有机金属化合物、包括其的发光装置和电子设备制造方法及图纸

本申请提供了有机金属化合物和包括其的发光装置。有机金属化合物由式1表示。发光装置包括第一电极，面向第一电极的第二电极，以及在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，其中发射层包括有机金属化合物。本申请还提供了包括发光装置的电子设备。[式1]式1的描述与说明书中相同。明书中相同。明书中相同。

【技术实现步骤摘要】
有机金属化合物、包括其的发光装置和电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2021年11月12日提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0156046号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]实施方式涉及有机金属化合物、包括其的发光装置和包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置为自发射装置，其与相关领域的装置比较，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越特性，并且产生全色图像。
[0005]在发光装置中，第一电极位于基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝着发射层移动，且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态从而生成光。
[0006]应理解该
技术介绍
章节部分旨在提供用于理解技术的有用背景。然而，该
技术介绍
章节还可以包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；和在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的夹层，其中所述发射层包括至少一种由式1表示的有机金属化合物：[式1]其中在式1中，M为过渡金属，CY1至CY5各自独立地为C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，Y1至Y4各自独立地为C或N，A1至A4各自独立地为化学键、O或S，T1至T3各自独立地为单键、双键、*
‑
N[(L1)
b1
‑
(R
1a
)]
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
P(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'或*
‑
C≡C
‑
*'，a1至a3各自独立地为选自1至3的整数，L1为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，b1为选自0至3的整数，Z1为Se或Te，当Z1为Se时，CY3和CY5中的至少一个为缺π电子的含氮C1‑
C
60
环状基团，R
1a
、R
1b
和R1至R5各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、
未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，d1至d5各自独立地为选自0至10的整数，R
1a
、R
1b
和R1至R5中的两个或更多个相邻基团任选地彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
30
杂环基，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未被取代的或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合；各自未被取代的或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基或C6‑
C
60
芳硫基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或者各自未被取代的或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基：氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述夹层进一步包括：在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区；和在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且所述电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层进一步包括由式1A、式301
‑
1或式301
‑
2表示的化合物：[式1A]
[式301
‑
1][式301
‑
2]其中在式1A中，X
51
为C(R
51
)或N，X
52
为C(R
52
)或N，X
53
为C(R
53
)或N，X
51
至X
53
中的至少一个为N，L
54
至L
56
各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、
‑
C(Q
51
)(Q
52
)
‑
、
‑
Si(Q
51
)(Q
52
)
‑
、
‑
B(Q
51
)
‑
或
‑
N(Q
51
)
‑
，a54至a56各自独立地为选自1至5的整数，R
51
至R
56
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，b54至b56各自独立地为选自1至5的整数，Q1至Q3和R
51
至R
56
中的两个或更多个相邻基团任选地彼此连接，以形成未取代的或被至
少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
30
杂环基，并且其中在式301
‑
1和式301
‑
2中，环A
301
至环A
304
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，X
301
为O、S、N[(L
304
)
xb4
‑
R
304
]、C(R
304
)(R
305
)或Si(R
304
)(R
305
)，xb22和xb23各自独立地为0、1或2，L
301
至L
304
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，xb1至xb4各自独立地为选自0至5的整数，R
301
至R
305
和R
311
至R
314
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、
‑
Si(Q
301
)(Q
302
)(Q
303
)、
‑
N(Q
301
)(Q
302
)、
‑
B(Q
301
)(Q
302
)、
‑
C(＝O)(Q
301
)、
‑
S(＝O)2(Q
301
)或
‑
P(＝O)(Q
301
)(Q
302
)，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未被取代的或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合；各自未被取代的或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基或C6‑
C
60
芳硫基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
、Q
31
至Q
33
、Q
51
、Q
52
和Q
301
至Q
303
各自独立地为氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或者各自未被取代的或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基：氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层进一步包括荧光化合物、满足方程式1的TADF化合物或其任意组合：[方程式1]
△
E
ST
＝S1
‑
T1≤0.3eV其中在方程式1中，S1为所述TADF化合物的最低激发单重态能级(eV)，并且T1为所述TADF化合物的最低激发三重态能级(eV)。5.如权利要求1所述的发光装置，其中基于总计100重量份的所述发射层，所述至少一
种由式1表示的有机金属化合物的量在0.01重量份至49.99重量份的范围内。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射CIE
y
等于或小于0.20的光。7.一种电子设备，包括如权利要求1至6中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：李银永，姜一俊，安恩秀，李在晟，李炫汀，韩定勳，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：