纳米材料、纳米材料的制备方法及发光器件技术

本申请公开了一种纳米材料、纳米材料的制备方法及发光器件，该纳米材料包括氧化物纳米颗粒，所述氧化物纳米颗粒表面含有亚铁氰根离子，以此来降低氧化物纳米颗粒表面的缺陷，降低对电子的捕获，将该纳米材料作为发光器件的电子传输层时，有效提高其电子传输能力，从而提高器件的性能；此外，在制备过程中，该亚铁氰根离子还可以抑制氧化物纳米颗粒在溶液中的团聚，延长了溶液的保存时间，增强纳米材料的稳定性。稳定性。稳定性。

【技术实现步骤摘要】
纳米材料、纳米材料的制备方法及发光器件


[0001]本申请涉及材料领域，具体涉及一种纳米材料、纳米材料的制备方法及发光器件。

技术介绍

[0002]发光器件是基于有机或无机材料的半导体器件，在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用。
[0003]QLED(Quantum Dots Light
‑
Emitting Diode，量子点发光器件)，是一种新兴的发光器件，QLED核心技术为“Quantum Dot(量子点)”。QLED具有结构简单、功耗低、响应时间短、对比度高、视角宽等优点，基本结构为依次层叠设置的阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极。在正向偏压下，电子和空穴从相反的电极被注入，并通过传输层传递到发光层，并通过辐射跃迁产生光子。
[0004]然而，以QLED为代表的发光器件在研发过程中依旧存在着很多问题，例如发光器件的电子传输层的材料多采用氧化物纳米颗粒，但是这些纳米颗粒的电子传输性能有待提高。
[0005]申请内容
[0006]本申请实施例提供一种纳米材料、纳米材料的制备方法及发光器件，旨在提高纳米颗粒的电子传输性能和稳定性。
[0007]第一方面，本申请实施例提供一种纳米材料，所述纳米材料包括氧化物纳米颗粒，所述氧化物纳米颗粒表面含有亚铁氰根离子。
[0008]可选的，所述氧化物纳米颗粒为过渡金属氧化物纳米颗粒。
[0009]可选的，所述纳米材料的粒径为6nm～10nm。
[0010]可选的，所述氧化物纳米颗粒选自：ZnO、TiO2、ZrO2、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO纳米颗粒中的至少一种。
[0011]可选的，所述纳米材料由表面含有亚铁氰根离子的氧化物纳米颗粒构成。
[0012]第二方面，本申请还提供一种纳米材料的制备方法，所述方法包括：
[0013]将氧化物纳米颗粒、亚铁氰盐和酸性溶液混合，得到混合溶液；以及
[0014]利用所述混合溶液中的氧化物纳米颗粒和亚铁氰盐反应，得到纳米材料，所述纳米材料包括表面含有亚铁氰根离子的氧化物纳米颗粒。
[0015]可选的，在混合过程中，还对所述混合溶液进行超声处理。
[0016]可选的，在所述氧化物纳米颗粒和亚铁氰盐反应之后，通过离心并分离得到表面含有亚铁氰根离子的氧化物纳米颗粒。
[0017]可选的，在所述混合溶液中，所述氧化物纳米颗粒与所述亚铁氰盐的摩尔比为100：1～5；和/或，
[0018]所述酸性溶液选自盐酸、稀硫酸或稀醋酸中的至少一种；和/或，
[0019]所述混合溶液的pH为4～6；和/或，
[0020]所述亚铁氰盐选自亚铁氰化钾或亚铁氰化钠；和/或，
[0021]所述氧化物纳米颗粒选自：ZnO、TiO2、ZrO2、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO纳米颗粒中的至少一种。
[0022]第三方面，本申请提供一种发光器件，包括：阴极、阳极以及设在所述阴极和阳极之间的电子传输层和发光层，所述发光层靠近所述阳极设置，所述电子传输层靠近所述阴极设置，所述电子传输层的材料包括第一方面所述的纳米材料，或者包括由第二方面所述的方法制成的纳米材料。
[0023]可选的，所述发光层材料选自：II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS；CdZnSeS、CdZnSeTe或CdZnSTe中的至少一种；所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP或InAlNP中的至少一种；所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种；和/或，
[0024]所述阳极和阴极的材料分别选自金属、碳材料以及金属氧化物中的至少一种，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述金属氧化物选自掺杂/非掺杂金属氧化物或复合电极，所述掺杂/非掺杂金属氧化物选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种。
[0025]有益效果：
[0026]本申请提供一种纳米材料，所述纳米材料包括氧化物纳米颗粒，所述氧化物纳米颗粒表面含有亚铁氰根离子，以此来降低氧化物纳米颗粒表面的缺陷，降低对电子的捕获，将该纳米材料作为发光器件的电子传输层时，有效提高其电子传输能力，从而提高器件的性能。此外，在制备过程中，该亚铁氰根离子还可以提供静电斥力和空间位阻屏蔽，抑制氧化物纳米颗粒在溶液中的团聚，延长了溶液的保存时间，增强纳米材料的稳定性。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0028]图1是本申请实施例提供的一种纳米材料的制备方法的流程示意图；
[0029]图2是本申请实施例提供的一种正置结构的发光器件；
[0030]图3是本申请实施例提供的一种倒置结构的发光器件。
具体实施方式
[0031]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0032]本申请实施例提供一种纳米材料、纳米材料的制备方法及发光器件。以下分别进
行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本申请的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
[0033]首先，本申请实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米材料，其特征在于，所述纳米材料包括氧化物纳米颗粒，所述氧化物纳米颗粒表面含有亚铁氰根离子。2.根据权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，所述氧化物纳米颗粒为过渡金属氧化物纳米颗粒。3.根据权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，所述纳米材料的粒径为6nm～10nm，和/或，所述氧化物纳米颗粒选自：ZnO、TiO2、ZrO2、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO纳米颗粒中的至少一种。4.根据权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，所述纳米材料由表面含有亚铁氰根离子的氧化物纳米颗粒构成。5.一种纳米材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将氧化物纳米颗粒、亚铁氰盐和酸性溶液混合，得到混合溶液；以及利用所述混合溶液中的氧化物纳米颗粒和亚铁氰盐反应，得到纳米材料，所述纳米材料包括表面含有亚铁氰根离子的氧化物纳米颗粒。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在混合过程中，还对所述混合溶液进行超声处理。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述氧化物纳米颗粒和亚铁氰盐反应之后，通过离心并分离得到表面含有亚铁氰根离子的氧化物纳米颗粒。8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述混合溶液中，所述氧化物纳米颗粒与所述亚铁氰盐的摩尔比为100：1～5；和/或，所述酸性溶液选自盐酸、稀硫酸或稀醋酸中的至少一种；和/或，所述混合溶液的pH为4～6；和/或，所述亚铁氰盐选自亚铁氰化钾或亚铁氰化钠；和/或，所述氧化物纳米颗粒选自：ZnO、TiO2、ZrO2、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO纳米颗粒中的至少一种。9.一种发光器件，其特征在于，包括：阴极、阳极以及设在所述阴极和阳极之间的电子传输层和发光层，所述发光层靠近所述阳极设置，所述电子传输层靠近所述阴极设置，所述电子传输层的材料包括权利要求1至4任一项所述的纳米材料，或者包括由权利要求5至8任一项所述的方法制成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：