含氮化合物和电子元件及电子装置制造方法及图纸

本申请属于有机发光材料领域，具体涉及一种含氮化合物、电子元件和电子装置，所述含氮化合物的结构如式1所示，所述含氮化合物能改善电子元件的性能。善电子元件的性能。善电子元件的性能。善电子元件的性能。

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物和电子元件及电子装置


[0001]本申请涉及有机发光材料领域，具体提供一种含氮化合物和电子元件及电子装置。

技术介绍

[0002]有机电致发光(OLED:OrganicLightEmissionDiodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的OLED器件结构，则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包含空穴注入材料，空穴传输材料，发光材料，电子传输材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。
[0003]当前，OLED显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展，但是，和实际的产品应用要求相比，OLED器件的发光效率，使用寿命等性能还需要进一步提升。对于OLED发光器件提高性能的研究包括：降低器件的工作电压，提高器件的发光效率，提高器件的使用寿命等。为了实现OLED器件的性能的不断提升，不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新，更需要OLED光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能OLED的功能材料。
[0004]当有机OLED器件应用于显示装置时，要求有机OLED器件具有长寿命和高效率，特别是蓝色像素区的蓝光器件(与红、绿发光器件相比)，工作电压偏高，寿命较短。为了提升蓝色像素的寿命、降低工作电压，提高空穴传输类材料的空穴迁移率和玻璃化转变温度，从而提升蓝光器件寿命，降低器件电压。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的上述问题，本申请的目的在于提供一种含氮化合物、电子元件和电子装置。本申请的含氮化合物能有效改善电子元件的性能。
[0006]第一方面，本申请提供一种含氮化合物，所述含氮化合物的结构如式1所示：
[0007][0008]其中，基团Ar1的结构如式a或式b所示：
[0009][0010]X选自O、S或N(Ar)，
[0011]Ar选自碳原子数为6
‑
20的取代或未取代的芳基、碳原子数为5
‑
20的取代或未取代的杂芳基；
[0012]L、L1、L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6
‑
20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5
‑
20的取代或未取代的亚杂芳基；
[0013]Ar2选自碳原子数为6
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30的取代或未取代的芳基、碳原子数为5
‑
30的取代或未取代的杂芳基；
[0014]Ar、L、L1、L2和Ar2中的取代基，以及R1、R2相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
10的烷基、碳原子数为1
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10的氘代烷基、碳原子数为1
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10的卤代烷基、碳原子数为3
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12的三烷基硅基、碳原子数为6
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12的芳基、碳原子数为5
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12的杂芳基、碳原子数为3
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10的环烷基、碳原子数为1
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10的烷氧基或碳原子为1
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10的烷硫基；
[0015]n1表示R1的个数，且选自0、1、2、3、4、5、6或7；n2表示R2的个数，且选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
[0016]第二方面，本专利技术提供一种电子元件，包括阳极、阴极，以及设置在所述阳极和阴极之间的功能层，其中，所述功能层包含本申请第一方面所述的含氮化合物。
[0017]第三方面，本申请提供一种电子装置，包括本申请第二方面所述的电子元件。
[0018]本申请的化合物属于芴的三芳胺衍生物，其中，将芴的9号位引入两个三氘代甲基，所形成的氘代化芴可以有效的调整化合物的HOMO与LUMO能级，结合特定的杂芳基稠环(基团Ar1)和芳香性基团，使所形成的本申请的化合物应用于OLED器件的空穴传输层(包括C
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HT、Prime)，与相邻的功能层能够进行更好的匹配，以更好的传输空穴，有效阻挡电子，提高激子在发光层有效复合；此外，杂芳基稠环结构(Ar1)具有共轭性，提高分子整体的热稳定性，有利于器件寿命性能的提升；将氘代化衍生物与杂芳基稠环结构键合后的材料，应用于有机电致发光器件，在使得器件具有较低工作电压的情况下，能同时提高发光效率，并使器件寿命得到明显提升。
[0019]本申请的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0020]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。
[0021]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0022]图2是本申请一种实施方式的第一电子装置的结构示意图。
[0023]图3是本申请一种实施方式的光电转化器件的结构示意图。
[0024]图4是本申请一种实施方式的第二电子装置的结构示意图。
[0025]附图标记说明
[0026]100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；360、光电转化层；400、第一电子装置；500、第二电子装置。
具体实施方式
[0027]以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解地是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。
[0028]第一方面，本申请提供一种含氮化合物，所述含氮化合物的结构如式1所示：
[0029][0030]其中，基团Ar1的结构如式a或式b所示：
[0031][0032]X选自O、S或N(Ar)，
[0033]Ar选自碳原子数为6
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20的取代或未取代的芳基、碳原子数为5
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20的取代或未取代的杂芳基；
[0034]L、L1、L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6
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20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5
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20的取代或未取代的亚杂芳基；
[0035]Ar2选自碳原子数为6
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30的取代或未取代的芳基、碳原子数为5
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30的取代或未取代的杂芳基；
[0036]Ar、L、L1、L2和Ar2中的取代基，以及R1、R2相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
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10的烷基、碳原子数为1
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10的氘代烷基、碳原子数为1
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10的卤代烷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构如式1所示：其中，基团Ar1的结构如式a或式b所示：X选自O、S或N(Ar)，Ar选自碳原子数为6
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20的取代或未取代的芳基、碳原子数为5
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20的取代或未取代的杂芳基；L、L1、L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6
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20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5
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20的取代或未取代的亚杂芳基；Ar2选自碳原子数为6
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30的取代或未取代的芳基、碳原子数为5
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30的取代或未取代的杂芳基；Ar、L、L1、L2和Ar2中的取代基，以及R1、R2相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
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10的烷基、碳原子数为1
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10的氘代烷基、碳原子数为1
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10的卤代烷基、碳原子数为3
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12的三烷基硅基、碳原子数为6
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12的芳基、碳原子数为5
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12的杂芳基、碳原子数为3
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10的环烷基、碳原子数为1
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10的烷氧基或碳原子为1
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10的烷硫基；n1表示R1的个数，且选自0、1、2、3、4、5、6或7；n2表示R2的个数，且选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基；优选地，Ar中的取代基选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或苯基。3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，R1、R2相同或不同，且各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基或萘基。4.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，基团Ar1选自以下基团所组成的组：
5.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，L、L1、L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6
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18的取代或未取代的亚芳基；优选地，L、L1和L2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：马林楠，张鹤鸣，金荣国，李应文，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：