杂环化合物、包括杂环化合物的发光装置和电子设备制造方法及图纸

本申请提供了由式1表示的杂环化合物、包括杂环化合物的发光装置和包括发光装置的电子设备：式1其中式1的详细描述与说明书中描述的相同。1的详细描述与说明书中描述的相同。1的详细描述与说明书中描述的相同。

【技术实现步骤摘要】
杂环化合物、包括杂环化合物的发光装置和电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2022年1月5日提交的韩国专利申请第10
‑
2022
‑
0001449号和在韩国知识产权局于2022年6月27日提交的韩国专利申请第10
‑
2022
‑
0078481号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]实施方式涉及杂环化合物、包括杂环化合物的发光装置和包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]在发光装置中，有机发光装置(OLED)为自发射装置，与常规装置相比，其具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越的特性，并且产生全色图像。
[0005]有机发光装置可包括基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。
[0006]要理解，本
技术介绍
章节旨在部分地提供用于理解该技术的有用的背景。然而，本
技术介绍
章节也可包括在本文中公开的主题的对应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的想法、概念或认知。

技术实现思路

[0007]实施方式包括：杂环化合物、包括杂环化合物的发光装置和包括发光装置的电子设备。
[0008]另外的方面将部分地在随后的描述中陈述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可通过本公开的实施方式的实践而了解到。根据实施方式，杂环化合物可由式1表示：[式1][0009][0010][式2][0011][0012]在式1和式2中，
[0013]X1可为N或C(R1)，
[0014]X2可为N或C(R2)，
[0015]X3可为N或C(R3)，
[0016]X4可为N或C(R4)，
[0017]X1至X3中的至少一个可为N，
[0018]Z1可为由式2表示的基团，
[0019]n1可为选自1至5的整数，
[0020]Y1可为C或Si，
[0021]Ar
11
至Ar
13
和Ar
21
至Ar
23
可各自独立地为C5‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，
[0022]L
11
和L
21
至L
24
可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基，
[0023]b11和b21至b24可各自独立地为选自1至3的整数，
[0024]E
11
、E
12
和E
21
至E
23
可各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基，
[0025]a11、a12和a21至a23可各自独立地为选自0至5的整数，并且a11、a12和a21至a23的和可为1或更大，
[0026]R1至R4、R
11
至R
13
和R
21
至R
23
可各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，
[0027]d11至d13和d21至d23可各自独立地为选自0至10的整数，
[0028]*指示与相邻原子的结合位点，
[0029]R
10a
可为：
[0030]氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、脒基、肼基、腙基或硝基；
[0031]各自未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层，其中所述夹层包括：发射层；和至少一种由式1表示的杂环化合物：式1式2
其中在式1和式2中，X1为N或C(R1)，X2为N或C(R2)，X3为N或C(R3)，X4为N或C(R4)，X1至X3中的至少一个为N，Z1为由式2表示的基团，n1为选自1至5的整数，Y1为C或Si，Ar
11
至Ar
13
和Ar
21
至Ar
23
各自独立地为C5‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，L
11
和L
21
至L
24
各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基，b11和b21至b24各自独立地为选自1至3的整数，E
11
、E
12
和E
21
至E
23
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基，a11、a12和a21至a23各自独立地为选自0至5的整数，a11、a12和a21至a23的和为1或更大，R1至R4、R
11
至R
13
和R
21
至R
23
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，d11至d13和d21至d23各自独立地为选自0至10的整数，*指示与相邻原子的结合位点，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、脒基、肼基、腙基或硝基；各自未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合；各自未被取代或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基或C2‑
C
60
杂芳烷基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)、
‑
P(Q
31
)(Q
32
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且
Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；各自未被取代或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基或其任何组合取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基；C7‑
C
60
芳烷基；或C2‑
C
60
杂芳烷基。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述夹层进一步包括：在所述发射层和所述第一电极之间的空穴传输区；和在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括所述至少一种由式1表示的杂环化合物。4.如权利要求3所述的发光装置，其中所述发射层进一步包括由式401表示的有机金属化合物：式401M(L
401
)
xc1
(L
402
)
xc2
其中在式401中，M为过渡金属，L
401
为由式402表示的配体，式402xc1为1、2或3，当xc1为2或更大时，两个或更多个L
401
彼此相同或不同，L
402
为有机配体，xc2为0、1、2、3或4，
当xc2为2或更大时，两个或更多个L
402
彼此相同或不同，在式402中，X
401
和X
402
各自独立地为氮或碳，环A
401
和环A
402
各自独立地为C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，T
401
为单键、*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
N(Q
411
)
‑
*'、*
‑
C(Q
411
)(Q
412
)
‑
*'、*
‑
C(Q
411
)＝C(Q
412
)
‑
*'、*
‑
C(Q
411
)＝*'或*＝C＝*'，X
403
和X
404
各自独立地为化学键、O、S、N(Q
413
)、B(Q
413
)、P(Q
413
)、C(Q
413
)(Q
414
)或Si(Q
413
)(Q
414
)，Q
411
至Q
414
各自独立地与式1中参照Q1描述的相同，R
401
和R
402
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、
‑
Si(Q
401
)(Q
402
)(Q
403
)、
‑
N(Q
401
)(Q
402
)、
‑
B(Q
401
)(Q
402
)、
‑
C(＝O)(Q
401
)、
‑
S(＝O)2(Q
401
)或
‑
P(＝O)(Q
401
)(Q
402
)，Q
401
至Q
403
各自独立地与式1中参照Q1描述的相同，xc11和xc12各自独立地为选自0至10的整数，并且式402中的*和*'各自指示与式401中M的结合位点。5.如权利要求4所述的发光装置，其中所述发光装置具有等于或大于20％的最大外部量子效率。6.一种电子设备，包括：如权利要求1至5中任一项所述的发光装置；和薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极或所述漏电极。7.如权利要求6所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。8.一种由式1表示的杂环化合物：式1
式2其中在式1和式2中，X1为N或C(R1)，X2为N或C(R2)，X3为N或C(R3)，X4为N或C(R4)，X1至X3中的至少一个为N，Z1为由式2表示的基团，n1为选自1至5的整数，
Y1为C或Si，Ar
11
至Ar
13
和Ar
21
至Ar
23
各自独立地为C5‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，L
11
和L
21
至L
24
各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基，b11和b21至b24各自独立地为选自1至3的整数，E
11
、E
12
和E
21
至E
23
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基，a11、a12和a21至a23各自独立地为选自0至5的整数，a11、a12和a21至a23的和为1或更大，R1至R4、R
11
至R
13
和R
21
至R
23
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，d11至d13和d21至d23各自独立地为选自0至10的整数，*指示与相邻原子的结合位点，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
B...

【专利技术属性】
技术研发人员：严贤娥，金炯民，朴泳进，安熙春，尹柱熙，李孝荣，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：