有机发光二极管和具有该有机发光二极管的有机发光装置制造方法及图纸

本公开内容涉及一种有机发光二极管(OLED)，其中至少一个发光材料层包括具有以下式1的结构的掺杂剂和具有芴基部分的(杂)芳基胺基材料和/或吖嗪基材料，以及涉及一种包括该OLED的有机发光装置。包括所述主体和所述掺杂剂的OLED和有机发光装置能够提高其发光效率和发光寿命。[式1]Ir(L

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管和具有该有机发光二极管的有机发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月26日在韩国提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0165654号的优先权，在此明确将其整体内容并入本申请中。


[0003]本公开内容涉及一种有机发光二极管，且更具体地，涉及一种具有改进的发光效率和发光寿命的有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置。

技术介绍

[0004]作为迅速取代液晶显示装置(LCD)的显示装置，广泛使用的平板显示装置中的有机发光二极管(OLED)已成为焦点。OLED可以形成小于的有机薄膜，并且可以通过电极配置实现单向或双向图像。此外，OLED甚至可以形成在诸如塑料基板的柔性透明基板上，从而使用所述OLED可以容易地实现柔性或可折叠显示装置。此外，OLED可以在较低电压下驱动，与LCD相比，OLED具有优异的高色纯度。
[0005]由于荧光材料在发光过程中仅使用单重态激子能量，因此现有技术的荧光材料显示出较低的发光效率。相反，磷光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；和发光层，所述发光层设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括至少一个发光材料层，其中所述至少一个发光材料层包括主体和掺杂剂，其中所述掺杂剂包括具有以下式1的结构的有机金属化合物：[式1]Ir(L
A
)
m
(L
B
)
n
其中，在式1中，L
A
具有以下式2的结构；L
B
为具有以下式3的结构的辅助配体；m为1至3的整数；n为0至2的整数；并且m+n为3；[式2]其中，在式2中，X1和X2各自独立地为CR7或N；X3至X5各自独立地为CR8或N，并且X3至X5的至少一者为CR8；X6至X9各自独立地为CR9或N，并且X6至X9的至少一者为CR9；R1至R9各自独立地为氢、氕、氘、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C1‑
C
20
杂烷基、未取代或取代的C2‑
C
20
烯基、未取代或取代的C2‑
C
20
杂烯基、未取代或取代的C1‑
C
20
烷氧基、羧基、腈、异腈、磺胺基、膦、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未取代或取代的C4‑
C
30
脂环基、未取代或取代的C3‑
C
30
杂脂环基、未取代或取代的
C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基，并且其中当b为2或更大的整数时，每个R6彼此相同或不同；可选地，R1至R5之中的两个相邻基团，和/或当b为2或更大的整数时两个相邻R6，和/或X3和X4或X4和X5，和/或X6和X7、X7和X8、或X8和X9、进一步直接或间接连接在一起形成未取代或取代的C4‑
C
20
脂环、未取代或取代的C3‑
C
20
杂脂环、未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环；a为0至2的整数；并且b为0至4的整数，[式3]并且其中所述主体包括具有以下式7的结构的第一主体和具有以下式9的结构的第二主体：[式7]其中，在式7中，R
41
和R
42
各自独立地为氢、氘、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基，可选地，C6‑
C
30
芳基和C3‑
C
30
杂芳基上的每个取代基独立地未被取代或被C6‑
C
30
芳基和C3‑
C
30
杂芳基中的至少一种进一步取代，或R
41
和R
42
形成未取代或取代的C6‑
C
30
螺芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
螺杂芳环；R
43
至R
46
各自独立地为氢、氘、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基氨基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基氨基，可选地，C6‑
C
30
芳基、C3‑
C
30
杂芳基、C6‑
C
30
芳基氨基和C3‑
C
30
杂芳基氨基上的每个取代基独立地未被取代或被C6‑
C
30
芳基和C3‑
C
30
杂芳基中的至少一种进一步取代，其中当p为2或更大的整数时，每个R
43
彼此相同或不同，当q为2或更大的整数时，每个R
44
彼此相同或不同；L为单键、未取代或取代的C6‑
C
30
芳撑基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳撑基，可选地，C6‑
C
30
芳撑基和C3‑
C
30
杂芳撑基各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环形成螺结构；Ar1和Ar2各自独立地为未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环；
p为0至4的整数；和q为0至3的整数，[式9]其中，在式9中，R
51
和R
52
各自独立地为未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；R
53
为氢或未取代或取代的C6‑
C
30
芳基，可选地，C6‑
C
30
芳基与未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环形成螺结构；L为单键、未取代或取代的C6‑
C
30
芳撑基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳撑基，可选地，C6‑
C
30
芳撑基和C3‑
C
30
杂芳撑基各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环形成螺结构；Y1、Y2和Y3各自独立地为CR
54
或N，其中Y1、Y2和Y3的至少一者为N；R
54
独立地为氢、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基，可选地，C6‑
C
30
芳基和C3‑
C
30
杂芳基各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环形成螺结构；并且Z为O或S。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中L
A
具有以下式4A或式4B的结构：[式4A]
[式4B]
其中，在式4A和式4B中，R1至R6和b的每一者与式2中定义的相同；R
11
至R
14
各自独立地为氢、氕、氘、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C1‑
C
20
杂烷基、未取代或取代的C2‑
C
20
烯基、未取代或取代的C2‑
C
20
杂烯基、未取代或取代的C1‑
C
20
烷氧基、羧基、腈、异腈、磺胺基、膦、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未取代或取代的C4‑
C
30
脂环基、未取代或取代的C3‑
C
30
杂脂环基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；可选地，当d为2或更大的整数时两个相邻R
13
，和/或当e为2或更大的整数时两个相邻R
14
进一步直接或间接连接在一起形成未取代或取代的C4‑
C
20
脂环、未取代或取代的C3‑
C
20
杂脂环、未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环；c为0或1的整数；d为0至3的整数；并且e为0至4的整数。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中L
A
具有以下式4C或式4D的结构：[式4C]
[式4D]
其中，在式4C和式4D中，R1至R6和b的每一者与式2中定义的相同；R
11
至R
14
各自独立地为氢、氕、氘、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C1‑
C
20
杂烷基、未取代或取代的C2‑
C
20
烯基、未取代或取代的C2‑
C
20
杂烯基、未取代或取代的C1‑
C
20
烷氧基、羧基、腈、异腈、磺胺基、膦、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未取代或取代的C4‑
C
30
脂环基、未取代或取代的C3‑
C
30
杂脂环基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；可选地，当d为2或更大的整数时两个相邻R
13
，和/或当e为2或更大的整数时两个相邻R
14
进一步直接或间接连接在一起形成未取代或取代的C4‑
C
20
脂环、未取代或取代的C3‑
C
20
杂脂环、未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环；c为0或1的整数；d为0至3的整数；并且e为0至4的整数。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中L
B
具有以下式5A或式5B的结构：[式5A][式5B]其中，在式5A和式5B中，R
21
、R
22
和R
31
至R
33
各自独立地为氢、氕、氘、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C1‑
C
20
杂烷基、未取代或取代的C2‑
C
20
烯基、未取代或取代的C2‑
C
20
杂烯基、未取代或取代的C1‑
C
20
烷氧基、羧基、腈、异腈、磺胺基、膦、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未取代或取代的C4‑
C
30
脂环基、未取代或取代的C3‑
C
30
杂脂环基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；可选地，
当f为2或更大的整数两个相邻R
21
，和/或当g为2或更大的整数时两个相邻R
22
，和/或R
31
和R
32
、或R
32
和R
33
进一步直接或间接连接在一起形成未取代或取代的C4‑
C
20
脂环、未取代或取代的C3‑
C
20
杂脂环、未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环；并且f和g各自为0至4的整数。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中X1为CR7，X2为CR7或N，X3至X5各自独立地为CR8，X6至X9各自独立地为CR9，R7至R9的每一者与式2中定义的相同。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述有机金属化合物选自以下化合物：
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一主体选自以下化合物：
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第二主体选自以下化合物：
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述发光层包括：第一发光部，所述第一发光部设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括第一发光材料层；第二发光部，所述第二发光部设置在所述第一发光部与所述第二电极之间并且包括第二发光材料层；以及第一电荷产生层，所述第一电荷产生层设置在所述第一发光部和所述第二发光部之间，并且其中所述第一发光材料层和所述第二发光材料层的至少一者包括所述主体和所述掺杂剂。10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第二发光材料层包括设置在所述第一电荷产生层和所述第二电极之间的第一层以及设置在所述第一层和所述第二电极之间的第二层，并且其中所述第一层和所述第二层之一包括所述主体和所述掺杂剂。11.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中所述第二发光材料层进一步包括设置在所述第一层和所述第二层之间的第三层。12.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述发光层进一步包括设置在所述第二发光部和所述第二电极之间并且包括第三发光材料层的第三发光部、以及设置在所述第二发光部和所述第三发光部之间的第二电荷产生层。13.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述第二发光材料层包括设置在所述第一电荷产生层和所述第二电极之间的第一层以及设置在所述第一层和所述第二电极之间的第二层，并且
其中所述第一层和所述第二层之一包括所述主体和所述掺杂剂。14.一种有...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：