粘合带及加工方法技术

粘合带，其具有基材层和设置于该基材层上的粘合剂层，所述粘合剂层包含光自由基引发剂和具有聚合性碳双键的聚合物A，紫外线照射后的所述粘合剂层的拉伸弹性模量为400MPa以下，紫外线照射后的所述粘合剂层的断裂伸长率为16％以上。16％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合带及加工方法


[0001]本专利技术涉及粘合带及加工方法。

技术介绍

[0002]在将半导体封装、半导体晶片(以下，也称为“被粘物”)等单片化时，将半导体晶片加工用胶带贴附于被粘物，在划片时将被粘物临时固定。由此，在单片化时能够防止芯片飞散。另外，在划片后，使半导体晶片加工用胶带扩展(expanding)，将单片化的被粘物从半导体晶片加工用胶带拾取(剥离)。
[0003]作为这样的半导体晶片加工用胶带，主要使用在对紫外线具有透过性的膜基材上涂布有利用紫外线照射而发生固化反应的粘合剂层的粘合带。在该紫外线固化型的加工用胶带中，通过在划片后对粘合剂层照射紫外线而使固化反应进行，由此可降低粘合剂层的粘合力，因此可容易地拾取经单片化的被粘物。
[0004]在上述拾取时，从粘合带的不与被粘物接触的背面，用顶起销将单片化的被粘物顶起，进行拾取。此时，从高效地制造高品质的电子部件的观点考虑，要求减少粘合带在被粘物上的残胶、而且即使是低销高度也能够以高收率拾取。
[0005]但是，在将粘合带贴附于被粘物时，如果粘合剂对被粘物的润湿性不良，则胶不能完全追随被粘物的台阶部等而产生气泡。这样，在紫外线照射时引起氧阻碍等引起的粘合剂的固化不良，有时粘合剂在未固化的状态下残留在被粘物上。另外，若对被粘物的粘合力不足，则切割时切削水渗入被粘物与粘合带之间而污染被粘物、或者进而单片化的被粘物飞散。
[0006]因此，为补偿粘合剂对被粘物的润湿性，可考虑下述方法：增加粘合剂层的厚度，或配合低分子量成分、增粘剂等来提高粘合力，或降低粘合剂层的弹性模量来提高粘合力。然而，在这种情况下，有时粘合剂因由划片时刀片的旋转而产生的摩擦热而熔化、被刮起而导致粘合剂屑附着在被粘物上。另外，若在粘合剂被刮起的状态下利用紫外线照射进行固化，则存在下述情况：单片化的被粘物被固定在粘合带上，低销高度条件下的拾取变得困难，或者即使能够拾取，在与被粘物的界面上也不能剥离而引起粘合剂自身的破坏，粘合剂残留在被粘物上。
[0007]作为解决这样的残胶、提高拾取性的方法，例如，如专利文献1那样，公开了大量配合较低分子量的紫外线固化性树脂成分、大幅降低紫外线照射后的粘合力的方法。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1：日本特开2008
‑
13692号公报

技术实现思路

[0011]专利技术所要解决的课题
[0012]但是，在上述情况下，由于紫外线照射后的粘合剂变得过硬，产生胶不能耐受拾取
时胶带的变形而破裂成销的形状的现象，反而有可能成为残胶的原因。
[0013]此外，近年来，随着电路设计的高密度化，造成在作为被粘物的晶片表面上形成多个由微细的布线、电路图案引起的凹凸的局面。因此，粘合带的粘合剂变得容易填充到电路表面的凹凸间的微细间隙中，被这样的间隙约束的粘合剂在剥离时被切断而残留在电路面上，容易产生残胶。
[0014]本专利技术是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供在拾取时不易在被粘物上产生残胶，并且能够以低销高度拾取的粘合带以及使用该粘合带的加工方法。
[0015]用于解决课题的手段
[0016]为解决上述课题，本申请的专利技术人对粘合带的粘合剂设计进行了深入研究。结果发现，通过调整紫外线固化后的粘合剂层的拉伸弹性模量和断裂伸长率，可解决上述课题，从而完成了本专利技术。
[0017]即，本专利技术的粘合带如下所述。
[0018]〔1〕
[0019]粘合带，其具有基材层、和设置于该基材层上的粘合剂层，
[0020]前述粘合剂层包含光自由基引发剂和具有聚合性碳双键的聚合物A，
[0021]紫外线照射后的前述粘合剂层的拉伸弹性模量为400MPa以下，
[0022]紫外线照射后的前述粘合剂层的断裂伸长率为16％以上。
[0023]〔2〕
[0024]如〔1〕所述的粘合带，
[0025]其中，前述粘合剂层在紫外线固化前后的体积收缩率为0.50～10.0％。
[0026]〔3〕
[0027]如〔1〕或〔2〕所述的粘合带，
[0028]其中，紫外线固化前的前述粘合剂层对硅晶片的180
°
剥离强度在23℃时为2.0～20.0N/20mm，
[0029]并且紫外线固化后的前述粘合剂层对硅晶片的180
°
剥离强度在23℃时为0.05～1.0N/20mm。
[0030]〔4〕
[0031]如〔1〕～〔3〕中任一项所述的粘合带，
[0032]其中，前述聚合物A的双键当量为500～2500g/mol。
[0033]〔5〕
[0034]如〔1〕～〔4〕中任一项所述的粘合带，
[0035]其中，前述聚合物A具有羟基。
[0036]〔6〕
[0037]如〔1〕～〔5〕中任一项所述的粘合带，
[0038]其中，前述聚合物A的重均分子量为1.0
×
105～2.0
×
106。
[0039]〔7〕
[0040]如〔1〕～〔6〕中任一项所述的粘合带，
[0041]其中，前述聚合物A的玻璃化转变点为
‑
80～23℃。
[0042]〔8〕
[0043]如〔1〕～〔7〕中任一项所述的粘合带，
[0044]其中，前述粘合剂层的聚合物A包含(甲基)丙烯酸酯系共聚物，
[0045]该(甲基)丙烯酸酯系共聚物具有直链形状、支链形状、或交联形状。
[0046]〔9〕
[0047]如〔1〕～〔8〕中任一项所述的粘合带，
[0048]其中，前述粘合剂层还包含固化剂。
[0049]〔10〕
[0050]如〔9〕所述的粘合带，
[0051]其中，前述固化剂为异氰酸酯系化合物。
[0052]〔11〕
[0053]如〔10〕所述的粘合带，
[0054]其中，前述异氰酸酯系化合物包含2官能以上的多官能异氰酸酯系化合物。
[0055]〔12〕
[0056]如〔1〕～〔11〕中任一项所述的粘合带，
[0057]其用于半导体晶片、半导体器件、各种半导体封装加工。
[0058]〔13〕
[0059]加工方法，其具有：
[0060]将〔1〕～〔12〕中任一项所述的粘合带与被粘物贴合的贴合工序；和
[0061]在将前述粘合带与前述被粘物贴合的状态下对前述被粘物进行加工的划片工序，
[0062]前述被粘物为半导体晶片、半导体器件或各种半导体封装。
[0063]专利技术效果
[0064]根据本专利技术，可提供在拾取时不易在被粘物上产生残胶、并且可实现以低销高度拾取的粘合带以及使用该粘合带的加工方法。
具体实施方式
[0065]以下，对本专利技术的实施方式(以下，称为“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.粘合带，其具有基材层、和设置于该基材层上的粘合剂层，所述粘合剂层包含光自由基引发剂和具有聚合性碳双键的聚合物A，紫外线照射后的所述粘合剂层的拉伸弹性模量为400MPa以下，紫外线照射后的所述粘合剂层的断裂伸长率为16％以上。2.如权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合剂层在紫外线固化前后的体积收缩率为0.50～10.0％。3.如权利要求1或2所述的粘合带，其中，紫外线固化前的所述粘合剂层对硅晶片的180
°
剥离强度在23℃时为2.0～20.0N/20mm，并且紫外线固化后的所述粘合剂层对硅晶片的180
°
剥离强度在23℃时为0.05～1.0N/20mm。4.如权利要求1～3中任一项所述的粘合带，其中，所述聚合物A的双键当量为500～2500g/mol。5.如权利要求1～4中任一项所述的粘合带，其中，所述聚合物A具有羟基。6.如权利要求1～5中任一项所述的粘合带，其中，所述聚合物A的重均分子量为1.0
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村千枝，田中智章，德井飒太，莲见水贵，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：