粘合带及加工方法技术

粘合带，其具有基材层、和设置于该基材层上的粘合剂层，前述粘合剂层包含光自由基引发剂、和具有聚合性碳双键的聚合物A，硅晶片表面对水的接触角R0、与在将前述粘合剂层贴附于前述硅晶片并放置24小时后对前述粘合剂层照射紫外线、并将前述粘合剂层剥离后的硅晶片表面对水的接触角R1之差|R0－R1|为20

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合带及加工方法


[0001]本专利技术涉及粘合带和加工方法。

技术介绍

[0002]在将半导体封装、半导体晶片(以下，也称为“被粘物”)等单片化时，将半导体晶片加工用胶带贴附于被粘物，在划片时将被粘物临时固定。由此，在单片化时能够防止芯片飞散。另外，在划片后，使半导体晶片加工用胶带扩展(expanding)，将单片化的被粘物从半导体晶片加工用胶带拾取(剥离)。
[0003]作为这样的半导体晶片加工用胶带，主要使用在对紫外线具有透过性的膜基材上涂布有利用紫外线照射而发生固化反应的粘合剂层的粘合带。在该紫外线固化型的加工用胶带中，通过在划片后对粘合剂层照射紫外线而使固化反应进行，由此可降低粘合剂层的粘合力，因此可容易地拾取经单片化的被粘物。
[0004]在这样的半导体晶片加工用粘合带中，要求在拾取时减少对被粘物的残胶、可制造高品质的电子部件的技术。
[0005]关于这点，在上述紫外线照射型的加工用带的情况下，当将粘合带贴附至被粘物时，若气泡等进入粘合带与被粘物之间，则存在在紫外线照射时由于氧阻碍等引起粘合剂的固化不良、粘合剂以未固化的状态残留在被粘物上。另外，对被粘物的粘合力不足时，划片时切削水渗入被粘物与粘合带之间而污染被粘物、进而单片化的被粘物飞散。
[0006]因此，为补偿粘合力，可考虑增加粘合剂层的厚度、降低粘合剂层的弹性模量而提高粘合力的方法。但是，在这种情况下，有时粘合剂因由划片时刀片的旋转而产生的摩擦热而熔化、被刮起，由此粘合剂屑附着在被粘物上、单片化的被粘物固定在粘合带上，导致拾取时在与被粘物的界面上不能剥离而引起粘合剂自身的破坏，产生粘合剂屑残留在被粘物上的问题。
[0007]对此，例如，专利文献1中公开了通过使用具有5～6个丙烯酰基的放射线聚合性化合物，使紫外线照射及/或电子线照射后的凝胶分率为90wt％以上等，从而抑制残胶。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1：日本特开2000
‑
281993号公报

技术实现思路

[0011]专利技术所要解决的课题
[0012]但是，在专利文献1记载的方法中，虽然多少可抑制残胶，但反而有粘合力降低的倾向，划片时切削水渗入被粘物与粘合带之间，有可能产生背面污染、单片化的被粘物飞散。
[0013]此外，由于近年来对半导体晶片、器件的高密度化、高性能化的要求，即使是看起来没有粘合剂的残胶的半导体晶片、器件表面，有时也会被起因于粘合剂的有机物污染，这
样的污染也逐渐成为问题。需要说明的是，在本说明书中，仅称为“污染”时，是指此种无法目视的污染，就可目视者而言，称为“残胶”。
[0014]本专利技术是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供能够减少来自粘合剂层的污染的粘合带以及使用该粘合带的加工方法。
[0015]用于解决课题的手段
[0016]为解决上述课题，本申请的专利技术人对粘合带的粘合剂设计进行了深入研究。结果发现，通过使用以在紫外线固化前后显示规定的接触角特性的方式构成的粘接剂层，可解决上述课题，从而完成了本专利技术。
[0017]即，本专利技术如下所述。
[0018]〔1〕
[0019]粘合带，其具有基材层、和设置于该基材层上的粘合剂层，
[0020]前述粘合剂层包含光自由基引发剂、和具有聚合性碳双键的聚合物A，
[0021]硅晶片表面对水的接触角R0、与在将前述粘合剂层贴附于前述硅晶片并放置24小时后对前述粘合剂层照射紫外线、并将前述粘合剂层剥离后的前述硅晶片表面对水的接触角R1之差|R0－R1|为20
°
以下
[0022]〔2〕
[0023]请求项1所述的粘合带，其中，前述聚合物A中所含的重均分子量为20000以下的成分A1的含量相对凝胶渗透色谱的图谱的总面积而言为15面积％以下。
[0024]〔3〕
[0025]如〔1〕或〔2〕所述的粘合带，其中，紫外线照射前的前述粘合剂层对硅晶片的180
°
剥离强度在23℃时为2.0～20.0N/20mm。
[0026]〔4〕
[0027]如〔1〕～〔3〕中任一项所述的粘合带，其中，聚合物A具有羟基。
[0028]〔5〕
[0029]如〔1〕～〔4〕中任一项所述的粘合带，其中，前述聚合物A的重均分子量为1.0
×
105～2.0
×
106。
[0030]〔6〕
[0031]如〔1〕～〔5〕中任一项所述的粘合带，其中，前述聚合物A的玻璃化转变点为
‑
80～23℃。
[0032]〔7〕
[0033]如〔1〕～〔6〕中任一项所述的粘合带，其中，前述聚合物A包含(甲基)丙烯酸酯系共聚物，
[0034]该(甲基)丙烯酸酯系共聚物具有直链形状、支链形状或交联形状。
[0035]〔8〕
[0036]如〔1〕～〔7〕中任一项所述的粘合带，其中，前述粘合剂层还包含固化剂。
[0037]〔9〕
[0038]如〔8〕所述的粘合带，其中，前述固化剂包含异氰酸酯系化合物。
[0039]〔10〕
[0040]如〔9〕所述的粘合带，其中，前述异氰酸酯系化合物包含2官能以上的多官能异氰
酸酯系化合物。
[0041]〔11〕
[0042]如〔8〕～〔10〕中任一项所述的粘合带，其中，前述固化剂的含量相对100重量份的聚合物A而言为0.1～5.0重量份。
[0043]〔12〕
[0044]如〔1〕～〔11〕中任一项所述的粘合带，其用于半导体晶片、半导体器件、各种半导体封装加工。
[0045]〔13〕
[0046]加工方法，其具有：
[0047]将〔1〕～〔12〕中任一项所述的粘合带与被粘物贴合的贴合工序；和
[0048]在将前述粘合带与前述被粘物贴合的状态下将前述被粘物单片化的划片工序，
[0049]前述被粘物为半导体晶片、半导体器件或各种半导体封装。
[0050]专利技术效果
[0051]根据本专利技术，可提供能够减少来自粘合剂层的污染的粘合带以及使用该粘合带的加工方法。
具体实施方式
[0052]以下，对本专利技术的实施方式(以下，称为“本实施方式”)进行详细说明，但本专利技术并不限定于此，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变形。
[0053](粘合带)
[0054]本实施方式的粘合带具有基材层和设置于该基材层上的粘合剂层，粘合剂层包含光自由基引发剂和具有聚合性碳双键的聚合物A，硅晶片表面对水的接触角R0、与在将粘合剂层贴附于硅晶片并放置24小时后对粘合剂层照射紫外线、并将粘合剂层剥离后的硅晶片表面对水的接触角R1之差|R0－R1|为20
°
以下。
[0055]以往的粘合剂层例如由不具有紫外线固化性的基底聚合物和具有紫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.粘合带，其具有基材层、和设置于该基材层上的粘合剂层，所述粘合剂层包含光自由基引发剂、和具有聚合性碳双键的聚合物A，硅晶片表面对水的接触角R0、与在将所述粘合剂层贴附于所述硅晶片并放置24小时后对所述粘合剂层照射紫外线、并将所述粘合剂层剥离后的所述硅晶片表面对水的接触角R1之差|R0－R1|为20
°
以下。2.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述聚合物A中所含的重均分子量为20000以下的成分A1的含量相对凝胶渗透色谱的图谱的总面积而言为15面积％以下。3.根据权利要求1或2所述的粘合带，其中，紫外线照射前的所述粘合剂层对硅晶片的180
°
剥离强度在23℃时为2.0～20.0N/20mm。4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合带，其中，聚合物A具有羟基。5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘合带，其中，所述聚合物A的重均分子量为1.0
×
105～2.0
×
106。6.根据权利要求1～5中任一项所述的粘合...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村千枝，田中智章，德井飒太，莲见水贵，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：