包含稠合环状化合物的发光装置、电子设备及所述化合物制造方法及图纸

本申请提供了稠合环状化合物、包含所述稠合环状化合物的发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。所述发光装置包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及所述稠合环状化合物。所述稠合环状化合物由式1表示：[式1]在说明书中提供了式1的描述。明书中提供了式1的描述。明书中提供了式1的描述。

【技术实现步骤摘要】
包含稠合环状化合物的发光装置、电子设备及所述化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年1月11日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2022
‑
0004301号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。


[0003]实施方案涉及包含稠合环状化合物的发光装置、包括所述发光装置的电子设备以及所述稠合环状化合物。

技术介绍

[0004]发光装置是自发射装置，其具有广视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。
[0005]在发光装置中，第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
[0006]应理解，该
技术介绍
部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及由式1表示的稠合环状化合物：[式1]其中在式1中，Y1是B或N，X1是O、S、B(R1)、N(R1)、C(R1)(R2)或Si(R1)(R2)，X2是O、S、B(R3)、N(R3)、C(R3)(R4)或Si(R3)(R4)，X3是O、S、B(R5)、N(R5)、C(R5)(R6)或Si(R5)(R6)，n1至n3各自独立地是0至3的整数，n1、n2和n3的和是1或大于1，当n1是0时，环CY1和环CY3不经由*
‑
(X1)
n1
‑
*'连接，当n2是0时，环CY2和环CY3不经由*
‑
(X2)
n2
‑
*'连接，当n3是0时，环CY1和环CY2不经由*
‑
(X3)
n3
‑
*'连接，环CY1至环CY3各自独立地是C3‑
C
30
碳环基团或C1‑
C
30
杂环基团，以及环CY1至环CY3中的两个或多于两个键合至由式1
‑
1表示的基团：[式1
‑
1]
其中在式1
‑
1中，Ar1是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
30
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团，以及L1、L2和L3各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
30
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
30
杂环基团，b1至b3各自独立地是0至3的整数，当b1是0时，*
‑
(L1)
b1
‑
*'是单键，当b2是0时，*
‑
(L2)
b2
‑
*'是单键，当b3是0时，*
‑
(L3)
b3
‑
*'是单键，以及*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，其中在式1和式1
‑
1中，R1至R6、R
10a
、R
10aa
、R
10ab
、R
10ac
、T1和T2各自独立地是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、除了芘基团之外的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、除了芘基团之外的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其组合取代的除了芘基团之外的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团或C6‑
C
60
芳硫基基团；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地是：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
60
烷氧基基团；或者各
自未取代的或者被氘、
‑
F、氰基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的除了芘基团之外的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，a1至a3各自独立地是0至3的整数，以及c1和c2各自独立地是0至9的整数。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述中间层包含所述稠合环状化合物。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包含所述稠合环状化合物。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述稠合环状化合物是荧光掺杂剂。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，所述中间层进一步包括：在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区；以及在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：李汦映，内城强，白长烈，申孝燮，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：