水系剥离液及制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种水系剥离液及制备方法和应用，具体涉及剥离液技术领域。该水系剥离液包括偶联剂、纯水、极性增强剂、醇醚化合物、胺类化合物和腐蚀抑制剂。本发明专利技术提供的水系剥离液，在体系中加入了偶联剂，有效降低了极性增强剂、醇醚化合物、胺类化合物和纯水的挥发，降低了制程中的作业风险，同时水系剥离液稳定性增强，保持了原始的剥离效果，增加了水系剥离液的使用寿命。在确保了水系剥离液的剥离效果后，水系剥离液在光刻胶去除过程中使用量会降低，同时污水的排放量也会降低，总体降低了制造成本和污水处理的成本。制造成本和污水处理的成本。制造成本和污水处理的成本。

【技术实现步骤摘要】
水系剥离液及制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及剥离液
，尤其是涉及一种水系剥离液及制备方法和应用。

技术介绍

[0002]剥离液作为显示面板制造中用量最大的湿电子化学品之一，在TP/TFT
‑
LCD/OLED等显示面板制造有着重要应用，广泛应用于光伏太阳能、显示面板、半导体领域。剥离液通常用在蚀刻工艺完成之后，用于去除光刻胶和残留物质，同时防止对下层的衬底造成损坏。
[0003]剥离过程是通过剥离液和光刻胶的化学反应，使光刻胶膨胀、软化并溶解。现有剥离液主要有水系剥离液和有机剥离液。水系剥离液的主要成分包含有机试剂和纯水，不同药水中纯水所占比例有所不同，在水系剥离液和光刻胶反应过程中，一般制程温度在40到60度，纯水和有机物在使用过程中依然会有较大的挥发量，水系剥离液中各组分含量也对应产生变化影响剥离效果；以及产生有机蒸汽，影响作业安全。
[0004]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的之一在于提供一种水系剥离液，以缓解现有技术中水系剥离液在使用时成分不稳定影响剥离效果以及使用时产生有机蒸汽影响操作安全的技术问题。
[0006]本专利技术的目的之二在于提供一种水系剥离液的制备方法。
[0007]本专利技术的目的之三在于提供水系剥离液在半导体制造时去除光刻胶中的应用。
[0008]为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：
[0009]本专利技术第一方面提供了一种水系剥离液，包括偶联剂、纯水、极性增强剂、醇醚化合物、胺类化合物和腐蚀抑制剂。
[0010]进一步地，按重量份数计，包括偶联剂0.2份
‑
0.45份、纯水25份
‑
35份、极性增强剂25份
‑
35份、醇醚化合物10份
‑
15份、胺类化合物15份
‑
25份和腐蚀抑制剂1份
‑
5份。
[0011]进一步地，所述偶联剂包括环氧基三甲氧基硅烷、3
‑
缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3
‑
甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷中的至少一种。
[0012]进一步地，所述极性增强剂包括二甲替乙酰胺、4
‑
甲基
‑2‑
戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和硝基甲烷中的至少一种。
[0013]进一步地，所述醇醚化合物包括三乙醇胺、二丙二醇甲醚醋酸酯、二丙二醇丁醚、苯甲醇和二乙二醇丁醚中的至少一种。
[0014]进一步地，所述胺类化合物包括二异丙胺、三亚乙基二胺、邻苯二甲酰亚胺、1,2
‑
二甲基丙胺、N,N
‑
二异丙基乙胺和异丙醇胺中的至少一种。
[0015]进一步地，所述腐蚀抑制剂包括邻苯二酚、苯骈三氮唑、巯基苯骈噻唑、咪唑和膦羧酸中的至少一种。
[0016]进一步地，所述偶联剂为环氧基三甲氧基硅烷和3
‑
缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基
硅烷。
[0017]本专利技术的第二方面提供了所述的水系剥离液的制备方法，将所有原料混合均匀得到所述水系剥离液。
[0018]本专利技术的第三方面提供了所述的水系剥离液在半导体制造时去除光刻胶中的应用。
[0019]与现有技术相比，本专利技术至少具有如下有益效果：
[0020]本专利技术提供的水系剥离液，在体系中加入了偶联剂，有效降低了极性增强剂、醇醚化合物、胺类化合物和纯水的挥发，降低了制程中的作业风险，同时水系剥离液稳定性增强，保持了原始的剥离效果，增加了水系剥离液的使用寿命。在确保了水系剥离液的剥离效果后，水系剥离液在光刻胶去除过程中使用量会降低，同时污水的排放量也会降低，总体降低了制造成本和污水处理的成本。
[0021]本专利技术提供的制备方法工艺简单，机械化程度高，适合大规模工业化生产。
[0022]本专利技术提供的水系剥离液为半导体制造过程提供了更好的剥离液，使光刻胶去除完整，基本无残留，提高了半导体器件的精密度，促进了半导体制造业和下游产业的发展。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为实施例1提供的水系剥离液对半导体器件中的光刻胶剥离后的SEM照片；
[0025]图2为对比例1提供的水系剥离液对半导体器件中的光刻胶剥离后的SEM照片。
具体实施方式
[0026]下面将结合实施方式和实施例对本专利技术的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施方式和实施例仅用于说明本专利技术，而不应视为限制本专利技术的范围。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]根据本专利技术第一方面提供的一种水系剥离液，包括偶联剂、纯水、极性增强剂、醇醚化合物、胺类化合物和腐蚀抑制剂。
[0028]本专利技术提供的水系剥离液，在体系中加入了偶联剂，有效降低了极性增强剂、醇醚化合物、胺类化合物和纯水的挥发，降低了制程中的作业风险，同时水系剥离液稳定性增强，保持了原始的剥离效果，增加了水系剥离液的使用寿命。在确保了水系剥离液的剥离效果后，水系剥离液在光刻胶去除过程中使用量会降低，同时污水的排放量也会降低，总体降低了制造成本和污水处理的成本。
[0029]水系剥离液体系中，纯水作为溶剂增强剥离液的冲洗力，使光刻胶更容易剥离。偶联剂降低了水系剥离液的挥发，维持水系剥离液整体的稳定性。
[0030]在水系剥离液体系中，胺类化合物在水系剥离液中离子化极性更好，胺类化合物和醇醚化合物与极性增强剂混合时，在加入偶联剂时，其极性增加，偶联剂基团中一部分基
团与水形成化学键合，另一部分基团与胺类化合物或醇醚化合物形成较强的分子间作用，从而使体系中各分子之间连接作用更好。
[0031]醇醚化合物、胺类化合物和极性增强剂在水中能很好的溶解，在偶联剂作用下，其胺类化合物中官能团氨基与偶联剂产生铵盐，醇醚类化合物在水中与偶联剂聚合生成的氢键时，溶液中的氨基、亚氨基、次氨基中氮原子成为孤对电子，使胺具有亲核性，与溶液中的醇醚化合物形成稳定的网状结构，使各分子在溶液中连接更紧密，不容易随温度波动而变化，更好的维持水系剥离液整体的稳定性，达到降低水系剥离液挥发的目的。
[0032]进一步地，按重量份数计，包括偶联剂0.2份
‑
0.45份、纯水25份
‑
35份、极性增强剂25份
‑
35份、醇醚化合物10份
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种水系剥离液，其特征在于，包括偶联剂、纯水、极性增强剂、醇醚化合物、胺类化合物和腐蚀抑制剂。2.根据权利要求1所述的水系剥离液，其特征在于，按重量份数计，包括偶联剂0.2份
‑
0.45份、纯水25份
‑
35份、极性增强剂25份
‑
35份、醇醚化合物10份
‑
15份、胺类化合物15份
‑
25份和腐蚀抑制剂1份
‑
5份。3.根据权利要求1或2所述的水系剥离液，其特征在于，所述偶联剂包括环氧基三甲氧基硅烷、3
‑
缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3
‑
甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷中的至少一种。4.根据权利要求1或2所述的水系剥离液，其特征在于，所述极性增强剂包括二甲替乙酰胺、4
‑
甲基
‑2‑

【专利技术属性】
技术研发人员：伍红星，张念椿，张慕伸，郑鹤立，林瑞祥，王岳浩，何培浩，郑安丽，
申请(专利权)人：西陇科学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：