【技术实现步骤摘要】
组合物、发光装置、电子设备、消费品和有机金属化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2021年11月30日提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0169402号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。
[0003]本公开的一个或多个实施方式涉及组合物、发光装置、包括发光装置的电子设备、消费品和有机金属化合物。
技术介绍
[0004]发光装置中的自发射装置(例如,有机发光装置)具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越的特性。
[0005]在发光装置中,第一电极在基板上,并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次在第一电极上。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动,并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子,比如空穴和电子,可在这样的发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态,从而生成光。
技术实现思路
[0006]提供了能够提供高发光效率和长寿命的组合物,有机金属化合物,具有高发光效率和长寿命的发光装置,包括发光装置的电子设备,和消费品。
[0007]实施方式的另外的方面将部分地在随后的描述中陈述,并且部分地将从描述中显而易见,或可通过本公开呈现的实施方式的实践而了解到。
[0008]根据一个或多个实施方式,
[0009]提供了组合物,该组合物包括由以下式1表示的有机金属化合物,和
[001 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种组合物,包括:i)由以下式1表示的有机金属化合物;和包含至少一个缺π电子的含氮的C1‑
C
60
环状基团的第二化合物,包含由以下式3表示的基团的第三化合物,能够发射延迟荧光的第四化合物,或其任何组合,其中所述有机金属化合物、所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同:式1其中,在式1中,M为铂、钯、金、镍、银或铜,X1至X4各自独立地为C或N,i)X1和M之间的键为配位键,并且ii)选自X2和M之间的键、X3和M之间的键以及X4和M之间的键中的一个为配位键,并且其他两个各自为共价键,环CY1、环CY2、环CY3和环CY4各自独立地为C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基,X
51
为单键、*
‑
N(R
51a
)
‑
*'、*
‑
B(R
51a
)
‑
*'、*
‑
P(R
51a
)
‑
*'、*
‑
C(R
51a
)(R
51b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
51a
)(R
51b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
51a
)(R
51b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(=O)
‑
*'、*
‑
S(=O)
‑
*'、*
‑
S(=O)2‑
*'、*
‑
C(R
51a
)=*'、*=C(R
51a
)
‑
*'、*
‑
C(R
51a
)=C(R
51b
)
‑
*'、*
‑
C(=S)
‑
*'或*
‑
C≡C
‑
*',X
52
为单键、*
‑
N(R
52a
)
‑
*'、*
‑
B(R
52a
)
‑
*'、*
‑
P(R
52a
)
‑
*'、*
‑
C(R
52a
)(R
52b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
52a
)(R
52b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
52a
)(R
52b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(=O)
‑
*'、*
‑
S(=O)
‑
*'、*
‑
S(=O)2‑
*'、*
‑
C(R
52a
)=*'、*=C(R
52a
)
‑
*'、*
‑
C(R
52a
)=C(R
52b
)
‑
*'、*
‑
C(=S)
‑
*'或*
‑
C≡C
‑
*',L1为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,b1为选自1至5的整数,R1至R4、R
42
、R
51a
、R
51b
、R
52a
、R
52b
和T1各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝
基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C7‑
C
60
芳基烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(=O)(Q1)、
‑
S(=O)2(Q1)或
‑
P(=O)(Q1)(Q2),其中R
42
既不是氢也不是氘,R
41
和R
44
各自独立地为氢或氘,a1、a2、a3、a4、c1和n1各自独立地为选自0至20的整数,数量为a1的R1中的两个或更多个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,数量为a2的R2中的两个或更多个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,数量为a3的R3中的两个或更多个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,数量为a4的R4中的两个或更多个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,R1至R4、R
51a
、R
51b
、R
52a
和R
52b
中的两个或更多个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,R
10a
为:氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基;各自未被取代或被下述取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基:氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(=O)(Q
11
)、
‑
S(=O)2(Q
11
)、
‑
P(=O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合;各自未被取代或被下述取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基或C2‑
C
60
杂芳基烷基:氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(=O)(Q
21
)、
‑
S(=O)2(Q
21
)、
‑
P(=O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合;或
‑
O(Q
31
)、
‑
S(Q
31
)、
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
P(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(=O)(Q
31
)、
‑
S(=O)2(Q
31
)或
‑
P(=O)(Q
31
)(Q
32
),并且Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为:氢;氘;
‑
F;
‑
Cl;
‑
Br;
‑
I;羟基;氰基;硝基;或者各自未被取代或被下述取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基:氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合,式3
其中,在式3中,环CY
71
和环CY
72
各自独立地为富π电子的C3‑
C
60
环状基团或吡啶基,X
71
为单键或包含O、S、N、B、C、Si或其任何组合的连接基团,并且*指示与式3中的相邻原子的结合位点。2.如权利要求1所述的组合物,包括:由式1表示的所述有机金属化合物;和所述第二化合物。3.如权利要求1所述的组合物,其中由式1表示的所述有机金属化合物在5.0x 10
‑5托至1.0x 10
‑3托的压力下的相变温度和所述第二化合物在5.0x 10
‑5托至1.0x 10
‑3托的压力下的相变温度之差的绝对值为10℃或更小。4.一种发光装置,包括:第一电极;面向所述第一电极的第二电极;在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的夹层;和由以下式1表示的有机金属化合物:式1其中,在式1中,M为铂、钯、金、镍、银或铜,X1至X4各自独立地为C或N,
i)X1和M之间的键为配位键,并且ii)选自X2和M之间的键、X3和M之间的键以及X4和M之间的键中的一个为配位键,并且其他两个各自为共价键,环CY1、环CY2、环CY3和环CY4各自独立地为C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基,X
51
为单键、*
‑
N(R
51a
)
‑
*'、*
‑
B(R
51a
)
‑
*'、*
‑
P(R
51a
)
‑
*'、*
‑
C(R
51a
)(R
51b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
51a
)(R
51b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
51a
)(R
51b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(=O)
‑
*'、*
‑
S(=O)
‑
*'、*
‑
S(=O)2‑
*'、*
‑
C(R
51a
)=*'、*=C(R
51a
)
‑
*'、*
‑
C(R
51a
)=C(R
51b
)
‑
*'、*
‑
C(=S)
‑
*'或*
‑
C≡C
‑
*',X
52
为单键、*
‑
N(R
52a
)
‑
*'、*
‑
B(R
52a
)
‑
*'、*
‑
P(R
52a
)
‑
*'、*
‑
C(R
52a
)(R
52b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
52a
)(R
52b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
52a
)(R
52b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(=O)
‑
*'、*
‑
S(=O)
‑
*'、*
‑
S(=O)2‑
*'、*
‑
C(R
52a
)=*'、*=C(R
52a
)
‑
*'、*
‑
C(R
52a
)=C(R
52b
)
‑
*'、*
‑
C(=S)
‑
*'或*
‑
C≡C
‑
*',L1为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,b1为选自1至5的整数,R1至R4、R
42
、R
51a
、R
51b
、R
52a
、R
52b
和T1各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C7‑
C
60
芳基烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(=O)(Q1)、
‑
S(=O)2(Q1)或
‑
P(=O)(Q1)(Q2),其中R
42
既不是氢也不是氘,R
41
和R
44
各自独立地为氢或氘,a1、a2、a3、a4、c1和n1各自独立地为选自0至20的整数,数量为a1的R1中的两个或更多个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,数量为a2的R2中的两个或更多个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,数量为a3的R3中的两个或更多个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,数量为a4的R4中的两个或更多个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,R1至R4、R
51a
、R
51b
、R
52a
和R
52b
中的两个或更多个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基,R
10a
为:氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基;各自未被取代或被下述取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基:氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(=O)
(Q
11
)、
‑
S(=O)2(Q
11
)、
‑
P(=O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合;各自未被取代或被下述取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基或C2‑
C
60
杂芳基烷基:氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(=O)(Q
21
)、
‑
S(=O)2(Q
21
)、
‑
P(=O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合;或
‑
O(Q
31
)、
‑
S(Q
31
)、
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
P(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(=O)(Q
31
)、
‑
S(=O)2(Q
31
)或
‑
P(=O)(Q
31
)(Q
32
),并且Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
2...
【专利技术属性】
技术研发人员:高秀秉,申秀珍,李炫汀,金性范,安恩秀,全美那,朱真熙,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:
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