【技术实现步骤摘要】
KDP类晶体籽晶螺旋式生长方法
[0001]本专利技术属于KDP类晶体生长
,具体涉及一种KDP类晶体籽晶螺旋式生长方法。
技术介绍
[0002]KDP类晶体是一种优良的非线性光学晶体材料,具备高抗激光损伤能力,宽透光波段,高电光系数,光学均匀性好的特性,且可以生长为大尺寸的晶体,目前被广泛应用于大口径高功率激光系统中。然而KDP类晶体传统生长方法生长周期为2
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3年,为了缩短生长周期,提高晶片产量,近几年我国科研人员在KDP类晶体快速生长方面做了许多研究,也取得了较大的进展。
[0003]专利文献CN110055579公开了一种KDP类晶体长籽晶单锥生长方法和载晶架的制作方法,可以在低生长应力下,快速生长出KDP类晶体。但是预置式的点晶方式,使溶液预热过程中存在风险,且在晶体生长初期,籽晶在转动时容易产生晃动,不利于晶体生长。
技术实现思路
[0004]为克服上述现有技术的不足,本专利技术提供一种KDP类晶体籽晶螺旋式生长方法,使晶体生长旋转过程中籽晶晃动小,采用对生长溶液扰
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种KDP类晶体籽晶螺旋式生长方法,其特征在于,包括以下步骤:
①
制作籽晶,并在该籽晶的下端中央固定一个带螺纹的台阶状柱体,上端中央固定一个磁铁;
②
制作供所述籽晶生长的载晶架,该载晶架与籽晶接触的晶盘表面设有供所述的台阶状柱体嵌入的台阶状盲孔;
③
制作点晶圆杆,该点晶圆杆的顶端剖面呈凹字型,凹槽内可容纳所述籽晶,在圆杆内部放置;
④
配制饱和点在40~70℃的籽晶生长溶液,并进行加热及过热处理;
⑤
将所述籽晶上端放入所述点晶圆杆凹槽内,使所述籽晶上端的磁铁与所述点晶圆杆凹槽内的磁铁异性相吸;
⑥
利用所述点晶圆杆将籽晶送至所述载晶架的晶盘表面,旋转所述点晶圆杆,使所述籽晶的台阶状柱体嵌入在所述晶盘的台阶状盲孔内,抽出点晶圆杆内部的磁铁,该磁铁用于吸附籽晶上的磁铁从而固定籽晶,最后抽出点晶圆杆;
⑦
待籽晶表面稍微溶解,开始启动降温程序;降温结束后开启电机开始旋转;在生长周期中采用逐步降温的方式,维持溶液的过饱和度在5
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15%,所述籽晶开始重新生长,继而得到KDP类晶体。2.根据权利要求1所述的KDP类晶体籽晶螺旋式生长方法,其特征在于,所述制作籽晶是制作高度方向[001]向的籽晶,且高度范围为20
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300mm,水平长度和宽度范围为5~70mm。3.根据权利要求1所述的KDP类晶体籽晶螺旋式生长方法,其特征在于,所述籽晶的下端中央固定一个带螺纹的台...
【专利技术属性】
技术研发人员:陶光辉,王斌,齐红基,邵建达,陈端阳,陈征民,
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所,
类型:发明
国别省市:
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