去除光刻胶的方法技术

本发明专利技术提供一种去除光刻胶的方法，提供衬底，衬底上形成有金属层，在金属层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得部分金属层裸露，之后刻蚀裸露的金属层形成凹槽，凹槽的侧壁形成有聚合物；利用氮气吹扫凹槽侧壁的聚合物，之后利用灰化工艺去除部分光刻胶层；重复步骤二中的方法至光刻层去除，之后清洗衬底。本发明专利技术通过在去胶前增加氮气吹扫，可以改善湿法清洗后金属导线侧壁聚合物残留。洗后金属导线侧壁聚合物残留。洗后金属导线侧壁聚合物残留。

【技术实现步骤摘要】
去除光刻胶的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种去除光刻胶的方法。

技术介绍

[0002]在金属层例如铝、铜刻蚀后，金属侧壁聚合物淀积较重，在湿法清洗后，金属侧壁仍有部分聚合物残留，铝、铜导线易发生腐蚀反应，影响产品质量。
[0003]为解决上述问题，需要提出一种新型的去除光刻胶的方法。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种去除光刻胶的方法，用于解决现有技术中在金属层例如铝、铜刻蚀后，金属侧壁聚合物淀积较重，在湿法清洗后，金属侧壁仍有部分聚合物残留，铝、铜导线易发生腐蚀反应，影响产品质量的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种去除光刻胶的方法，包括：
[0006]步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有金属层，在所述金属层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得部分所述金属层裸露，之后刻蚀裸露的金属层形成凹槽，所述凹槽的侧壁形成有聚合物；
[0007]步骤二、利用氮气吹扫所述凹槽侧壁的聚合物，之后利用灰本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除光刻胶的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有金属层，在所述金属层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得部分所述金属层裸露，之后刻蚀裸露的金属层形成凹槽，所述凹槽的侧壁形成有聚合物；步骤二、利用氮气吹扫所述凹槽侧壁的聚合物，之后利用灰化工艺去除部分所述光刻胶层；步骤三、重复步骤二中的方法至所述光刻层去除，之后清洗所述衬底。2.根据权利要求1所述的去除光刻胶的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅衬底。3.根据权利要求1所述的去除光刻胶的方法，其特征在于：步骤一中的所述金属层的材料为铝或铜中的至少一种。4.根据权利要求1所述的去除光刻胶的方法，其特征在于：步骤一中所述刻蚀的方法为干法刻蚀。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：马现飞，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：