一种刻划深度调节装置、刀架系统及调节方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光栅刻划领域，具体涉及一种刻划深度调节装置、刀架系统及调节方法，刻划深度调节装置包括第一安装架、微调组件、第二安装架以及调距组件，刀架系统包括刀架底座、刀架、刻划刀以及刻划深度调节装置，通过设置第一磁铁以及第二磁铁，结合微分筒的微调特性，利用第一磁铁与第二磁铁之间的磁力大小，进行刻划刀的刻划深度调节，由于微分筒的调节精度在0.01mm，因此能够实现精度更高的光栅刻划深度调节，同时，第一磁铁与第二磁铁之间的磁力分布均衡且磁力稳定，无需频繁拆卸第一磁铁进行磁力更换，调节重复性高，光栅刻划深度的调节效率高且准确性高。节效率高且准确性高。节效率高且准确性高。

【技术实现步骤摘要】
一种刻划深度调节装置、刀架系统及调节方法


[0001]本专利技术涉及光栅刻划领域，具体涉及一种刻划深度调节装置、刀架系统及调节方法。

技术介绍

[0002]机械方法制作衍射光栅的原理是：利用光栅刻划刀在镀有铝膜或金膜的光栅基底上挤压成一系列的具有一定刻槽形状的、已定间距的光栅刻线。光栅槽形参数决定刻划光栅的效率等光栅性能指标，其中光栅槽的深度是重要指标之一。因此，高质量刻划光栅的制作对光栅刻槽深度的控制提出了较高的要求。
[0003]现行技术中，光栅刻槽深度的控制主要依靠光栅研制人员在光栅刻划刀的上方加减铅块借助铅块重量的变化使光栅刻划刀下降或上升进而控制光栅的刻槽深度，此方法操作繁琐，铅块放置的重复性差，进而造成槽形深度的重复性差。无法精准控制刻划刀的高度变化，容易出现因调整量不合适而反复调整的现象。因此，现有光栅刻槽深度调节方式效率低、准确性低、调节精度低、调节重复性差。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本专利技术提供了一种刻划深度调节装置、刀架系统及调节方法，解决了采用铅块进行光栅刻划深度调节所带来的准确性低、调节精度低、调节重复性差的问题。
[0005]为实现上述目的，在第一方面，本专利技术提供一种刻划深度调节装置，包括第一安装架、微调组件、第二安装架以及调距组件，第一安装架设置在刀架系统的刀架底座上；微调组件包括微分筒以及第一导杆，微分筒设置在第一安装架上，第一导杆与微分筒传动连接，微分筒用于在受力旋转时带动第一导杆沿第一方向移动；第二安装架设置在刀架系统的刀架上；调距组件包括第二导杆、第一磁铁以及第二磁铁，第二导杆与第一导杆连接，第一磁铁设置在第二导杆上，第二磁铁设置在第二安装架上，第一磁铁与第二磁铁之间具有第一间隙。
[0006]在一些实施例中，第一安装架上设有第一通道以及第二通道，第一通道的中心轴线与第二通道的中心轴线重合，且与第一方向平行，第一通道与第二通道连通；第一导杆设置在第一通道内；第二导杆设置在第二通道内。
[0007]在一些实施例中，调节装置还包括第一限位件以及弹性件，第一限位件设置在第二导杆靠近第一导杆的一端；弹性件套设在第二导杆上，弹性件置于第一限位件与第二通道的端部，且弹性件置于第二通道内。
[0008]在一些实施例中，调节装置还包括转接组件，转接组件包括第一转接件以及第二转接件，第一转接件设置在第二导杆远离第一导杆的一端，且具有第一容腔；第二转接件设置在第一转接件上，用于盖合第一容腔，第一磁铁置于第一容腔内，第二转接件上设有第一开口，第一磁铁的一部分伸出第一开口。
[0009]在一些实施例中，微调组件还包括测微头以及调钮，测微头与微分筒活动连接，用
于读取微分筒的移动尺寸；调钮设置在测微头的顶部，用于调节微分筒的转动圈数。
[0010]在一些实施例中，第二安装架上设有第三转接件，第三转接件具有第二容腔，第二磁铁置于第二容腔内。
[0011]在一些实施例中，第一磁铁与第二磁铁磁性相斥。
[0012]在第二方面，本专利技术还提供一种刀架系统，包括刀架底座、刀架、刻划刀以及刻划深度调节装置，刀架与刀架底座活动连接；刻划刀设置在刀架上；刻划深度调节装置为第一方面所述的刻划深度调节装置，第一安装架设置在刀架底座上，第二安装架设置在刀架上，在微分筒受力旋转时，带动第一导杆、第二导杆以及第一磁铁沿第一方向移动，使第一间隙的间距产生变化，带动刻划刀产生移动，以调节刻划刀在待刻划光栅上的刻划深度。
[0013]在一些实施例中，刀架系统还包括抬刀组件，抬刀组件包括第一抬刀杆以及第二抬刀杆，第一抬刀杆与第一安装架相对设置在刀架底座的两侧，第一抬刀杆可相对于刀架底座沿第一方向滑动，第一抬刀杆与第二抬刀杆连接，第二抬刀杆设置在第一抬刀杆与刀架之间。
[0014]在第三方面，本专利技术还提供一种光栅刻划深度调节方法，适用于第二方面所述的刀架系统，方法包括以下步骤：按照预设位置调整好刻划刀的刻划方向以及刻划深度；旋转微分筒，以使第一导杆、第二导杆以及第一磁铁沿第一方向移动，带动第二磁铁、刀架以及刻划刀产生位移，以调节刻划深度。
[0015]区别于现有技术，上述技术方案通过设置第一磁铁以及第二磁铁，结合微分筒的微调特性，利用第一磁铁与第二磁铁之间的磁力大小，进行刻划刀的刻划深度调节，由于微分筒的调节精度在0.01mm，因此能够实现精度更高的光栅刻划深度调节，同时，第一磁铁与第二磁铁之间的磁力分布均衡且磁力稳定，无需频繁拆卸第一磁铁进行磁力更换，调节重复性高，光栅刻划深度的调节效率高且准确性高。
[0016]上述
技术实现思路
相关记载仅是本申请技术方案的概述，为了让本领域普通技术人员能够更清楚地了解本申请的技术方案，进而可以依据说明书的文字及附图记载的内容予以实施，并且为了让本申请的上述目的及其它目的、特征和优点能够更易于理解，以下结合本申请的具体实施方式及附图进行说明。
附图说明
[0017]附图仅用于示出本专利技术具体实施方式以及其他相关内容的原理、实现方式、应用、特点以及效果等，并不能认为是对本申请的限制。
[0018]在说明书附图中：图1为本专利技术的刻划深度调节装置结构示意图；图2为本专利技术的刻划深度调节装置结构正视图；图3为本专利技术的刻划深度调节装置结构正面剖视图；图4为本专利技术的为光栅刻划刀架系统的整体结构示意图；图5为本专利技术的光栅刻划刀架系统的整体结构立体示意图。
[0019]其中的附图标记包括：1、测微头，101、调钮，102、微分筒，103、标尺，104第一通道，105第一导杆，2、第一固定部，3、第二固定部，4、弹性件，5、第二导杆，6、第一转接件，7、第二
转接件，8、第一磁铁，9、第二磁铁，10、第一刀架，11、刀架固定座，12、刻划刀，13、第二刀架，14、第一抬刀杆，15、第二抬刀杆，16、刀架底座。
具体实施方式
[0020]在下文中，将参考附图描述本专利技术的实施例。在下面的描述中，相同的模块使用相同的附图标记表示。在相同的附图标记的情况下，它们的名称和功能也相同。因此，将不重复其详细描述。
[0021]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，而不构成对本专利技术的限制。
[0022]请参阅图1
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图3，在第一方面，本实施例提供一种刻划深度调节装置，包括第一安装架、微调组件、第二安装架以及调距组件，第一安装架设置在刀架系统的刀架底座16上；微调组件包括微分筒102以及第一导杆105，微分筒102设置在第一安装架上，第一导杆105与微分筒102传动连接，微分筒102用于在受力旋转时带动第一导杆105沿第一方向移动；第二安装架设置在刀架系统的刀架上；调距组件包括第二导杆5、第一磁铁8以及第二磁铁9，第二导杆5与第一导杆105连接，第一磁铁8设置在第二导杆5上，第二磁铁9设置在第二安装架上，第一磁铁8与第二磁铁9之间具有第一间隙。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻划深度调节装置，其特征在于，包括：第一安装架，设置在刀架系统的刀架底座上；微调组件，包括微分筒以及第一导杆，所述微分筒设置在所述第一安装架上，所述第一导杆与所述微分筒传动连接，所述微分筒用于在受力旋转时带动所述第一导杆沿第一方向移动；第二安装架，设置在刀架系统的刀架上；调距组件，包括第二导杆、第一磁铁以及第二磁铁，所述第二导杆与所述第一导杆连接，所述第一磁铁设置在所述第二导杆上，所述第二磁铁设置在所述第二安装架上，所述第一磁铁与所述第二磁铁之间具有第一间隙。2.根据权利要求1所述的刻划深度调节装置，其特征在于，所述第一安装架上设有第一通道以及第二通道，所述第一通道的中心轴线与所述第二通道的中心轴线重合，且与第一方向平行，所述第一通道与所述第二通道连通；所述第一导杆设置在所述第一通道内；所述第二导杆设置在所述第二通道内。3.根据权利要求2所述的刻划深度调节装置，其特征在于，还包括：第一限位件，设置在所述第二导杆靠近所述第一导杆的一端；弹性件，套设在所述第二导杆上，所述弹性件置于所述第一限位件与所述第二通道的端部，且所述弹性件置于所述第二通道内。4.根据权利要求3所述的刻划深度调节装置，其特征在于，还包括：转接组件，所述转接组件包括：第一转接件，设置在所述第二导杆远离所述第一导杆的一端，且具有第一容腔；第二转接件，设置在所述第一转接件上，用于盖合所述第一容腔，所述第一磁铁置于所述第一容腔内，所述第二转接件上设有第一开口，所述第一磁铁的一部分伸出所述第一开口。5.根据权利要求1所述的刻划深度调节装置，其特征在于，所述微调组件还包括：测微头，与所述微分筒活动连接，用于读...

【专利技术属性】
技术研发人员：糜小涛，遆云赞，江思博，周敬萱，高键翔，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：