆叠的一个或一个以上的陶瓷基板承烧组件；每个所述陶瓷基板承烧组件，包括：一槽式承载板和置于所述槽式承载板内的一压板；所述槽式承载板的中部为第一沉槽部，用于放置陶瓷基板；所述压板的形状大小与所述第一沉槽部的形状大小相匹配，放置于所述第一凹沉槽部内的陶瓷基板上。本发明专利技术提供了一种可大幅提高陶瓷基板成品率的氮化硼承烧炉具。具。具。

【技术实现步骤摘要】
一种用于烧结陶瓷基板的氮化硼承烧炉具


[0001]本专利技术属于陶瓷基板的生产
，具体是指一种用于烧结陶瓷基板的氮化硼承烧炉具，用于制备陶瓷基板工艺中的排胶和烧结工序。

技术介绍

[0002]陶瓷基板是指氮化铝、氧化铝、氮化硅等陶瓷粉体混合烧结助剂经模压成型、流延成型、注凝成型等工艺制成大尺寸薄片生坯，多层堆叠于承烧炉具中经高温排胶、装配、气氛烧结所制得的超大导热陶瓷片。
[0003]中国专利技术专利(公开号为CN101333114A)公开了一种高导热氮化铝陶瓷基片的制备方法，其中陶瓷基片的烧结方法是：同样大小的氮化铝生坯间敷上氮化硼粉末，经多片叠层，然后放于氮化硼平板上，排胶后转移至氮化硼坩埚，进炉烧结得到氮化铝陶瓷基片。此方法需要大量氮化硼坩埚，成本较高；陶瓷基板叠层较多，极易滑移碎裂；基板层间温度不均造成基板弯曲、卷边、裂片；氮化硼坩埚须为高透气性多孔陶瓷，密度约为1.40
‑
1.45g/cm3，以满足排胶及烧结时杂质排除，不利于提高坩埚的强度和热导，存在寿命短、均温性差等问题。目前市场上普遍采取类似的方案烧结陶瓷基板。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种可大幅提高陶瓷基板成品率的氮化硼承烧炉具。
[0005]本专利技术是这样实现的：
[0006]一种用于烧结陶瓷基板的氮化硼承烧炉具，包括：从下至上依次嵌套堆叠的一个或一个以上的陶瓷基板承烧组件；
[0007]每个所述陶瓷基板承烧组件，包括：一槽式承载板和置于所述槽式承载板内的一压板；
[0008]所述槽式承载板的中部为第一沉槽部，用于放置陶瓷基板；
[0009]所述压板的形状大小与所述第一沉槽部的形状大小相匹配，放置于所述第一凹沉槽部内的陶瓷基板上。
[0010]进一步地，所述槽式承载板的第一沉槽部的周边具有第一外边缘部，所述第一外边缘部上设有第一凸起部；所述槽式承载板的底部周边设有第一凹槽部；
[0011]当所述陶瓷基板承烧组件的数量为两个或两个以上时，位于上方的所述槽式承载板的底部周边所述第一凹槽部恰好卡套于位于下方的所述槽式承载板的周边第一边缘部的第一凸起部形成相互嵌套的装配模式。
[0012]进一步地，所述依次嵌套堆叠的一个或一个以上的陶瓷基板承烧组件的最底部还设有一底部托板；
[0013]所述底部托板，包括：周边第二外边缘部和中部的第二沉槽部，所述周边第二外边缘部上设有第二凸起部；
[0014]位于最下方的所述槽式承载板的底部周边所述第一凹槽部恰好卡套于位于下方的所述底部托板的周边第二边缘部的第二凸起部形成相互嵌套的装配模式。
[0015]进一步地，位于最上方的所述陶瓷基板承烧组件的上方还设有一顶部封板，所述顶部封板的底部周边具有第二凹槽部；所述顶部封板覆盖于位于最上方的所述槽式承载板的周边第一外边缘部上，所述顶部封板底部周边第二凹槽部恰好卡套于所述槽式承载板的所述周边第一外边缘部的第一凸起部形成相互嵌套的装配模式。
[0016]进一步地，所述槽式承载板的第一沉槽部的周边设有多个第一透气孔。
[0017]进一步地，所述压板设有多个第二透气孔。
[0018]进一步地，所述槽式承载板的第一沉槽部的周边具有第一外边缘部，所述槽式承载板的底部中心具有第三凸起部；所述第三凸起部的高度小于所述第一沉槽部的深度；
[0019]当所述陶瓷基板承烧组件的数量为两个或两个以上时，位于上方的所述槽式承载板的底部中心的所述第三凸起部恰好置于位于下方的所述槽式承载板的中部第一沉槽部内形成相互嵌套的装配模式。
[0020]进一步地，所述依次嵌套堆叠的一个或一个以上的陶瓷基板承烧组件的最底部还设有一底部托板；
[0021]所述底部托板，包括：周边第二外边缘部和中部的第二沉槽部；
[0022]位于最下方的所述槽式承载板的底部第三凸起部恰好卡套于位于下方的所述底部托板的第二沉槽部形成相互嵌套的装配模式。
[0023]进一步地，位于最上方的所述陶瓷基板承烧组件的上方还设有一顶部封板，所述顶部封板的底部中心具有第四凸起部；所述顶部封板覆盖于位于最上方的所述槽式承载板上，所述第四凸起部恰好置于所述槽式承载板的中部第一沉槽部形成相互嵌套的装配模式；所述第四凸起部的高度小于所述第一沉槽部的深度。
[0024]进一步地，所述槽式承载板的第一沉槽部设有多个第三透气孔。
[0025]本专利技术的优点在于：
[0026]1、堆叠的多孔槽式承载板，具有宽幅的导热外边缘围绕槽式承载板四周并与上下槽式承载板充分接触，使热量经环绕外边缘均化后均匀传入槽式承载板并通过宽幅的外边缘堆叠传热实现上下槽式载板同温；
[0027]2、每组承烧组件内放置单片或双片陶瓷基板生坯，可使生坯与具有高导热的氮化硼载板及压板实现面接触，热量传入更加均匀、迅速、直接，并且在烧结过程中坯体的收缩阻力一致；
[0028]3、堆叠的层数较少且受结构宽幅外边缘围挡的限位，陶瓷基板生坯在后续工序中因滑移产生碎裂的概率近乎为零；
[0029]4、在生坯排胶前，完成陶瓷基板生坯的承放、烧结炉具的堆叠装配工作，避免了因多次的装配过程造成排胶后不具备任何强度的薄片坯体振动开裂，后续简单的转移过程极其利于自动化生产的实现；
[0030]5、在槽式承载板及压板上人为的制造透气孔，可以通过控制孔隙的大小、数量精确的匹配工艺过程中所需的气孔率，利于陶瓷基板生坯中胶体高温气化后排出及烧结过程中杂质相的挥发排除；
[0031]6、承烧炉具本体可以采用高密度、非透气性氮化硼陶瓷制造，提高密度可大幅提
升炉具的结构强度、热导，延长炉具使用寿命、进一步地均化炉具内温度，且便于炉具结构优化，提高单位空间内槽式承载板的数量，提高基板烧结数量降低生产成本。
附图说明
[0032]下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的描述。
[0033]图1是本专利技术第一实施例中的槽式承载板俯视立体结构示意图。
[0034]图2是本专利技术第一实施例中的槽式承载板仰视立体结构示意图。
[0035]图3是本专利技术第一实施例中的槽式承载板纵向剖面图。
[0036]图4是图3的局部(A部)放大示意图。
[0037]图5是本专利技术第一实施例中的压板结构示意图。
[0038]图6是本专利技术第一实施例中的底部托板主视图。
[0039]图7是本专利技术第一实施例中的顶部封板主视图。
[0040]图8是本专利技术第一实施例的氮化硼承烧炉具装配后的剖视图。
[0041]图9是图8的局部(B部)放大示意图。
[0042]图10是本专利技术第二实施例中的槽式承载板俯视立体结构示意图。
[0043]图11是本专利技术第二实施例中的槽式承载板仰视立体结构示意图。
[0044]图12是本专利技术第二实施例中的槽式承载板纵向剖面图。
[0045]图13是图12的局部(C部)放大示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于烧结陶瓷基板的氮化硼承烧炉具，其特征在于：包括：从下至上依次嵌套堆叠的一个或一个以上的陶瓷基板承烧组件；每个所述陶瓷基板承烧组件，包括：一槽式承载板和置于所述槽式承载板内的一压板；所述槽式承载板的中部为第一沉槽部，用于放置陶瓷基板；所述压板的形状大小与所述第一沉槽部的形状大小相匹配，放置于所述第一凹沉槽部内的陶瓷基板上。2.如权利要求1所述的一种用于烧结陶瓷基板的氮化硼承烧炉具，其特征在于：所述槽式承载板的第一沉槽部的周边具有第一外边缘部，所述第一外边缘部上设有第一凸起部；所述槽式承载板的底部周边设有第一凹槽部；当所述陶瓷基板承烧组件的数量为两个或两个以上时，位于上方的所述槽式承载板的底部周边所述第一凹槽部恰好卡套于位于下方的所述槽式承载板的周边第一边缘部的第一凸起部形成相互嵌套的装配模式。3.如权利要求2所述的一种用于烧结陶瓷基板的氮化硼承烧炉具，其特征在于：所述依次嵌套堆叠的一个或一个以上的陶瓷基板承烧组件的最底部还设有一底部托板；所述底部托板，包括：周边第二外边缘部和中部的第二沉槽部，所述周边第二外边缘部上设有第二凸起部；位于最下方的所述槽式承载板的底部周边所述第一凹槽部恰好卡套于位于下方的所述底部托板的周边第二边缘部的第二凸起部形成相互嵌套的装配模式。4.如权利要求2或3所述的一种用于烧结陶瓷基板的氮化硼承烧炉具，其特征在于：位于最上方的所述陶瓷基板承烧组件的上方还设有一顶部封板，所述顶部封板的底部周边具有第二凹槽部；所述顶部封板覆盖于位于最上方的所述槽式承载板的周边第一外边缘部上，所述顶部封板底部周边第二凹槽部恰好卡套于所述槽式承载板的所述周边第一外边缘部的第一凸起部形成相...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳锋，姜泽瀚，姜明，
申请(专利权)人：福州派尔盛陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：