一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台，属于双脉冲测试领域，其包括双脉冲测试单元、自动化测试单元、隔离单元和控制单元，其中：双脉冲测试单元用于与碳化硅MOSFET连接，以对其进行测试；自动化测试单元中MCU控制模块通过DAC模块与双脉冲测试单元连接，数据采集模块与双脉冲测试单元和MCU控制模块连接，数据存储模块与MCU控制模块连接；隔离单元设置在双脉冲测试单元和自动化测试单元之间；控制单元与MCU控制模块连接。本实用新型专利技术可以通过控制单元、MCU控制模块和DAC模块实现输入信号的自动调节，以及测试数据的实时采集和储存，极大地提高了双脉冲测试效率，并且有效简化了测试流程。并且有效简化了测试流程。并且有效简化了测试流程。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台


[0001]本技术属于双脉冲测试领域，更具体地，涉及一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台。

技术介绍

[0002]碳化硅MOSFET(金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管)是电力电子设备的关键组成部分，与硅材料相比碳化硅材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性，适用于更高的工作频率，同时还具有较高的高温稳定性。通常，对于碳化硅MOSFET通常使用双脉冲方式进行测试。
[0003]在对碳化硅MOSFET进行双脉冲测试时，为了获得较为详细的测试参数，需要对驱动电压、上下管的开通时间，即两个脉冲的宽度以及间隔时间进行调整，这样在测试过程中就需要不断对输入信号进行调整。同时，在测试过程中，还需要对驱动电压、回路电流等各种参数进行监视，以便对器件性能进行分析。现有技术中，对碳化硅MOSDET进行双脉冲测试时，整个过程需要不断利用人工对参数进行调节，每次测试完毕存储数据后，则需要人工调整参数后再进行下一次测试，从而造成了测试过程人工参与度高、效率低下。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的缺陷，本技术的目的在于提供一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台，旨在解决现有的双脉冲测试平台人工参与度高、效率低下的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台，该自动化双脉冲测试平台包括双脉冲测试单元、自动化测试单元、隔离单元和控制单元，其中：
[0006]所述双脉冲测试单元用于与碳化硅MOSFET连接，以对其进行测试；
[0007]所述自动化测试单元包括MCU控制模块、DAC模块、数据采集模块和数据存储模块，所述MCU控制模块通过DAC模块与双脉冲测试单元连接，以将MCU控制模块输出的数字电压转化为模拟值，并根据其驱动该双脉冲测试单元进行测试；所述数据采集模块与双脉冲测试单元和MCU控制模块连接，以实现测试数据的采集；所述数据存储模块与MCU控制模块连接，用于将采集的测试数据进行存储；
[0008]所述隔离单元设置在双脉冲测试单元和自动化测试单元之间；
[0009]所述控制单元与MCU控制模块连接，用于对其进行控制并获取测试数据，以此实现自动化测试。
[0010]作为进一步优选的，所述隔离单元包括驱动隔离模块和信号隔离模块，所述驱动隔离模块设置在DAC模块与双脉冲测试单元之间，所述信号隔离模块设置在双脉冲测试单元与数据采集模块之间。
[0011]作为进一步优选的，所述自动化双脉冲测试平台还包括无线数据传输单元，所述无线数据传输单元设置在控制单元和自动化测试单元之间，用于对控制信号和测试数据进
行无线传输。
[0012]作为进一步优选的，所述控制单元包括第一无线传输模块和控制模块，同时所述无线数据传输单元包括第二无线传输模块，其中：所述控制模块与第一无线传输模块连接，所述第二无线传输模块设置在MCU控制模块与第一无线传输模块之间。
[0013]作为进一步优选的，所述MCU控制模块为STM32F429及其外围电路。
[0014]作为进一步优选的，所述DAC模块为DAC7512及其附属电路。
[0015]作为进一步优选的，所述驱动隔离模块为CGD15SG00D2。
[0016]总体而言，通过本技术所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：
[0017]1.本技术与传统双脉冲平台相比，增加了自动化测试单元和控制单元，其中控制单元可以根据测试需求对控制信号的脉宽和间隔时间进行设置，MCU接收到控制信号后经过解析后，生成相应的控制指令并驱动双脉冲测试单元进行测试，从而在自动化测试逻辑的控制下，实现输入参数等步长的自动化调节，同时数据采集模块和数据存储模块对测试数据进行实时采集和存储，有效简化了测试流程，极大地提高了双脉冲测试效率；
[0018]2.同时，本技术通过设置无线数据传输单元，使得控制系统和MCU控制模块通过无线传输系统进行通信，从而实现对整个测试平台的远程控制和远程数据读取。
附图说明
[0019]图1是本技术实施例提供的用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台的结构图。
具体实施方式
[0020]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0021]如图1所示，本技术提供了一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台，该自动化双脉冲测试平台包括双脉冲测试单元、自动化测试单元、隔离单元和控制单元，其中：
[0022]双脉冲测试单元用于与碳化硅MOSFET连接，以对其进行测试；
[0023]自动化测试单元包括MCU控制模块、DAC模块、数据采集模块和数据存储模块，MCU控制模块通过DAC模块与双脉冲测试单元连接，以将MCU控制模块输出的数字电压转化为模拟值，并根据其驱动该双脉冲测试单元进行测试，从而实现对阈值电压的高精度调整，获取更为详细的器件特性参数；数据采集模块与双脉冲测试单元和MCU控制模块连接，以此实现测试数据的采集；数据存储模块与MCU控制模块连接，用于将采集的测试数据进行存储；
[0024]隔离单元设置在双脉冲测试单元和自动化测试单元之间，用于隔离双脉冲测试单元的高电压，其包括驱动隔离模块和信号隔离模块，驱动隔离模块设置在DAC模块与双脉冲测试单元之间，信号隔离模块设置在双脉冲测试单元与数据采集模块之间；
[0025]控制单元与MCU控制模块连接，用于对其进行控制并获取测试数据，以此实现自动化测试，其可根据测试的需求对控制信号的脉宽以及间隔时间进行设置，MCU控制模块接收
到控制信号后对脉宽及两个脉冲的间隔时间等信息进行解读后，生成两个相应的脉宽及间隔时间的脉冲，以完成测试，同时该控制单元还可以通过MCU控制模块实时获取测试数据。
[0026]本技术提供的用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台通过控制单元与自动化测试单元相互作用，实现了输入信号的自动调节，同时实现了对各种输出参数的实时监测和存储，极大提高了测试效率，简化了测试流程。
[0027]进一步，自动化双脉冲测试平台还包括无线数据传输单元，无线数据传输单元设置在控制单元和自动化测试单元之间，用于对控制信号和测试数据进行无线传输。控制单元包括第一无线传输模块和控制模块，同时无线数据传输单元包括第二无线传输模块，控制模块与第一无线传输模块连接，第二无线传输模块设置在MCU控制模块与第一无线传输模块之间。工作时，控制模块通过第一无线传输模块和第二无线传输模块向MCU控制模块发送相应的控制指令，MCU控制模块将接收到的指令解析后进行执行。例如，MCU控制模块收到读取数据指令后，MCU控制模块从数据存储模块中读取数据后，通过第二无线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台，其特征在于，该自动化双脉冲测试平台包括双脉冲测试单元、自动化测试单元、隔离单元和控制单元，其中：所述双脉冲测试单元用于与碳化硅MOSFET连接，以对其进行测试；所述自动化测试单元包括MCU控制模块、DAC模块、数据采集模块和数据存储模块，所述MCU控制模块通过DAC模块与双脉冲测试单元连接，以将MCU控制模块输出的数字电压转化为模拟值，并根据其驱动该双脉冲测试单元进行测试；所述数据采集模块与双脉冲测试单元和MCU控制模块连接，以实现测试数据的采集；所述数据存储模块与MCU控制模块连接，用于将采集的测试数据进行存储；所述隔离单元设置在双脉冲测试单元和自动化测试单元之间；所述控制单元与MCU控制模块连接，用于对其进行控制并获取测试数据，以此实现自动化测试。2.如权利要求1所述的用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台，其特征在于，隔离单元包括驱动隔离模块和信号隔离模块，所述驱动隔离模块设置在DAC模块与双脉冲测试单元之间，所述信号隔离模块设置在双脉冲测试单元与...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：武汉脉冲芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：