光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备技术

本发明专利技术提供了光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备，该光刻胶刻蚀液包括：二甲基亚砜、四氢呋喃和异丙醇。通过二甲基亚砜作为主要的光刻胶去除剂，提高光刻胶刻蚀质量，通过四氢呋喃作为黏度调节剂和次要的光刻胶去除剂，进一步增加光刻胶刻蚀液的刻蚀能力，并提高光刻胶刻蚀液的流动性，增强光刻胶刻蚀液对于细小缝隙处的光刻胶的刻蚀能力，通过异丙醇去除已经被溶解的光刻胶和四氢呋喃及二甲基亚砜的混合溶液，提高光刻胶刻蚀液的刻蚀效率，因此，通过上述光刻胶刻蚀液可以提高光刻胶的刻蚀效率和刻蚀质量，缩短刻蚀时间，节约刻蚀成本。节约刻蚀成本。节约刻蚀成本。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备。

技术介绍

[0002]微同轴传输技术是一种基于MEMS(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical Systems，微机电系统)微机械加工工艺的射频传输技术，具有超宽带、无色散、低损耗、高功率容量、高隔离度等特点，在高性能雷达和空间通信等领域具有非常广阔的应用前景。目前结构的制备方法是先在硅片上进行氧化形成氧化层，在氧化硅膜层上进行种子层溅射，再通过光刻来定义图形，多次循环进行搭建整体的微同轴结构，最后进行光刻胶释放。目前的光刻胶释放方法是在制备完成后通过紫外光照射、高温烘烤、显影液浸泡等步骤对整体的微同轴结构内的各单层结构内的光刻胶进行逐层释放，存在处理时间长，释放效率低，操作步骤繁琐，使用到的设备和药剂较多，释放成本较高的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备，以解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.光刻胶刻蚀液，其特征在于，包括：二甲基亚砜、四氢呋喃和异丙醇。2.如权利要求1所述的光刻胶刻蚀液，其特征在于，所述光刻胶刻蚀液的配比包括：所述二甲基亚砜的体积分数为40％～60％，和/或，所述四氢呋喃的体积分数为20％～30％，和/或，所述异丙醇的体积分数为30％～50％。3.微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，包括：将待释放的微同轴结构浸泡于如权利要求1至2中任一项所述的第一光刻胶刻蚀液，得到第一微同轴结构腔体；利用去离子水冲洗所述第一微同轴结构腔体。4.如权利要求3所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，浸泡时间是根据所述微同轴结构腔体的结构和/或所述第一光刻胶刻蚀液的配比确定的。5.如权利要求3所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，还包括：搅拌所述第一光刻胶刻蚀液，其中，搅拌速率是根据所述微同轴结构腔体的结构和/或所述第一光刻胶刻蚀液的配比确定的。6.如权利要求5所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，还包括：利用起泡装置将所述第一光刻胶刻蚀液...

【专利技术属性】
技术研发人员：王荣栋，杨云春，陆原，张拴，马诗潇，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：