发光元件和用于其的胺化合物制造技术

本申请提供了由式1表示的胺化合物和包括其的发光元件。实施方式的发光元件包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间并且包括由以下式1表示的胺化合物的至少一个功能层，从而显示出高效率和长寿命特性。式1式1式1式1

【技术实现步骤摘要】
发光元件和用于其的胺化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月20日提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0183145号的优先权和权益，其全部内容通过引用由此并入。


[0003]本公开的实施方式在本文中涉及胺化合物和包括其的发光元件，并且例如涉及在空穴传输区中包括胺化合物的发光元件。

技术介绍

[0004]最近，有机电致发光显示装置作为图像显示装置的开发正在积极进行。有机电致发光显示装置是自发光类型的发光元件的显示装置，其中分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合以便发射层中的发光材料发射光以实现显示。
[0005]在将发光元件应用于显示装置时，驱动电压的降低以及发射效率和寿命的增加是有益的，并且正在持续地研究稳定地实现期望特征的用于发光元件的材料的开发。
[0006]另外，为了实现具有高效率的发光元件，正在进行用于抑制或减少发射层的激子能量的扩散的空穴传输区的材料的开发。

技术实现思路

[0007]本公开的实施方式提供了展示卓越的发射效率和长寿命特性的发光元件。
[0008]本公开的实施方式还提供了胺化合物，该胺化合物是用于具有高效率和长寿命特性的发光元件的材料。
[0009]实施方式提供了由以下式1表示的胺化合物。
[0010]式1
[0011][0012]在式1中，Ar为取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的2至20个碳原子的炔基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的6至40个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的5至40个成环碳原子的含氧杂芳基，“p”为选自0至3的整数，L为直接连接、取代的或未取代的6至40个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的5至40个成环碳原子的亚杂芳基，“a”为选自0至9的整数，“b”为选自0至7的整数，并且R1和R2各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的1至20个碳
原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的2至20个碳原子的炔基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的6至40个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的5至40个成环碳原子的杂芳基。由式1表示的胺化合物包括其中任选的氢原子被氘原子取代的结构。
[0013]在实施方式中，式1可由选自以下式1
‑
1至式1
‑
4中的任一个表示。
[0014]式1
‑1[0015][0016]式1
‑2[0017][0018]式1
‑3[0019][0020]式1
‑4[0021][0022]在式1
‑
1至式1
‑
4中，Ar、“p”、L、“a”、“b”、R1和R2与关于式1限定的相同。在实施方式
中，式1可由以下式1A或式1B表示。
[0023]式1A
[0024][0025]式1B
[0026][0027]在式1A和式1B中，Ar、“a”、“b”、R1和R2与关于式1限定的相同。
[0028]在实施方式中，L可为直接连接或未取代的亚苯基。
[0029]在实施方式中，Ar可为取代的或未取代的6至40个成环碳原子的芳基。
[0030]在实施方式中，Ar可为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的三联苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的菲基或者取代的或未取代的二苯并呋喃基。
[0031]在实施方式中，选自式1的Ar、L、R1和R2中的至少一个可包括：氘原子或包含氘原子的取代基。
[0032]在实施方式中，由式1表示的胺化合物可为单胺化合物。
[0033]根据另一实施方式，提供了发光元件，该发光元件包括：第一电极；在第一电极上的第二电极；以及至少一个功能层，该至少一个功能层在第一电极和第二电极之间并且包括根据实施方式的胺化合物。
[0034]在实施方式中，该至少一个功能层可包括发射层、在第一电极和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，并且空穴传输区可包括根据实施方式的胺化合物。
[0035]在实施方式中，空穴传输区可包括选自空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个，并且选自空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个可包括根据实施方式的胺化合物。
附图说明
[0036]包括所附附图以提供对本公开的主题的进一步理解，并且所附附图被并入并构成本说明书的一部分。附图阐释本公开的实施方式，并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：
[0037]图1为示出根据实施方式的显示设备的平面图；
[0038]图2为根据实施方式的显示设备的横截面图；
[0039]图3为实施方式的发光元件的示意性横截面图；
[0040]图4为实施方式的发光元件的示意性横截面图；
[0041]图5为实施方式的发光元件的示意性横截面图；
[0042]图6为实施方式的发光元件的示意性横截面图；
[0043]图7为根据实施方式的显示设备的横截面图；
[0044]图8为根据实施方式的显示设备的横截面图；
[0045]图9为根据实施方式的显示设备的横截面图；并且
[0046]图10为根据实施方式的显示设备的横截面图。
具体实施方式
[0047]本公开的主题可具有各种修改并且可以以不同形式体现，并且将参考所附附图更详细地解释示例实施方式。然而，本公开的主题可以以不同形式体现并且不应解释为限于本文中陈述的实施方式。相反，包括在本公开的精神和技术范围内的所有修改、等效方案和替换方案都应包括在本公开中。
[0048]相同的附图标记通篇指相同的元件。在附图中，为了阐释的清楚，可放大结构的尺寸。将理解，尽管术语第一、第二等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。因此，在不背离本公开的精神和范围的情况下，第一元件可称为第二元件。类似地，第二元件可称为第一元件。如在本文中使用的，单数形式旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
[0049]在本描述中，将进一步理解，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”在本说明书中使用时，指出存在叙述的特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合。
[0050]在本描述中，当层、膜、区、板等称为“在”另一部件“上”或“上面”时，其可“直接在”另一部件“上”，或也可存在居间层。相反，当层、膜、区、板等称为“在”另一部件“下方”或“下面”时，其可“直接在”另一部件“下方”，或也可存在居间层。并且，当元件称为“在”另一元件“上”时，其可在另一元件下方。
[0051本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
式1
‑
3式1
‑
4在式1
‑
1至式1
‑
4中，Ar、p、L、a、b、R1和R2与关于式1限定的相同。3.根据权利要求1所述的胺化合物，其中所述由式1表示的胺化合物由下述式1A或式1B表示：式1A式1B
在式1A和式1B中，Ar、a、b、R1和R2与关于式1限定的相同。4.根据权利要求1所述的胺化合物，其中L为直接连接或未取代的亚苯基。5.根据权利要求1所述的胺化合物，其中Ar为取代的或未取代的6至40个成环碳原子的芳基。6.根据权利要求1所述的胺化合物，其中Ar为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的三联苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的菲基或者取代的或未取代的二苯并呋喃基。7.根据权利要求1所述的胺化合物，其中选自式1的Ar、L、R1和R2中的至少一个包括：氘原子或包含氘原子的取代基。8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：今泉拓，佐久间高央，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：