一种异质结IBC太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种异质结IBC太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：硅片正面沉积钝化减反膜并清洗后，在硅片背面沉积本征非晶硅薄膜；在本征非晶硅薄膜上预分层，形成交错排列且均匀间隔的第一区和第二区，相邻的所述第一区和第二区之间形成间隙区；在第一区上掺杂磷形成N+区，在第二区上掺杂硼形成P+区；再进行退火，使N+区的磷元素和P+区的硼元素扩散到间隙区。本发明专利技术的一种异质结IBC太阳能电池的制备方法，通过在硅片背面掺杂了磷和硼的N+区和P+区间留出间隙区，再将硅片退火处理，使P+区和N+区中的掺杂原子分别进行横向扩散进入间隙区，两种元素在间隙区的不完全或不充分掺杂，大大降低间隙区内的复合，从而有效改善电池的电性能。改善电池的电性能。改善电池的电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种异质结IBC太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于光伏组件
，具体涉及一种异质结IBC太阳能电池的制备方法及利用该制备方法制备得到的异质结IBC太阳能电池。

技术介绍

[0002]传统的IBC(Interdigitated Back Contact)电池，背面分别进行硼和磷的局部扩散，形成指交叉排列的P+和N+区，同时两个掺杂区中间需要存在一个间隙 (gap)，因为P+和N+区直接相连的话，该区域会产生横向漏电，形成IBC电池的较大的复合区域。一般的间隙区域有以下几种处理方法：一种方法为直接用激光在此区域内开槽，形成P+和N+区域的间隙区域，这种用激光开槽的方法，容易对硅片造成损伤；另一种方法为在沉积P+和N+区时，通过掩膜将这一区域屏蔽，不对这一部分进行任何掺杂，这种方法虽然也可以形成间隙区域，但这一区域由于只是进行了简单的表面钝化，相对于背面的P+和N+区域，其复合还是很高，从而不利于电池效率的进一步提升。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，为了克服现有技术的缺陷和达到上述目的，本专利技术的目的是提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：硅片正面沉积钝化减反膜并清洗后，在硅片背面沉积本征非晶硅薄膜；接着在本征非晶硅薄膜上进行预分层，形成交错排列且均匀间隔的第一区和第二区，相邻的所述第一区和第二区之间形成间隙区；在第一区上掺杂磷形成N+区，在第二区上掺杂硼形成P+区；再进行退火，使N+区的磷元素和P+区的硼元素扩散到间隙区。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述间隙区包括相连的第一部和第二部，所述第一部靠近相邻的所述N+区，所述第二部靠近相邻的所述P+区；所述第一部内扩散有磷元素，所述第二部内扩散有硼元素；在每个所述间隙区内，所述第一部内的磷元素的浓度由远离所述第二部的一侧向靠近第二部的一侧逐渐降低，所述第二部内的硼元素的浓度由远离所述第一部的一侧向靠近第一部的一侧逐渐降低。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述第一部与第二部重合的区域，所述磷元素的浓度与硼元素的浓度相等。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述N+区内掺杂的磷的浓度大于所述第一部内的磷元素的浓度，所述P+区内掺杂的硼的浓度大于所述第二部内的硼元素的浓度。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一部的宽度为8
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40μm，所述第二部的宽度为1
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15μm，所述间隙区的宽度为10
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50μm。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为180
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【专利技术属性】
技术研发人员：戴燕华，赵福祥，
申请(专利权)人：韩华新能源启东有限公司，
类型：发明
国别省市：