有机金属化合物、发光装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及有机金属化合物、包括其的发光装置和包括发光装置的电子设备。发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中发射层包括至少一种由式1表示的有机金属化合物：式1其中式1与本文中描述的相同。其中式1与本文中描述的相同。其中式1与本文中描述的相同。

【技术实现步骤摘要】
有机金属化合物、发光装置和电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2022年1月13日提交的韩国专利申请第10
‑
2022
‑
0005330号的优先权和权益，特此其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开的实施方式的一个或多个方面涉及有机金属化合物、包括其的发光装置和包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置是一种自发射装置，与相关领域的装置相比，其具有宽视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的卓越的或适当的特性，并且产生全色图像。
[0005]在发光装置中，第一电极位于基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁到基态，从而生成光。

技术实现思路

[0006]本公开的实施方式的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中：所述发射层包括至少一种由式1表示的有机金属化合物：式1并且其中，在式1中，M为过渡金属，CY1至CY3各自独立地为C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，Y1、Y2和Y3各自独立地为C或N，X
41
为N(E
41
)，X
42
为C(E
42
)，E
41
为*
‑
(L
41
)
a41
‑
R
41
，E
42
为*
‑
(L
42
)
a42
‑
R
42
，E
41
和E
42
彼此不连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
30
杂环基，*指示与相邻原子的结合位点，A1至A3各自独立地为化学键、O或S，T1至T3各自独立地为单键、双键、*
‑
N[(L
11
)
a11
‑
(R
1a
)]
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
P(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'或*
‑
C≡C
‑
*'，a1至a3各自独立地为选自1至3的整数，*和*'各自指示与相邻原子的结合位点，L
11
、L
41
和L
42
各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未
取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，a11、a41和a42各自独立地为选自1至3的整数，R1至R3、R
41
、R
42
、R
1a
和R
1b
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，选自R1至R3、R
1a
和R
1b
中的两个或更多个基团任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
30
杂环基，d1至d3各自独立地为选自1至10的整数，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未取代的或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合；各自未取代的或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基或C2‑
C
60
杂芳基烷基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；各自未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代的C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基；C7‑
C
60
芳基烷基；或C2‑
C
60
杂芳基烷基。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中：所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述夹层进一步包括在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层进一步包括第二化合物和第三化
合物，所述第二化合物包括至少一个缺π电子的含氮C1‑
C
60
环状基团，所述第三化合物包括由式3表示的基团：式3并且其中，在式3中，环CY
71
和环CY
72
各自独立地为富π电子的C3‑
C
60
环状基团或吡啶基，X
71
为单键或者包括O、S、N、B、C、Si或其任意组合的连接基团，并且*指示与所述第三化合物中的相邻原子的结合位点。4.根据权利要求3所述的发光装置，其中所述第二化合物和所述第三化合物中的至少一种为含硅化合物。5.根据权利要求3所述的发光装置，其中所述发射层配置为发射具有450nm至490nm的最大发射波长的光。6.一种电子设备，包括根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置。7.根据权利要求6所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中：所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的至少一个。8.根据权利要求6所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。9.一种由式1表示的有机金属化合物：式1
其中，在式1中，M为过渡金属，CY1至CY3各自独立地为C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，Y1、Y2和Y3各自独立地为C或N，X
41
为N(E
41
)，X
42
为C(E
42
)，E
41
为*
‑
(L
41
)
a41
‑
R
41
，E
42
为*
‑
(L
42
)
a42
‑
R
42
，E
41
和E
42
彼此不连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
30
杂环基，*指示与相邻原子的结合位点，A1至A3各自独立地为化学键、O或S，T1至T3各自独立地为单键、双键、*
‑
N[(L
11
)
a11
‑
(R
1a
)]
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
P(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'或*
‑
C≡C
‑
*'，a1至a3各...

【专利技术属性】
技术研发人员：安世环，姜一俊，高秀秉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：